公开(公告)号：CN101261946A

公开(公告)日：2008-09-10

申请号：CN200810082457.6

申请日：2008-03-06

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 富坂学 ,  小岛久稔 ,  新美彰浩

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/485

CPC classification number: H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及金属电极形成方法和具有金属电极的半导体器件，其中一种金属电极形成方法包括：在衬底(11)上形成基底电极(12)；形成保护膜(13，53)，其在基底电极上具有开口(13a，53a)，以从该开口将基底电极暴露出来；形成覆盖保护膜和开口的金属膜(14，54)；在吸附台(21)上固定衬底，并通过表面形状测量装置(23)测量表面形状；通过形变装置(24)使衬底形变，使得主表面和切削表面之间的差异在预定范围内；测量主表面的表面形状，并判断该差异是否在预定范围内；以及沿该切削表面切削衬底，以将金属膜构图成金属电极(15，55)。

公开(公告)号：CN101789381B

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：CN201010129988.3

申请日：2008-03-06

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 富坂学 ,  小岛久稔 ,  新美彰浩

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/304 ,  H01L21/321

CPC classification number: H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及金属电极形成方法和具有金属电极的半导体器件，其中一种金属电极形成方法包括：在衬底(11)上形成基底电极(12)；形成保护膜(13，53)，其在基底电极上具有开口(13a，53a)，以从该开口将基底电极暴露出来；形成覆盖保护膜和开口的金属膜(14，54)；在吸附台(21)上固定衬底，并通过表面形状测量装置(23)测量表面形状；通过形变装置(24)使衬底形变，使得主表面和切削表面之间的差异在预定范围内；测量主表面的表面形状，并判断该差异是否在预定范围内；以及沿该切削表面切削衬底，以将金属膜构图成金属电极(15，55)。

公开(公告)号：CN101789381A

公开(公告)日：2010-07-28

申请号：CN201010129988.3

申请日：2008-03-06

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 富坂学 ,  小岛久稔 ,  新美彰浩

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/304 ,  H01L21/321

CPC classification number: H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及金属电极形成方法和具有金属电极的半导体器件，其中一种金属电极形成方法包括：在衬底(11)上形成基底电极(12)；形成保护膜(13，53)，其在基底电极上具有开口(13a，53a)，以从该开口将基底电极暴露出来；形成覆盖保护膜和开口的金属膜(14，54)；在吸附台(21)上固定衬底，并通过表面形状测量装置(23)测量表面形状；通过形变装置(24)使衬底形变，使得主表面和切削表面之间的差异在预定范围内；测量主表面的表面形状，并判断该差异是否在预定范围内；以及沿该切削表面切削衬底，以将金属膜构图成金属电极(15，55)。

公开(公告)号：CN101261946B

公开(公告)日：2010-06-02

申请号：CN200810082457.6

申请日：2008-03-06

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 富坂学 ,  小岛久稔 ,  新美彰浩

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/485

CPC classification number: H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及金属电极形成方法和具有金属电极的半导体器件，其中一种金属电极形成方法包括：在衬底(11)上形成基底电极(12)；形成保护膜(13，53)，其在基底电极上具有开口(13a，53a)，以从该开口将基底电极暴露出来；形成覆盖保护膜和开口的金属膜(14，54)；在吸附台(21)上固定衬底，并通过表面形状测量装置(23)测量表面形状；通过形变装置(24)使衬底形变，使得主表面和切削表面之间的差异在预定范围内；测量主表面的表面形状，并判断该差异是否在预定范围内；以及沿该切削表面切削衬底，以将金属膜构图成金属电极(15，55)。

公开(公告)号：CN101707193A

公开(公告)日：2010-05-12

申请号：CN200910225920.2

申请日：2008-03-06

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 富坂学 ,  小岛久稔 ,  新美彰浩

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/60 ,  H01L21/66

CPC classification number: H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及金属电极形成方法和具有金属电极的半导体器件，其中一种金属电极形成方法包括：在衬底(11)上形成基底电极(12)；形成保护膜(13，53)，其在基底电极上具有开(13a，53a)，以从该开口将基底电极暴露出来；形成覆盖保护膜和开口的金属膜(14，54)；在吸附台(21)上固定衬底，并通过表面形状测量装置(23)测量表面形状；通过形变装置(24)使衬底形变，使得主表面和切削表面之间的差异在预定范围内；测量主表面的表面形状，并判断该差异是否在预定范围内；以及沿该切削表面切削衬底，以将金属膜构图成金属电极(15，55)。