公开(公告)号：CN100593235C

公开(公告)日：2010-03-03

申请号：CN200480016336.1

申请日：2004-06-10

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 钟华 ,  尼尔玛蕾·麦提 ,  吉克·余 ,  洛德里克·克莱格·莫斯理 ,  张镁

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76844 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76862 ,  H01L21/76871

Abstract: 本发明提供一种在集成处理装置中使用的方法和设备，用于沉积氮化钽钽阻挡层。在通过远程产生的等离子体进行的清洁步骤之后，通过原子层沉积来沉积氮化钽，并且通过PVD来沉积钽。将氮化钽钽从电介质层中的特征的底部被去除，以露出所沉积的氮化钽下方的导电材料。可选地，在去除步骤之后，可以通过物理气相沉积来沉积附加的钽层。可选地，氮化钽沉积和钽沉积可以发生在同一处理室中。最后沉积晶种层。

公开(公告)号：CN1806325A

公开(公告)日：2006-07-19

申请号：CN200480016336.1

申请日：2004-06-10

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 钟华 ,  尼尔玛蕾·麦提 ,  吉克·余 ,  洛德里克·克莱格·莫斯理 ,  张镁

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76844 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76862 ,  H01L21/76871

Abstract: 本发明提供一种在集成处理装置中使用的方法和设备，用于沉积氮化钽阻挡层。在通过远程产生的等离子体进行的清洁步骤之后，通过原子层沉积来沉积氮化钽，并且通过PVD来沉积钽。将氮化钽从电介质层中的特征的底部被去除，以露出所沉积的氮化钽下方的导电材料。可选地，在去除步骤之后，可以通过物理气相沉积来沉积附加的钽层。可选地，氮化钽沉积和钽沉积可以发生在同一处理室中。最后沉积晶种层。

公开(公告)号：CN102224574B

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：CN200980147108.0

申请日：2009-11-19

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 王建乐 ,  钟华 ,  陶荣 ,  张宏

IPC: H01L21/288

CPC classification number: H01L21/76877 ,  C25D5/022 ,  C25D5/10 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/321 ,  H01L2221/1063

Abstract: 本发明的实施例大体上是关于处理半导体基板的设备和方法。实施例提供处理基板的方法，包括在内含沟槽或过孔结构的基板上形成种子层、使用有机钝化膜涂覆部分种子层以及将沟槽或过孔结构浸没在电镀液以沉积导电材料至未被有机钝化膜覆盖的种子层上。