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公开(公告)号：CN115044888A
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202210670164.X
申请日：2018-03-02
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/448 , C23C16/455 , C23C16/18
Abstract: 描述了用于半导体制造前驱物的安瓿和使用方法。安瓿包括具有入口端口和出口端口的容器。入口端口在容器内的端部具有喷头。喷头具有至少两个成角度的喷嘴，以引导空腔内的气流，使得气流不垂直于安瓿内的液体的表面。
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公开(公告)号：CN113348265A
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN201980088231.3
申请日：2019-12-19
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/14 , C23C16/42 , C23C16/505 , C23C16/04 , C23C16/56
Abstract: 揭露了用于在具有硅表面和介电表面的基板的顶上选择性地沉积钛材料层的方法和设备。在实施方式中，一种设备被配置成用于在处理腔室的盖加热器和喷头之间的区域中在摄氏200至800度的第一温度下在四氯化钛(TiCl4)、氢(H2)和氩(Ar)之间形成远程等离子体反应；及使反应产物流入处理腔室中，以在基板的硅表面上选择性地形成钛材料层。
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公开(公告)号：CN104769702B
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201380055126.2
申请日：2013-10-23
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/67017 , Y10T137/8593
Abstract: 在一些实施方式中，一种模块化化学输送系统可包括多个气体输送单元，所述多个气体输送单元直接地且可移除地耦接至彼此，其中每一气体输送单元包括：主体，该主体具有第一空间；设置于该第一空间中的多个气体棒，其中所述多个气体棒的每一者经配置以经由主体中的一或更多入口耦接至至少一个气体供应器；设置于该第一空间中的多个阀门，每一阀门分别对齐该至少一个气体供应器的相应的一者设置；至少一个出口导管，该出口导管将至少一种工艺气体输送至处理腔室中的一或更多气体输送区；和电控制器，设置于该第一空间且经配置以控制所述多个气体棒和所述多个阀门。
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公开(公告)号：CN106663614A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201580043803.8
申请日：2015-08-26
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/285 , H01L21/768 , H01L21/02 , H01L21/3105 , H01L21/321
Abstract: 一种选择性沉积方法，其相对于电介质表面来将金属选择性地沉积在金属表面。所述方法包括下述步骤：将金属氧化物表面还原成金属表面；和保护电介质表面以最小化所述电介质表面上的沉积。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104718314A
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201380054227.8
申请日：2013-10-23
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 戴维·汤普森 , 斯里尼瓦斯·甘迪科塔 , 吕新亮 , 唐薇 , 周静 , 赛沙德利·甘古利 , 杰弗里·W·安西斯 , 阿蒂夫·努里 , 法鲁克·京格尔 , 吴典晔 , 张镁 , 陈世忠
CPC classification number: C23C16/30 , C23C16/45531 , C23C16/45534
Abstract: 所提供的是包括铝、碳和金属的膜，其中铝的元素含量是大于约16％的量，且碳含量小于约50％。还提供了沉积所述膜的方法。
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公开(公告)号：CN100593235C
公开(公告)日：2010-03-03
申请号：CN200480016336.1
申请日：2004-06-10
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 钟华 , 尼尔玛蕾·麦提 , 吉克·余 , 洛德里克·克莱格·莫斯理 , 张镁
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76844 , H01L21/2855 , H01L21/28562 , H01L21/76805 , H01L21/76846 , H01L21/76862 , H01L21/76871
Abstract: 本发明提供一种在集成处理装置中使用的方法和设备，用于沉积氮化钽钽阻挡层。在通过远程产生的等离子体进行的清洁步骤之后，通过原子层沉积来沉积氮化钽，并且通过PVD来沉积钽。将氮化钽钽从电介质层中的特征的底部被去除，以露出所沉积的氮化钽下方的导电材料。可选地，在去除步骤之后，可以通过物理气相沉积来沉积附加的钽层。可选地，氮化钽沉积和钽沉积可以发生在同一处理室中。最后沉积晶种层。
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公开(公告)号：CN1806325A
公开(公告)日：2006-07-19
申请号：CN200480016336.1
申请日：2004-06-10
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 钟华 , 尼尔玛蕾·麦提 , 吉克·余 , 洛德里克·克莱格·莫斯理 , 张镁
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76844 , H01L21/2855 , H01L21/28562 , H01L21/76805 , H01L21/76846 , H01L21/76862 , H01L21/76871
Abstract: 本发明提供一种在集成处理装置中使用的方法和设备，用于沉积氮化钽阻挡层。在通过远程产生的等离子体进行的清洁步骤之后，通过原子层沉积来沉积氮化钽，并且通过PVD来沉积钽。将氮化钽从电介质层中的特征的底部被去除，以露出所沉积的氮化钽下方的导电材料。可选地，在去除步骤之后，可以通过物理气相沉积来沉积附加的钽层。可选地，氮化钽沉积和钽沉积可以发生在同一处理室中。最后沉积晶种层。
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公开(公告)号：CN113678231B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202080027926.3
申请日：2020-03-02
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 岑羲 , 马飞越 , 吴凯 , 雷雨 , 大东和也 , 徐翼 , 维卡什·班西埃 , 张镁 , 任河 , 雷蒙德·霍曼·洪 , 姚雅宽 , 阿夫耶里诺斯·V·杰拉托斯 , 戴维·T·奥 , 周静 , 蹇国强 , 林志周 , 赖一鸣 , 叶佳 , 王振宇
IPC: H01L21/285 , C23C14/14 , C23C14/34 , C23C14/02 , H01L21/28 , H01L21/306 , H01L21/67 , C23C14/04
Abstract: 本公开内容一般涉及用于处理基板的方法，且更尤其涉及用于形成金属间隙填充物的方法。在一个实施方式中，该方法包括使用多步骤处理在开口中形成金属间隙填充物。多步骤处理包括：形成金属间隙填充物的第一部分，实行溅射处理以在一个或多个侧壁上形成一个或多个层，和使金属间隙填充物的第二部分生长以用金属间隙填充物来填充开口。通过多步骤处理形成的金属间隙填充物是无缝的，且形成在一个或多个侧壁上的一个或多个层密封在金属间隙填充物与侧壁之间的任何间隙或缺陷。由此，在后续处理中利用的流体不会扩散穿过金属间隙填充物。
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