公开(公告)号：CN109417060B

公开(公告)日：2022-10-28

申请号：CN201780040556.5

申请日：2017-06-29

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 杉浦和彦 ,  岩重朝仁 ,  河合润

IPC: H01L23/373 ,  H01L23/36 ,  H01L23/40 ,  H01L23/58 ,  H01L23/62 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: 一种半导体装置，具有电极部(19、24)的半导体芯片(2)的该电极部(19、24)与接合部件(5～7)电连接，经由接合部件(5～7)而在半导体芯片(2)中流过电流，该半导体装置具备半导体芯片(2)和与电极部(19、24)电连接的接合部件(5～7)，接合部件(5～7)包含保护材料而构成，该保护材料，其电阻率的温度系数为正，在将比所述半导体芯片(2)被损坏的损坏温度低的规定温度设为阈值温度时，比所述阈值温度高的温度侧的电阻率的温度系数大于比所述阈值温度低的温度侧的电阻率的温度系数。

公开(公告)号：CN1925169A

公开(公告)日：2007-03-07

申请号：CN200610126666.7

申请日：2006-08-31

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 远藤刚 ,  山本刚 ,  河合润 ,  山本建策 ,  奥野英一

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/24 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/049 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7828 ,  H01L29/7838

Abstract: 一种具有MOS结构的碳化硅半导体器件，包括：衬底(1、31、61)；在所述衬底(1、31、61)中的沟道区(2、34、64)；第一杂质区(4、36、66、67)；第二杂质区(5、37、73)；在所述沟道区(2、34、64)上的栅极绝缘膜(6、38、68)；以及在所述栅极绝缘膜(6、38、68)上的栅极(7、35、65)；所述沟道区(2、34、64)提供电流通路。所述沟道区(2、34、64)与所述栅极绝缘膜(6、38、68)彼此之间具有界面。所述界面包含由氢原子或羟基终止的悬挂键。所述界面具有等于或大于2.6×1020cm－3的氢浓度。

公开(公告)号：CN109417060A

公开(公告)日：2019-03-01

申请号：CN201780040556.5

申请日：2017-06-29

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 杉浦和彦 ,  岩重朝仁 ,  河合润

IPC: H01L23/373 ,  H01L23/36 ,  H01L23/40 ,  H01L23/58 ,  H01L23/62 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: 一种半导体装置，具有电极部(19、24)的半导体芯片(2)的该电极部(19、24)与接合部件(5～7)电连接，经由接合部件(5～7)而在半导体芯片(2)中流过电流，该半导体装置具备半导体芯片(2)和与电极部(19、24)电连接的接合部件(5～7)，接合部件(5～7)包含保护材料而构成，该保护材料，其电阻率的温度系数为正，在将比所述半导体芯片(2)被损坏的损坏温度低的规定温度设为阈值温度时，比所述阈值温度高的温度侧的电阻率的温度系数大于比所述阈值温度低的温度侧的电阻率的温度系数。

公开(公告)号：CN1925169B

公开(公告)日：2010-08-04

申请号：CN200610126666.7

申请日：2006-08-31

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 远藤刚 ,  山本刚 ,  河合润 ,  山本建策 ,  奥野英一

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/24 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/049 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7828 ,  H01L29/7838

Abstract: 一种具有MOS结构的碳化硅半导体器件，包括：衬底(1、31、61)；在所述衬底(1、31、61)中的沟道区(2、34、64)；第一杂质区(4、36、66、67)；第二杂质区(5、37、73)；在所述沟道区(2、34、64)上的栅极绝缘膜(6、38、68)；以及在所述栅极绝缘膜(6、38、68)上的栅极(7、35、65)；所述沟道区(2、34、64)提供电流通路。所述沟道区(2、34、64)与所述栅极绝缘膜(6、38、68)彼此之间具有界面。所述界面包含由氢原子或羟基终止的悬挂键。所述界面具有等于或大于2.6×1020cm-3的氢浓度。

公开(公告)号：CN109716493B

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN201780056158.2

申请日：2017-09-07

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 杉浦和彦 ,  岩重朝仁 ,  河合润

IPC: H01L21/52

Abstract: 具备：半导体元件(1)，具有一面(1a)及与一面相反侧的另一面(1b)，在另一面(1b)侧形成有电极(2)；被安装部件(6)，与电极(2)对置配置，具有导电性；以及连接部件(3)，配置在半导体元件(1)与被安装部件(6)之间，将半导体元件(1)与被安装部件(6)电连接及机械连接；连接部件(3)具有形成有在半导体元件(1)和被安装部件(6)的层叠方向上贯通的多个孔部(4b)的模部(4)、以及分别配置在多个孔部(4b)中的银烧结体(5)；半导体元件(1)和被安装部件(6)经由银烧结体(5)而机械连接。

公开(公告)号：CN109716493A

公开(公告)日：2019-05-03

申请号：CN201780056158.2

申请日：2017-09-07

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 杉浦和彦 ,  岩重朝仁 ,  河合润

IPC: H01L21/52

Abstract: 具备：半导体元件(1)，具有一面(1a)及与一面相反侧的另一面(1b)，在另一面(1b)侧形成有电极(2)；被安装部件(6)，与电极(2)对置配置，具有导电性；以及连接部件(3)，配置在半导体元件(1)与被安装部件(6)之间，将半导体元件(1)与被安装部件(6)电连接及机械连接；连接部件(3)具有形成有在半导体元件(1)和被安装部件(6)的层叠方向上贯通的多个孔部(4b)的模部(4)、以及分别配置在多个孔部(4b)中的银烧结体(5)；半导体元件(1)和被安装部件(6)经由银烧结体(5)而机械连接。