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公开(公告)号：CN101261946A
公开(公告)日：2008-09-10
申请号：CN200810082457.6
申请日：2008-03-06
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L21/60 , H01L23/485
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及金属电极形成方法和具有金属电极的半导体器件，其中一种金属电极形成方法包括：在衬底(11)上形成基底电极(12)；形成保护膜(13，53)，其在基底电极上具有开口(13a，53a)，以从该开口将基底电极暴露出来；形成覆盖保护膜和开口的金属膜(14，54)；在吸附台(21)上固定衬底，并通过表面形状测量装置(23)测量表面形状；通过形变装置(24)使衬底形变，使得主表面和切削表面之间的差异在预定范围内；测量主表面的表面形状，并判断该差异是否在预定范围内；以及沿该切削表面切削衬底，以将金属膜构图成金属电极(15，55)。
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公开(公告)号：CN101789381B
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN201010129988.3
申请日：2008-03-06
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L21/60 , H01L21/304 , H01L21/321
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及金属电极形成方法和具有金属电极的半导体器件，其中一种金属电极形成方法包括：在衬底(11)上形成基底电极(12)；形成保护膜(13，53)，其在基底电极上具有开口(13a，53a)，以从该开口将基底电极暴露出来；形成覆盖保护膜和开口的金属膜(14，54)；在吸附台(21)上固定衬底，并通过表面形状测量装置(23)测量表面形状；通过形变装置(24)使衬底形变，使得主表面和切削表面之间的差异在预定范围内；测量主表面的表面形状，并判断该差异是否在预定范围内；以及沿该切削表面切削衬底，以将金属膜构图成金属电极(15，55)。
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公开(公告)号：CN101789381A
公开(公告)日：2010-07-28
申请号：CN201010129988.3
申请日：2008-03-06
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L21/60 , H01L21/304 , H01L21/321
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及金属电极形成方法和具有金属电极的半导体器件，其中一种金属电极形成方法包括：在衬底(11)上形成基底电极(12)；形成保护膜(13，53)，其在基底电极上具有开口(13a，53a)，以从该开口将基底电极暴露出来；形成覆盖保护膜和开口的金属膜(14，54)；在吸附台(21)上固定衬底，并通过表面形状测量装置(23)测量表面形状；通过形变装置(24)使衬底形变，使得主表面和切削表面之间的差异在预定范围内；测量主表面的表面形状，并判断该差异是否在预定范围内；以及沿该切削表面切削衬底，以将金属膜构图成金属电极(15，55)。
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公开(公告)号：CN101261946B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200810082457.6
申请日：2008-03-06
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L21/60 , H01L23/485
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及金属电极形成方法和具有金属电极的半导体器件，其中一种金属电极形成方法包括：在衬底(11)上形成基底电极(12)；形成保护膜(13，53)，其在基底电极上具有开口(13a，53a)，以从该开口将基底电极暴露出来；形成覆盖保护膜和开口的金属膜(14，54)；在吸附台(21)上固定衬底，并通过表面形状测量装置(23)测量表面形状；通过形变装置(24)使衬底形变，使得主表面和切削表面之间的差异在预定范围内；测量主表面的表面形状，并判断该差异是否在预定范围内；以及沿该切削表面切削衬底，以将金属膜构图成金属电极(15，55)。
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公开(公告)号：CN101707193A
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200910225920.2
申请日：2008-03-06
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L23/485 , H01L21/60 , H01L21/66
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及金属电极形成方法和具有金属电极的半导体器件，其中一种金属电极形成方法包括：在衬底(11)上形成基底电极(12)；形成保护膜(13，53)，其在基底电极上具有开(13a，53a)，以从该开口将基底电极暴露出来；形成覆盖保护膜和开口的金属膜(14，54)；在吸附台(21)上固定衬底，并通过表面形状测量装置(23)测量表面形状；通过形变装置(24)使衬底形变，使得主表面和切削表面之间的差异在预定范围内；测量主表面的表面形状，并判断该差异是否在预定范围内；以及沿该切削表面切削衬底，以将金属膜构图成金属电极(15，55)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1649097A
公开(公告)日：2005-08-03
申请号：CN200510006371.1
申请日：2005-01-28
Applicant: 株式会社电装
CPC classification number: H01L21/76838 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/1301 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种制作半导体芯片(10)的方法，包括：制作半导体晶片(100)，使得该半导体晶片(100)的主面和背面取向类似于将从该半导体晶片(100)中分割出的半导体芯片(10)的主面和背面的取向。在半导体晶片(100)的背面上形成电极(13)。在半导体晶片(100)的主面上形成另一电极(12)，同时将晶片(100)的背面固定到支撑衬底(200)。切割半导体晶片(100)，以形成半导体芯片(10)。
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公开(公告)号：CN1574326A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200410061649.0
申请日：2004-06-23
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L23/48 , H01L23/52 , H01L21/768 , H01L21/28
CPC classification number: H01L24/33 , H01L23/482 , H01L23/485 , H01L23/488 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L2224/05599 , H01L2224/291 , H01L2224/29111 , H01L2224/32245 , H01L2224/45099 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/85444 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01068 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/0133 , H01L2924/04941 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/3025 , H01L2924/351 , H01L2924/01014 , H01L2924/01028 , H01L2924/3512 , H01L2924/00 , H01L2924/014 , H01L2924/00012 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 一种塑模型半导体器件，包括：含有半导体部件的半导体芯片(1)；金属层(13，13a－13c)；焊料层(14)；和通过金属层(13，13a－13c)和焊料层(14)与半导体芯片(1)连接的金属构件(24)。焊料层(14)由屈服应力比金属层(13，13a－13c)屈服应力小的焊料构成。即使当用树脂塑模(20)密封半导体芯片(1)时，也能防止金属层(13，13a－13c)破裂。
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公开(公告)号：CN102315184B
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201110189350.3
申请日：2011-06-30
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L23/48 , H01L23/473 , H01L25/11
CPC classification number: H01L23/473 , H01L23/40 , H01L23/4012 , H01L24/33 , H01L25/117 , H01L2224/33181 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件，其具有包括彼此堆叠的多个单元的单元堆叠体。每个单元均包括具有引线部分和连接部分的电源端子。连接部分形成有突起和凹口。当单元彼此堆叠时，一个单元的突起适配于相邻单元的凹口，使得各个单元的电源端子彼此连接。
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公开(公告)号：CN102315184A
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN201110189350.3
申请日：2011-06-30
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L23/48 , H01L23/473 , H01L25/11
CPC classification number: H01L23/473 , H01L23/40 , H01L23/4012 , H01L24/33 , H01L25/117 , H01L2224/33181 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件，其具有包括彼此堆叠的多个单元的单元堆叠体。每个单元均包括具有引线部分和连接部分的电源端子。连接部分形成有突起和凹口。当单元彼此堆叠时，一个单元的突起适配于相邻单元的凹口，使得各个单元的电源端子彼此连接。
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公开(公告)号：CN100378921C
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：CN200510006371.1
申请日：2005-01-28
Applicant: 株式会社电装
CPC classification number: H01L21/76838 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/1301 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种制作半导体芯片(10)的方法，包括：制作半导体晶片(100)，使得该半导体晶片(100)的主面和背面取向类似于将从该半导体晶片(100)中分割出的半导体芯片(10)的主面和背面的取向。在半导体晶片(100)的背面上形成电极(13)。在半导体晶片(100)的主面上形成另一电极(12)，同时将晶片(100)的背面固定到支撑衬底(200)。切割半导体晶片(100)，以形成半导体芯片(10)。
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