公开(公告)号：CN1747162A

公开(公告)日：2006-03-15

申请号：CN200510099909.8

申请日：2005-09-08

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 粥川君治 ,  棚桥昭 ,  则武千景 ,  三浦昭二

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/12 ,  H01L25/00 ,  H01L21/60 ,  H05K1/18 ,  H05K3/34

CPC classification number: H01L23/4827 ,  H01L24/05 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/014

Abstract: 一种半导体器件包括：半导体衬底(1、1p)；基底部件(2)；锡基焊料层(S)；第一金属层(M)；和第一合金层(T1)。依次经由第一金属层(M)、第一合金层(T1)和锡基焊料层(S)，将半导体衬底(1、1p)接合到基底部件(2)上。第一合金层(T1)由第一金属层(M)中的第一金属和锡基焊料层(S)中的锡制成。第一金属层(M)由选自由钛、铝、铁、钼、铬、钒和铁－镍－铬合金构成的组中的至少一种材料制成。

公开(公告)号：CN100452372C

公开(公告)日：2009-01-14

申请号：CN200510099909.8

申请日：2005-09-08

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 粥川君治 ,  棚桥昭 ,  则武千景 ,  三浦昭二

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/12 ,  H01L25/00 ,  H01L21/60 ,  H05K1/18 ,  H05K3/34

CPC classification number: H01L23/4827 ,  H01L24/05 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/014

Abstract: 一种半导体器件包括：半导体衬底(1、1p)；基底部件(2)；锡基焊料层(S)；第一金属层(M)；和第一合金层(T1)。依次经由第一金属层(M)、第一合金层(T1)和锡基焊料层(S)，将半导体衬底(1、1p)接合到基底部件(2)上。第一合金层(T1)由第一金属层(M)中的第一金属和锡基焊料层(S)中的锡制成。第一金属层(M)由选自由钛、铝、铁、钼、铬、钒和铁-镍-铬合金构成的组中的至少一种材料制成。