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公开(公告)号：CN100481425C
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200510114140.2
申请日：2005-10-18
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L23/485 , H01L21/28
CPC classification number: H01L24/05 , H01L23/051 , H01L23/24 , H01L24/03 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/48 , H01L2224/04042 , H01L2224/05557 , H01L2224/05558 , H01L2224/05624 , H01L2224/29111 , H01L2224/32245 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48624 , H01L2224/48724 , H01L2224/73265 , H01L2224/83194 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01022 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01068 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/0133 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/15747 , H01L2924/181 , H01L2924/351 , H01L2924/00 , H01L2924/01026 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 一种半导体器件包括：半导体基片(1)；布置在所述基片(1)的表面上的铝电极(11)；布置在铝电极(11)上并且具有开孔(12a)的保护膜(12)；和透过保护膜(12)的开孔(12a)而布置在铝电极(11)的表面上的金属化电极(13)。所述铝电极(11)的表面包括凹部(11a)。所述凹部(11a)具有开口侧和底部侧，底部侧比开口侧宽。在这种器件中，金属化电极(13)的凹部和凸部变小了。
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公开(公告)号：CN1747162A
公开(公告)日：2006-03-15
申请号：CN200510099909.8
申请日：2005-09-08
Applicant: 株式会社电装
CPC classification number: H01L23/4827 , H01L24/05 , H01L2224/04026 , H01L2924/01013 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01042 , H01L2924/014
Abstract: 一种半导体器件包括：半导体衬底(1、1p)；基底部件(2)；锡基焊料层(S)；第一金属层(M)；和第一合金层(T1)。依次经由第一金属层(M)、第一合金层(T1)和锡基焊料层(S)，将半导体衬底(1、1p)接合到基底部件(2)上。第一合金层(T1)由第一金属层(M)中的第一金属和锡基焊料层(S)中的锡制成。第一金属层(M)由选自由钛、铝、铁、钼、铬、钒和铁－镍－铬合金构成的组中的至少一种材料制成。
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公开(公告)号：CN1319161C
公开(公告)日：2007-05-30
申请号：CN200410031258.4
申请日：2004-03-26
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L23/367
CPC classification number: H01L23/4334 , H01L24/48 , H01L25/072 , H01L2224/05553 , H01L2224/05599 , H01L2224/16 , H01L2224/45099 , H01L2224/48091 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2224/85399 , H01L2924/00014 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/18301 , H01L2924/30107 , H01L2924/00 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2924/00012
Abstract: 一种功率元件封装(100)包括半导体芯片(7)、散热组件(1、4)、制模树脂组件(11)、控制信号的引线端子(8)以及大电流的引线端子(9，10)。在散热组件的受热表面(1p)上，设置了绝缘层(2)以及导电层(3)。控制信号的引线端子经由导电层与半导体芯片的栅极(7g)电气连接。半导体芯片的发射极(7e)经由焊接组件(6)而与受热表面的非绝缘部分(1p)电气连接。
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公开(公告)号：CN1245800C
公开(公告)日：2006-03-15
申请号：CN02155720.9
申请日：2002-12-06
Applicant: 株式会社电装
IPC: H03K17/687
CPC classification number: H01L29/7813 , H01L29/0638 , H01L29/7803 , H01L29/7805 , H01L29/7811 , H01L2224/48091 , H01L2224/48472 , H01L2224/49175 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/19105 , H02M1/08 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 一种用于驱动电感性负载的负载驱动电路，包括连接负载的回流闭合电路。在该回流闭合电路中设置续流二极管。该续流二极管并联一个MOS晶体管，用于接通/断开电流。设置一电容器并以其两端连接至MOS晶体管的栅极和漏极，设置一电阻器并以其两端连接至MOS晶体管的栅极和源极。在续流二极管的恢复操作期间，借助于该电容器和电阻器，MOS晶体管的栅极至源极的电压在一预定时间周期内被上拉而超过一阈值。上拉该栅极至源极电压致使续流二极管的恢复特性变得柔和，抑制恢复浪涌。
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公开(公告)号：CN1619799A
公开(公告)日：2005-05-25
申请号：CN200410103832.2
申请日：2004-11-19
Applicant: 株式会社电装
CPC classification number: H01L24/05 , H01L23/34 , H01L23/4334 , H01L23/4824 , H01L23/492 , H01L24/33 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L2224/04042 , H01L2224/05556 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/32245 , H01L2224/45015 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/4847 , H01L2224/73265 , H01L2224/85399 , H01L2224/92247 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01068 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/1301 , H01L2924/13034 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/19043 , H01L2924/2076 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099
Abstract: 半导体装置由半导体元件(12)、一对上下散热片(13、14)和散热块(15)构成。散热块(15)具有小于半导体元件(12)的平面形状。半导体元件(12)具有面向散热块(15)的发热部(19)。发热部(19)具有外周缘，发热部(19)的外周缘与散热块(15)的外周缘的距离(d)在1.0mm以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1424822A
公开(公告)日：2003-06-18
申请号：CN02155720.9
申请日：2002-12-06
Applicant: 株式会社电装
IPC: H03K17/687
CPC classification number: H01L29/7813 , H01L29/0638 , H01L29/7803 , H01L29/7805 , H01L29/7811 , H01L2224/48091 , H01L2224/48472 , H01L2224/49175 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/19105 , H02M1/08 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 一种用于驱动电感性负载的负载驱动电路，包括连接负载的回流闭合电路。在该回流闭合电路中设置续流二极管。该续流二极管并联一个MOS晶体管，用于接通/断开电流。设置一电容器并以其两端连接至MOS晶体管的栅极和漏极，设置一电阻器并以其两端连接至MOS晶体管的栅极和源极。在续流二极管的恢复操作期间，借助于该电容器和电阻器，MOS晶体管的栅极至源极的电压在一预定时间周期内被上拉而超过一阈值。上拉该栅极至源极电压致使续流二极管的恢复特性变得柔和，抑制恢复浪涌。
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公开(公告)号：CN100378921C
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：CN200510006371.1
申请日：2005-01-28
Applicant: 株式会社电装
CPC classification number: H01L21/76838 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/1301 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种制作半导体芯片(10)的方法，包括：制作半导体晶片(100)，使得该半导体晶片(100)的主面和背面取向类似于将从该半导体晶片(100)中分割出的半导体芯片(10)的主面和背面的取向。在半导体晶片(100)的背面上形成电极(13)。在半导体晶片(100)的主面上形成另一电极(12)，同时将晶片(100)的背面固定到支撑衬底(200)。切割半导体晶片(100)，以形成半导体芯片(10)。
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公开(公告)号：CN100353541C
公开(公告)日：2007-12-05
申请号：CN200410061649.0
申请日：2004-06-23
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L23/48 , H01L23/52 , H01L21/768 , H01L21/28
CPC classification number: H01L24/33 , H01L23/482 , H01L23/485 , H01L23/488 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L2224/05599 , H01L2224/291 , H01L2224/29111 , H01L2224/32245 , H01L2224/45099 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/85444 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01068 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/0133 , H01L2924/04941 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/3025 , H01L2924/351 , H01L2924/01014 , H01L2924/01028 , H01L2924/3512 , H01L2924/00 , H01L2924/014 , H01L2924/00012 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 一种塑模型半导体器件，包括：含有半导体部件的半导体芯片(1)；金属层(13，13a-13c)；焊料层(14)；和通过金属层(13，13a-13c)和焊料层(14)与半导体芯片(1)连接的金属构件(24)。焊料层(14)由屈服应力比金属层(13，13a-13c)屈服应力小的焊料构成。即使当用树脂塑模(20)密封半导体芯片(1)时，也能防止金属层(13，13a-13c)破裂。
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公开(公告)号：CN1226785C
公开(公告)日：2005-11-09
申请号：CN02159368.X
申请日：2002-12-26
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L23/36
CPC classification number: H01L24/33 , H01L23/4334 , H01L23/49562 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L2224/32245 , H01L2224/371 , H01L2224/40245 , H01L2224/83801 , H01L2224/84801 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01068 , H01L2924/01082 , H01L2924/1301 , H01L2924/13034 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/19043 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 一种半导体器件(11)包括半导体芯片(12)、第一散热片(13)、第二散热片(14)、和模制树脂(17)。第一散热片(13)电和热链接到半导体芯片(12)的表面上，并用作半导体芯片(12)的电极和释放由半导体芯片(12)产生的热量。第二散热片(14)电和热连接到半导体芯片(12)的另一表面上，用作半导体芯片(12)的另一电极和释放热量。半导体芯片(12)和第一和第二散热片(13，14)暴露于模制树脂(17)的基本平坦表面(19)上。器件(11)优选在制造中以低成本制造并优选具有散热能力，因为用于绝缘散热片(13，14)和从半导体芯片(123)释放热量的装置因上述结构而变得很简单。
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公开(公告)号：CN1649097A
公开(公告)日：2005-08-03
申请号：CN200510006371.1
申请日：2005-01-28
Applicant: 株式会社电装
CPC classification number: H01L21/76838 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/1301 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种制作半导体芯片(10)的方法，包括：制作半导体晶片(100)，使得该半导体晶片(100)的主面和背面取向类似于将从该半导体晶片(100)中分割出的半导体芯片(10)的主面和背面的取向。在半导体晶片(100)的背面上形成电极(13)。在半导体晶片(100)的主面上形成另一电极(12)，同时将晶片(100)的背面固定到支撑衬底(200)。切割半导体晶片(100)，以形成半导体芯片(10)。
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