-
公开(公告)号：CN101174568A
公开(公告)日：2008-05-07
申请号：CN200710181219.6
申请日：2007-10-25
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L21/336 , H01L21/31
CPC classification number: H01L29/7828 , H01L21/049 , H01L29/41741 , H01L29/45 , H01L29/66068
Abstract: 一种具有MOS结构的碳化硅半导体器件的制造方法，包括制备由碳化硅制成衬底(1)，以及形成沟道区域(4)、第一杂质区域(6，7)、第二杂质区域(1，13)、栅极绝缘层(8)和栅电极(9)，以在衬底(1)上形成半导体元件。另外，在半导体元件上形成膜，以以便提供层间绝缘层(10)的材料，并且在潮湿气氛中、大约700℃或更高的温度下执行了回流工艺，使得该膜形成层间绝缘层(10)并且将栅电极(9)的边缘部分圆角化和氧化。
-
公开(公告)号：CN107112950B
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN201580070565.X
申请日：2015-12-22
Applicant: 株式会社电装
Abstract: 天线装置具有多条天线(1)、将电能转换为高频功率的多个磁性振荡元件部(2)、和调制器(6)，该调制器(6)通过设计时间差，将从电能向所述多个磁性振荡元件部中至少两个磁性振荡元件部输出，使通过所述至少两个磁性振荡元件部(2‑1、2‑2)从电能转换而得的高频功率的相位成为彼此不同的相位。所述多个磁性振荡元件部包括一对电极(11、18)，在所述一对电极之间具有钉扎层(14)、自由层(16)和中间层(15)。由所述钉扎层、所述中间层、所述自由层构成的元件的电阻值，根据所述钉扎层的磁化方向和所述自由层的磁化方向之间的角度而变化。所述多条天线通过被供给高频功率而向所述磁性振荡元件部的外部的空间发送电磁波。
-
公开(公告)号：CN107076524B
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201580052332.7
申请日：2015-09-22
Applicant: 株式会社电装
Abstract: 蓄热单元或者蓄热系统为蓄热单元(5)，具有：蓄热部(1)，具有包含强关联电子体系材料的第1材料；以及热传导部(3)，具有热传导率大于第1材料的第2材料，并与蓄热部接触。蓄热单元也可以具有蓄热部和热传导部交替层叠而成的层叠构造。作为强关联电子体系材料，例如可以使用进行金属－绝缘体相变的物质、过渡金属氧化物等。第2材料也可以是金属或者陶瓷。由此，能够高效地储存热输送介质的热量。
-
公开(公告)号：CN107112950A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201580070565.X
申请日：2015-12-22
Applicant: 株式会社电装
CPC classification number: H04B7/0682 , H01L43/08 , H01Q3/2682 , H01Q3/34 , H01Q13/00 , H01Q21/065 , H01Q21/22 , H01Q21/29 , H01Q23/00 , H03B15/006 , H04B1/04 , H04B2001/045
Abstract: 天线装置具有多条天线(1)、将电能转换为高频功率的多个磁性振荡元件部(2)、和调制器(6)，该调制器(6)通过设计时间差，将从电能向所述多个磁性振荡元件部中至少两个磁性振荡元件部输出，使通过所述至少两个磁性振荡元件部(2‑1、2‑2)从电能转换而得的高频功率的相位成为彼此不同的相位。所述多个磁性振荡元件部包括一对电极(11、18)，在所述一对电极之间具有管脚层(14)、自由层(16)和中间层(15)。由所述管脚层、所述中间层、所述自由层构成的元件的电阻值，根据所述管脚层的磁化方向和所述自由层的磁化方向之间的角度而变化。所述多条天线通过被供给高频功率而向所述磁性振荡元件部的外部的空间发送电磁波。
-
公开(公告)号：CN101174569B
公开(公告)日：2010-11-03
申请号：CN200710181792.7
申请日：2007-10-29
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L21/336 , H01L21/3105
CPC classification number: H01L29/7828 , H01L21/049 , H01L29/1608 , H01L29/66068 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种制造具有MOS结构的碳化硅半导体器件的方法，包括：制备由碳化硅制成的衬底(1)；以及形成沟道区(4)、第一杂质区(6、7)、第二杂质区(1、13)、栅极绝缘层(8)和栅电极(9)以在衬底(1)上形成半导体元件。另外，在半导体元件上形成膜以提供层间绝缘层(10)的材料，并在湿气氛中在大约700℃或以上的温度下执行回流工艺以便由该膜形成层间绝缘层(10)。此外，在执行回流工艺之后在惰性气体气氛中在大约700℃或以下执行脱水工艺。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1925169A
公开(公告)日：2007-03-07
申请号：CN200610126666.7
申请日：2006-08-31
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L29/78 , H01L29/24 , H01L21/336
CPC classification number: H01L21/049 , H01L29/045 , H01L29/0847 , H01L29/513 , H01L29/518 , H01L29/66068 , H01L29/78 , H01L29/7828 , H01L29/7838
Abstract: 一种具有MOS结构的碳化硅半导体器件，包括：衬底(1、31、61)；在所述衬底(1、31、61)中的沟道区(2、34、64)；第一杂质区(4、36、66、67)；第二杂质区(5、37、73)；在所述沟道区(2、34、64)上的栅极绝缘膜(6、38、68)；以及在所述栅极绝缘膜(6、38、68)上的栅极(7、35、65)；所述沟道区(2、34、64)提供电流通路。所述沟道区(2、34、64)与所述栅极绝缘膜(6、38、68)彼此之间具有界面。所述界面包含由氢原子或羟基终止的悬挂键。所述界面具有等于或大于2.6×1020cm－3的氢浓度。
-
公开(公告)号：CN119895781A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202380066264.4
申请日：2023-08-17
Applicant: 株式会社电装
IPC: H04L9/32 , B60R16/023
Abstract: 本公开的电子控制装置是搭载于车辆的电子控制装置，具备：存储部(111、121、211、221、311、321、411、421)，存储密钥；以及对照部(115、125、215、225、315、325、415、425)，按照规定的定时，对存储于上述存储部的上述密钥与存储于设置在车辆的外部的分布式账本(200)的与上述密钥相关的信息亦即密钥信息进行对照。
-
公开(公告)号：CN107076524A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580052332.7
申请日：2015-09-22
Applicant: 株式会社电装
CPC classification number: F28D20/02 , C09K5/02 , C09K5/14 , F28D20/0056 , F28D21/0003 , F28F5/02
Abstract: 蓄热单元或者蓄热系统为蓄热单元(5)，具有：蓄热部(1)，具有包含强关联电子体系材料的第1材料；以及热传导部(3)，具有热传导率大于第1材料的第2材料，并与蓄热部接触。蓄热单元也可以具有蓄热部和热传导部交替层叠而成的层叠构造。作为强关联电子体系材料，例如可以使用进行金属－绝缘体相变的物质、过渡金属氧化物等。第2材料也可以是金属或者陶瓷。由此，能够高效地储存热输送介质的热量。
-
公开(公告)号：CN107075351A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580056946.2
申请日：2015-10-08
Applicant: 株式会社电装
IPC: C09K5/02
CPC classification number: C09K5/14 , B01D53/92 , C09K5/02 , F01N3/0222 , F01N3/2842
Abstract: 复合蓄热材料(1)包含由通过固体‑固体相转变而进行蓄热散热的强关联电子材料构成的蓄热材料(2)以及无机材料(3)。蓄热材料(2)和无机材料(3)之中的任一方作为主材(11)使用，蓄热材料(2)和无机材料(3)之中的另一方作为分散材(12)使用。分散材(12)分散混合于主材(11)中。复合蓄热材料(1)通过在主材(11)中分散混合分散材(12)，能够赋予主材(11)以分散材(12)的特性。
-
公开(公告)号：CN1925169B
公开(公告)日：2010-08-04
申请号：CN200610126666.7
申请日：2006-08-31
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L29/78 , H01L29/24 , H01L21/336
CPC classification number: H01L21/049 , H01L29/045 , H01L29/0847 , H01L29/513 , H01L29/518 , H01L29/66068 , H01L29/78 , H01L29/7828 , H01L29/7838
Abstract: 一种具有MOS结构的碳化硅半导体器件，包括：衬底(1、31、61)；在所述衬底(1、31、61)中的沟道区(2、34、64)；第一杂质区(4、36、66、67)；第二杂质区(5、37、73)；在所述沟道区(2、34、64)上的栅极绝缘膜(6、38、68)；以及在所述栅极绝缘膜(6、38、68)上的栅极(7、35、65)；所述沟道区(2、34、64)提供电流通路。所述沟道区(2、34、64)与所述栅极绝缘膜(6、38、68)彼此之间具有界面。所述界面包含由氢原子或羟基终止的悬挂键。所述界面具有等于或大于2.6×1020cm-3的氢浓度。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
12
records
(took 0.021 seconds)
