公开(公告)号：CN111788661B

公开(公告)日：2024-03-22

申请号：CN201980012903.2

申请日：2019-01-29

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 大西徹 ,  朽木克博 ,  山本建策

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/04 ,  H01L29/16

Abstract: 碳化硅半导体器件的制造方法可以包括：在碳化硅衬底上形成栅极绝缘膜；在栅极绝缘膜上形成栅电极。栅极绝缘膜的形成可以包括通过在氮气氛下热氧化碳化硅衬底而在碳化硅衬底上形成氧化物膜。

公开(公告)号：CN111788661A

公开(公告)日：2020-10-16

申请号：CN201980012903.2

申请日：2019-01-29

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 大西徹 ,  朽木克博 ,  山本建策

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/04 ,  H01L29/16

Abstract: 碳化硅半导体器件的制造方法可以包括：在碳化硅衬底上形成栅极绝缘膜；在栅极绝缘膜上形成栅电极。栅极绝缘膜的形成可以包括通过在氮气氛下热氧化碳化硅衬底而在碳化硅衬底上形成氧化物膜。