公开(公告)号：CN100593235C

公开(公告)日：2010-03-03

申请号：CN200480016336.1

申请日：2004-06-10

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 钟华 ,  尼尔玛蕾·麦提 ,  吉克·余 ,  洛德里克·克莱格·莫斯理 ,  张镁

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76844 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76862 ,  H01L21/76871

Abstract: 本发明提供一种在集成处理装置中使用的方法和设备，用于沉积氮化钽钽阻挡层。在通过远程产生的等离子体进行的清洁步骤之后，通过原子层沉积来沉积氮化钽，并且通过PVD来沉积钽。将氮化钽钽从电介质层中的特征的底部被去除，以露出所沉积的氮化钽下方的导电材料。可选地，在去除步骤之后，可以通过物理气相沉积来沉积附加的钽层。可选地，氮化钽沉积和钽沉积可以发生在同一处理室中。最后沉积晶种层。

公开(公告)号：CN1806325A

公开(公告)日：2006-07-19

申请号：CN200480016336.1

申请日：2004-06-10

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 钟华 ,  尼尔玛蕾·麦提 ,  吉克·余 ,  洛德里克·克莱格·莫斯理 ,  张镁

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76844 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76862 ,  H01L21/76871

Abstract: 本发明提供一种在集成处理装置中使用的方法和设备，用于沉积氮化钽阻挡层。在通过远程产生的等离子体进行的清洁步骤之后，通过原子层沉积来沉积氮化钽，并且通过PVD来沉积钽。将氮化钽从电介质层中的特征的底部被去除，以露出所沉积的氮化钽下方的导电材料。可选地，在去除步骤之后，可以通过物理气相沉积来沉积附加的钽层。可选地，氮化钽沉积和钽沉积可以发生在同一处理室中。最后沉积晶种层。