公开(公告)号：CN105164812B

公开(公告)日：2018-01-09

申请号：CN201380071355.3

申请日：2013-01-24

Applicant: 丰田自动车株式会社 ,  株式会社电装

Inventor： 西村信也 ,  副岛成雅 ,  山本建策

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7834 ,  H01L21/225 ,  H01L21/2652 ,  H01L21/28238 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/31 ,  H01L21/31116 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66621 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7841

Abstract: 本发明涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法。半导体装置具有：第一导电型的接触区域、第二导电型的主体区域、第一导电型的漂移区域、沟槽、绝缘膜、栅电极以及第二导电型的浮置区域。沟槽从半导体基板的表面贯通接触区域以及主体区域而形成，其底部位于漂移区域内。绝缘膜覆盖沟槽的内面。栅电极以被绝缘膜覆盖的状态收纳于沟槽内。浮置区域设置于漂移区域内的比沟槽的底部深的位置，并且与沟槽的底部相邻。浮置区域具有与沟槽的底部相邻的第一层以及设置于比第一层深的位置的第二层。第一层的宽度宽于第二层的宽度。

公开(公告)号：CN102844867B

公开(公告)日：2015-08-05

申请号：CN201280001099.6

申请日：2012-02-06

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社

Inventor： 登尾正人 ,  山本建策 ,  松木英夫 ,  高谷秀史 ,  杉本雅裕 ,  副岛成雅 ,  石川刚 ,  渡边行彦

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/78 ,  H01L29/739 ,  H01L29/16 ,  H01L21/336 ,  H01L29/66

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7397

Abstract: 一种SiC器件包括反型MOSFET，其具有：按照顺序叠置的衬底（1）、漂移层（2）以及基底区域（3）；基底区域（3）的上部中的源极和接触区域（4、5）；穿透源极和基底区域（4、3）的沟槽（6）；沟槽（6）中的栅极绝缘膜（8）上的栅电极（9）；与源极和基底区域（4、3）耦合的源电极（11）；衬底（1）的背面上的漏电极（13）；以及多个深层（10），所述深层位于漂移层（2）的上部中、比沟槽（6）更深、并且在与沟槽的纵向方向交叉的方向上延伸。每个深层（10）在深度方向上具有杂质浓度分布，并且在施加栅电压时，在沟槽侧上的深层（10）的一部分中提供反型层。

公开(公告)号：CN111788661B

公开(公告)日：2024-03-22

申请号：CN201980012903.2

申请日：2019-01-29

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 大西徹 ,  朽木克博 ,  山本建策

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/04 ,  H01L29/16

Abstract: 碳化硅半导体器件的制造方法可以包括：在碳化硅衬底上形成栅极绝缘膜；在栅极绝缘膜上形成栅电极。栅极绝缘膜的形成可以包括通过在氮气氛下热氧化碳化硅衬底而在碳化硅衬底上形成氧化物膜。

公开(公告)号：CN103348478A

公开(公告)日：2013-10-09

申请号：CN201280008329.1

申请日：2012-02-06

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社

Inventor： 山本建策 ,  登尾正人 ,  松木英夫 ,  高谷秀史 ,  杉本雅裕 ,  副岛成雅 ,  石川刚 ,  渡边行彦

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/78 ,  H01L29/739 ,  H01L29/16 ,  H01L21/336 ,  H01L29/66

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7397

Abstract: 一种SiC半导体器件，包括：半导体开关元件，其具有：按照以下顺序叠置的衬底（1）、漂移层（2）以及基底区域（3）；在基底区域（3）中的源极区域（4）和接触区域（5）；从源极区域（4）的表面延伸以穿透基底区域（3）的沟槽（6）；沟槽（6）中的栅极绝缘膜（8）上的栅电极（9）；与源极区域（4）和基底区域（3）电耦合的源电极（11）；衬底（1）的背面上的漏电极（13）；以及多个深层（10），所述深层位于漂移层（2）的上方部分中、比沟槽（6）深、并且在与沟槽的纵向方向交叉的方向上延伸。每个深层（10）具有上方部分和下方部分（10b，10a）。上方部分（10b）的宽度小于下方部分（10a）的宽度。

公开(公告)号：CN1925169B

公开(公告)日：2010-08-04

申请号：CN200610126666.7

申请日：2006-08-31

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 远藤刚 ,  山本刚 ,  河合润 ,  山本建策 ,  奥野英一

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/24 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/049 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7828 ,  H01L29/7838

Abstract: 一种具有MOS结构的碳化硅半导体器件，包括：衬底(1、31、61)；在所述衬底(1、31、61)中的沟道区(2、34、64)；第一杂质区(4、36、66、67)；第二杂质区(5、37、73)；在所述沟道区(2、34、64)上的栅极绝缘膜(6、38、68)；以及在所述栅极绝缘膜(6、38、68)上的栅极(7、35、65)；所述沟道区(2、34、64)提供电流通路。所述沟道区(2、34、64)与所述栅极绝缘膜(6、38、68)彼此之间具有界面。所述界面包含由氢原子或羟基终止的悬挂键。所述界面具有等于或大于2.6×1020cm-3的氢浓度。

公开(公告)号：CN1855534A

公开(公告)日：2006-11-01

申请号：CN200610077712.9

申请日：2006-04-26

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 都筑幸夫 ,  户仓规仁 ,  尾关善彦 ,  山本建策

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/41

Abstract: 一种沟槽栅型半导体装置包括：第一半导体层(1，21)；在第一半导体层(1，21)上的第二半导体层(2)；在第二半导体层(2)上的第三半导体层(3)；在第三半导体层(3)的表面部分的一部分中的第四半导体层(4)；穿过第四半导体层(4)和第三半导体层(3)并到达第二半导体层(2)的沟槽(5)；在沟槽(5)的内壁上的栅极绝缘薄膜(6)；在沟槽(5)中栅极绝缘薄膜(6)上的栅电极(7)；第一电极(8)；以及第二电极(9)。沟槽(5)包括具有弯曲表面的底部(5a)，弯曲表面的曲率半径等于或小于0.5μm。

公开(公告)号：CN111788661A

公开(公告)日：2020-10-16

申请号：CN201980012903.2

申请日：2019-01-29

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 大西徹 ,  朽木克博 ,  山本建策

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/04 ,  H01L29/16

Abstract: 碳化硅半导体器件的制造方法可以包括：在碳化硅衬底上形成栅极绝缘膜；在栅极绝缘膜上形成栅电极。栅极绝缘膜的形成可以包括通过在氮气氛下热氧化碳化硅衬底而在碳化硅衬底上形成氧化物膜。

公开(公告)号：CN102299180B

公开(公告)日：2014-03-05

申请号：CN201110175094.2

申请日：2011-06-22

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社

Inventor： 山本建策 ,  铃木巨裕 ,  高谷秀史 ,  杉本雅裕 ,  森本淳 ,  副岛成雅 ,  石川刚 ,  渡边行彦

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/04

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/407 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/8613

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件，包括：半导体衬底(4)和电场末端部(13)。半导体衬底(4)包括衬底(1)、设置在所述衬底(1)的表面上的漂移层(2)以及设置在所述漂移层(2)的表面上的基极层(3)。所述半导体衬底(4)被划分为其中设置有半导体元件的单元区和包围所述单元区的外围区。基极部分(3)具有位于贯穿所述单元区和所述外围区的同一平面上的底面，并且提供位于所述外围区中的电场缓和层(3a)。所述电场末端部(13)包围所述电场缓和层(3a)的一部分和所述单元区，并且从所述电场缓和层(3a)的表面穿透所述电场缓和层(3a)到达所述漂移层(2)。

公开(公告)号：CN100490172C

公开(公告)日：2009-05-20

申请号：CN200610077712.9

申请日：2006-04-26

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 都筑幸夫 ,  户仓规仁 ,  尾关善彦 ,  山本建策

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/41

Abstract: 一种沟槽栅型半导体装置包括：第一半导体层(1，21)；在第一半导体层(1，21)上的第二半导体层(2)；在第二半导体层(2)上的第三半导体层(3)；在第三半导体层(3)的表面部分的一部分中的第四半导体层(4)；穿过第四半导体层(4)和第三半导体层(3)并到达第二半导体层(2)的沟槽(5)；在沟槽(5)的内壁上的栅极绝缘薄膜(6)；在沟槽(5)中栅极绝缘薄膜(6)上的栅电极(7)；第一电极(8)；以及第二电极(9)。沟槽(5)包括具有弯曲表面的底部(5a)，弯曲表面的曲率半径等于或小于0.5μm。

公开(公告)号：CN1925169A

公开(公告)日：2007-03-07

申请号：CN200610126666.7

申请日：2006-08-31

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 远藤刚 ,  山本刚 ,  河合润 ,  山本建策 ,  奥野英一

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/24 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/049 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7828 ,  H01L29/7838

Abstract: 一种具有MOS结构的碳化硅半导体器件，包括：衬底(1、31、61)；在所述衬底(1、31、61)中的沟道区(2、34、64)；第一杂质区(4、36、66、67)；第二杂质区(5、37、73)；在所述沟道区(2、34、64)上的栅极绝缘膜(6、38、68)；以及在所述栅极绝缘膜(6、38、68)上的栅极(7、35、65)；所述沟道区(2、34、64)提供电流通路。所述沟道区(2、34、64)与所述栅极绝缘膜(6、38、68)彼此之间具有界面。所述界面包含由氢原子或羟基终止的悬挂键。所述界面具有等于或大于2.6×1020cm－3的氢浓度。