公开(公告)号：CN101540627A

公开(公告)日：2009-09-23

申请号：CN200910128016.X

申请日：2009-03-17

Applicant: 株式会社电装 ,  株式会社日本自动车部品综合研究所

Inventor： 铃木洋一朗 ,  前田登 ,  中野敬志 ,  长濑和义 ,  近藤耕治 ,  高桥茂树 ,  尾关善彦

IPC: H04B3/18 ,  H01L23/64 ,  H01L27/02

Abstract: 本发明涉及包括阻抗控制电路的接收装置和半导体装置。一种接收装置(1，15)包括接收电路(2，16)和阻抗控制电路(4，17)。接收电路(2，16)接收通过通信线路(3，12)传输的信号。阻抗控制电路(4，17)与接收电路(2，16)耦合并具有检测部分(5，18a，18b)。该检测部分(5，18a，18b)检测信号的物理值，该物理值包括电压、电流和电功率中的至少一种。该阻抗控制电路(4，17)基于该检测值改变输入阻抗，以便减小该信号的振铃振荡。

公开(公告)号：CN101594158B

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：CN200910132216.2

申请日：2009-04-28

Applicant: 株式会社电装 ,  株式会社日本自动车部品综合研究所

Inventor： 铃木洋一朗 ,  前田登 ,  高桥茂树 ,  近藤耕治 ,  长濑和义 ,  子安贵久

IPC: H04B1/10 ,  H04B14/06

CPC classification number: H04M3/18 ,  H04L25/0272 ,  H04L25/0292 ,  H04L25/085

Abstract: 一种信号接收器，包括：接收电路(2)，其经由传输线路(3)接收差分信号，该传输线路(3)包括用于发送差分信号的一对信号线(3P、3M)；以及阻抗控制电路(4、21)，其控制输入阻抗从而降低共模噪声。阻抗控制电路包括检测元件(5)，该检测元件(5)用于检测所述共模噪声的电压、电流和电功率中的至少一个。阻抗控制电路根据所述共模噪声的电压、电流和电功率中的至少一个的变化来控制所述输入阻抗。

公开(公告)号：CN101540627B

公开(公告)日：2012-08-22

申请号：CN200910128016.X

申请日：2009-03-17

Applicant: 株式会社电装 ,  株式会社日本自动车部品综合研究所

Inventor： 铃木洋一朗 ,  前田登 ,  中野敬志 ,  长濑和义 ,  近藤耕治 ,  高桥茂树 ,  尾关善彦

IPC: H04B3/18 ,  H01L23/64 ,  H01L27/02

Abstract: 本发明涉及包括阻抗控制电路的接收装置和半导体装置。一种接收装置(1，15)包括接收电路(2，16)和阻抗控制电路(4，17)。接收电路(2，16)接收通过通信线路(3，12)传输的信号。阻抗控制电路(4，17)与接收电路(2，16)耦合并具有检测部分(5，18a，18b)。该检测部分(5，18a，18b)检测信号的物理值，该物理值包括电压、电流和电功率中的至少一种。该阻抗控制电路(4，17)基于该检测值改变输入阻抗，以便减小该信号的振铃振荡。

公开(公告)号：CN101594158A

公开(公告)日：2009-12-02

申请号：CN200910132216.2

申请日：2009-04-28

Applicant: 株式会社电装 ,  株式会社日本自动车部品综合研究所

Inventor： 铃木洋一朗 ,  前田登 ,  高桥茂树 ,  近藤耕治 ,  长濑和义 ,  子安贵久

IPC: H04B1/10 ,  H04B14/06

CPC classification number: H04M3/18 ,  H04L25/0272 ,  H04L25/0292 ,  H04L25/085

Abstract: 一种信号接收器，包括：接收电路(2)，其经由传输线路(3)接收差分信号，该传输线路(3)包括用于发送差分信号的一对信号线(3P、3M)；以及阻抗控制电路(4、21)，其控制输入阻抗从而降低共模噪声。阻抗控制电路包括检测元件(5)，该检测元件(5)用于检测所述共模噪声的电压、电流和电功率中的至少一个。阻抗控制电路根据所述共模噪声的电压、电流和电功率中的至少一个的变化来控制所述输入阻抗。

公开(公告)号：CN110249431A

公开(公告)日：2019-09-17

申请号：CN201880009680.X

申请日：2018-01-25

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 宫田征典 ,  高桥茂树 ,  住友正清 ,  志贺智英

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/739

Abstract: 半导体装置，具有元件部(1)和将元件部(1)包围的外周部(2)，在外周部(2)形成有深度比基极层(12)深的深层(23)，设深层(23)中的最靠元件部(1)侧的位置为边界位置(K)，设边界位置(K)与能够注入第1载流子的发射极区域(16)中的最靠外周部(2)侧的位置之间的距离为第1距离(L1)，设边界位置(K)与集电极层(21)中的半导体基板(10)的面方向上的端部的位置之间的距离为第2距离(L2)，将第1距离(L1)及第2距离(L2)进行调整，以使得基于因深层(23)而降低了的外周部(2)的耐压而该外周部(2)的载流子密度降低。

公开(公告)号：CN109964317A

公开(公告)日：2019-07-02

申请号：CN201780065823.4

申请日：2017-10-19

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 村川浩一 ,  住友正清 ,  高桥茂树

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

Abstract: 在IGBT区域(1a)与二极管区域(1b)之间、即与二极管区域(1b)邻接的位置，设置与IGBT区域(1a)相比高浓度P型层的形成比例较小的边界区域(1c)。由此，在复原时，能够抑制从IGBT区域(1a)向二极管区域(1b)的空穴注入，并且由于形成在边界区域(1c)中的高浓度P型层的形成比例较小，所以还能够使从边界区域(1c)的高浓度P型层的空穴注入量变少。因而，能够抑制复原时的最大逆向电流Irr的增加，并且能够使阴极侧的载流子密度变低而抑制尾电流的增大。由此，能够做成不仅能够降低开关损失、对于复原破坏也耐受性较高的半导体装置。

公开(公告)号：CN106537598A

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201580038290.1

申请日：2015-07-07

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 住友正清 ,  高桥茂树

IPC: H01L29/739 ,  H01L27/04 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

Abstract: 半导体装置具备漂移层(11)、上述漂移层上的基极层(12)、上述基极层的相反侧的集电极层槽(13)、各沟槽内的栅极电极(17a、17b)、在上述基极层的表层部与上述沟槽相接的发射极区域(14)、与上述基极层及上述发射极区域连接的第1电极(19)、和与上述集电极层及上述阴极层连接的第2电极(23)。半导体衬底的二极管区域的栅极电极(17b)能够进行与IGBT区域的栅极电极(17a)不同的控制，被施加不在上述基极层中形成反型层(24)的电压。(21)及阴极层(22)、将上述基极层贯通的多个沟

公开(公告)号：CN103022095B

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201210369374.1

申请日：2012-09-27

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 酒井健 ,  山田明 ,  高桥茂树 ,  芦田洋一 ,  白木聪

IPC: H01L29/40

CPC classification number: H01L29/7394 ,  H01L21/765 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/404 ,  H01L29/405 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/868

Abstract: 本发明公开了一种具有横向元件（7，8）的半导体器件，该半导体器件包括半导体衬底（11，60）、所述衬底（11，60）上的第一和第二电极（19，32，20，33）、以及从所述第一电极（19，32）延伸至所述第二电极（20，33）的电阻性场板（21，34）。所述横向元件（7，8）传送所述第一与第二电极（19，32，20，33）之间的电流。施加至所述第二电极（20，33）的电压小于施加至所述第一电极（19，32）的电压。所述电阻性场板（21，34）具有第一端部和与所述第一端部相对的第二端部。所述第二端部设置得比所述第一端部更靠近所述第二电极（20，33）。所述第二端部中的杂质浓度等于或大于1×1018cm-3。

公开(公告)号：CN110785836B

公开(公告)日：2023-09-26

申请号：CN201880042217.5

申请日：2018-05-25

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 畑谦佑 ,  星真一 ,  松木英夫 ,  阴泳信 ,  高桥茂树

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/336 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/812

Abstract: 在具有活性区域(1)和非活性区域(2)的半导体装置中，活性区域(1)采用如下结构：具备：具有包括第一、第二半导体层(12、13)的异质结构造的沟道形成层；具有MOS栅极电极(17)的栅极构造部；在第二半导体层(13)之上配置于夹着栅极构造部的两侧的源极电极(18)及漏极电极(19)；配置于栅极构造部与漏极电极(19)之间的从漏极电极(19)离开了的位置、且未掺加杂质的第三半导体层(14)；形成于第三半导体层(14)之上的p型的第四半导体层(20)；以及与第四半导体层(20)接触的JG电极(21)。并且，JG电极(21)与源极电极(18)电连接而成为与该源极电极(18)相同的电位，并且仅配置于活性区域(1)内。

公开(公告)号：CN109314143B

公开(公告)日：2022-11-15

申请号：CN201780036414.1

申请日：2017-05-24

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 荒川隆史 ,  高桥茂树

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

Abstract: 一种半导体装置，具备半导体衬底(50)，该半导体衬底(50)形成有通过发射极层(13)、基极层(11)、漂移层(17)和集电极层(14)而作为IGBT进行动作的IGBT区域(10)，并与IGBT区域邻接地形成有通过阳极层(21)、漂移层和阴极层(22)而作为二极管进行动作的二极管区域(20)。在半导体衬底中，还在将邻接地形成有IGBT区域与二极管区域的元件区域包围的外周区域，在漂移层的表层部形成被施加与阳极层相同电位的电压的第二导电型的保护环(30)。将向与半导体衬底的表面平行的面进行了投影的情况下的阴极层与保护环之间的距离的最小值设为L、并将半导体衬底的厚度设为d时，阴极层与保护环形成在满足L/d≧1.5的位置。