公开(公告)号：CN101996982A

公开(公告)日：2011-03-30

申请号：CN201010258132.6

申请日：2010-08-18

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 粥川君治 ,  上村力也 ,  水谷真也

IPC: H01L25/00 ,  H01L23/52 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L25/16 ,  H01L21/56 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49537 ,  H01L23/49568 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/29 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/64 ,  H01L24/66 ,  H01L24/69 ,  H01L24/73 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/48699 ,  H01L2224/49 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0781 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/15165 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/85399

Abstract: 一种电子装置，包括位于第一基板(10)上的功率元件(30)和位于第二基板(20)上的电子器件(40)。所述第一和第二基板(10、20)被堆叠成功率元件(30)和电子器件(40)位于第一和第二基板(10、20)之间。第一线材(50)的第一端连接至功率元件(30)。第一线材(50)的第二端连接至第一基板(10)。第一线材(50)的中间部朝向第二基板(20)突出。第二线材(60)的第一端连接至功率元件(30)。所述线材(60)的第二端在第一导电构件(50)的中间部的顶部(51)上方延伸并连接至第二基板(20)。

公开(公告)号：CN100481425C

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN200510114140.2

申请日：2005-10-18

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 真山惠次 ,  近藤市治 ,  粥川君治 ,  三浦昭二

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L23/051 ,  H01L23/24 ,  H01L24/03 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83194 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 一种半导体器件包括：半导体基片(1)；布置在所述基片(1)的表面上的铝电极(11)；布置在铝电极(11)上并且具有开孔(12a)的保护膜(12)；和透过保护膜(12)的开孔(12a)而布置在铝电极(11)的表面上的金属化电极(13)。所述铝电极(11)的表面包括凹部(11a)。所述凹部(11a)具有开口侧和底部侧，底部侧比开口侧宽。在这种器件中，金属化电极(13)的凹部和凸部变小了。

公开(公告)号：CN1747162A

公开(公告)日：2006-03-15

申请号：CN200510099909.8

申请日：2005-09-08

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 粥川君治 ,  棚桥昭 ,  则武千景 ,  三浦昭二

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/12 ,  H01L25/00 ,  H01L21/60 ,  H05K1/18 ,  H05K3/34

CPC classification number: H01L23/4827 ,  H01L24/05 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/014

Abstract: 一种半导体器件包括：半导体衬底(1、1p)；基底部件(2)；锡基焊料层(S)；第一金属层(M)；和第一合金层(T1)。依次经由第一金属层(M)、第一合金层(T1)和锡基焊料层(S)，将半导体衬底(1、1p)接合到基底部件(2)上。第一合金层(T1)由第一金属层(M)中的第一金属和锡基焊料层(S)中的锡制成。第一金属层(M)由选自由钛、铝、铁、钼、铬、钒和铁－镍－铬合金构成的组中的至少一种材料制成。

公开(公告)号：CN100452372C

公开(公告)日：2009-01-14

申请号：CN200510099909.8

申请日：2005-09-08

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 粥川君治 ,  棚桥昭 ,  则武千景 ,  三浦昭二

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/12 ,  H01L25/00 ,  H01L21/60 ,  H05K1/18 ,  H05K3/34

CPC classification number: H01L23/4827 ,  H01L24/05 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/014

Abstract: 一种半导体器件包括：半导体衬底(1、1p)；基底部件(2)；锡基焊料层(S)；第一金属层(M)；和第一合金层(T1)。依次经由第一金属层(M)、第一合金层(T1)和锡基焊料层(S)，将半导体衬底(1、1p)接合到基底部件(2)上。第一合金层(T1)由第一金属层(M)中的第一金属和锡基焊料层(S)中的锡制成。第一金属层(M)由选自由钛、铝、铁、钼、铬、钒和铁-镍-铬合金构成的组中的至少一种材料制成。

公开(公告)号：CN1763941A

公开(公告)日：2006-04-26

申请号：CN200510114140.2

申请日：2005-10-18

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 真山惠次 ,  近藤市治 ,  粥川君治 ,  三浦昭二

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L23/051 ,  H01L23/24 ,  H01L24/03 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83194 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 一种半导体器件包括：半导体基片(1)；布置在所述基片(1)的表面上的铝电极(11)；布置在铝电极(11)上并且具有开孔(12a)的保护膜(12)；和透过保护膜(12)的开孔(12a)而布置在铝电极(11)的表面上的金属化电极(13)。所述铝电极(11)的表面包括凹部(11a)。所述凹部(11a)具有开口侧和底部侧，底部侧比开口侧宽。在这种器件中，金属化电极(13)的凹部和凸部变小了。