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公开(公告)号：CN102224574B
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN200980147108.0
申请日：2009-11-19
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/288
CPC classification number: H01L21/76877 , C25D5/022 , C25D5/10 , H01L21/2885 , H01L21/321 , H01L2221/1063
Abstract: 本发明的实施例大体上是关于处理半导体基板的设备和方法。实施例提供处理基板的方法，包括在内含沟槽或过孔结构的基板上形成种子层、使用有机钝化膜涂覆部分种子层以及将沟槽或过孔结构浸没在电镀液以沉积导电材料至未被有机钝化膜覆盖的种子层上。
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