公开(公告)号：CN102074563B

公开(公告)日：2015-07-08

申请号：CN200910178474.4

申请日：2009-10-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 廖英凯 ,  刘汉琦 ,  刘源鸿 ,  杨敦年 ,  刘人诚

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/82 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L27/14629 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76831 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14614 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14683 ,  H01L27/14685 ,  H04N3/155

Abstract: 公开了一种图像感测的系统和方法。一个实施例包括具有像素区域和逻辑区域的衬底。第一抗氧化保护层(RPO)形成在像素区域的上方，但是不在逻辑区域的上方。硅化物接触件形成在像素区域中形成的有源器件的顶部上，但是不在像素区域中的衬底的表面上，并且硅化物接触件形成在有源器件的顶部上和逻辑区域中的衬底的表面上。第二RPO形成在像素区域和逻辑区域的上方，接触蚀刻阻挡层形成在第二RPO的上方。当光从衬底的背面入射到传感器时，这些层有助于将光反射回图像传感器，也有助于防止过蚀刻产生的损害。

公开(公告)号：CN103681597A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310144272.4

申请日：2013-04-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈新瑜 ,  杨固峰 ,  吴采蓉 ,  黄麟智 ,  刘源鸿 ,  吴仓聚 ,  邱文智

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/528 ,  H01L21/76807 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/481 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53266 ,  H01L23/5384 ,  H01L27/0617 ,  H01L2221/1031 ,  H01L2224/13 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了互连结构及方法，其中一种装置包括：形成在衬底的第一侧上的层间介电层、形成在层间介电层上方的包括第一金属线的第一金属化层以及形成在第一金属化层上方的介电层，介电层包括金属结构，该金属结构具有与第一金属线的顶面共面的底面。

公开(公告)号：CN102034843B

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN201010503787.5

申请日：2010-09-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘汉琦 ,  杨敦年 ,  刘人诚 ,  刘源鸿

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14683 ,  H01L21/2652 ,  H01L21/266 ,  H01L21/76232 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/1463

Abstract: 本发明揭示一种半导体装置的制造方法，包括：在一基底上方形成具有一开口的一保护层；通过开口而在一基底区内注入一掺杂物，该保护层保护不同的基底区；以及缩减保护层的厚度。一不同的型态包括：蚀刻一基底，以在其内形成一凹口；通过位于基底上方的一保护层内的一开口，在凹口内的一基底区注入一掺杂物；以及缩减保护层的厚度。另一型态包括：在一基底上形成一保护层；在保护层上方形成具有一开口的光致抗蚀剂；通过开口来蚀刻保护层，以露出基底；蚀刻基底，以在基底内形成一凹口；在一基底部注入一掺杂物，而保护层保护位于其下方一不同的基底部；以及蚀刻保护层以缩减其厚度。本发明使得易于进行掺杂物的注入。

公开(公告)号：CN101355050B

公开(公告)日：2010-09-29

申请号：CN200810132082.X

申请日：2008-07-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘世昌 ,  刘源鸿 ,  蔡嘉雄

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/32137 ,  H01L21/32115 ,  H01L27/11521

Abstract: 本发明涉及一种蚀刻多晶硅材料以避免形成异常多晶硅截面轮廓(profile)的方法，至少包含提供具有字符线(word line)的基板，并在基板及字符在线沉积多晶硅层；接着在多晶硅层上沉积有机底部抗反射层(Bottom AntireflectiveCoating，BARC)；接着执行阶梯式蚀刻以去除底部抗反射层及一部分的多晶硅层。阶梯式蚀刻包含一系列的蚀刻循环，每一循环包含蚀穿(breakthrough etch)与软性着陆蚀刻(soft landing etch)，蚀穿及软性着陆蚀刻是使用不同蚀刻气体、功率(source power)及偏压功率(bias power)、压力、气流速率及时间来执行，阶梯式蚀刻会产生平滑而不具有陡峭台阶(abrupt steps)的多晶硅表面。

公开(公告)号：CN100454551C

公开(公告)日：2009-01-21

申请号：CN200610007677.3

申请日：2006-02-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘源鸿 ,  傅士奇 ,  罗际兴 ,  蔡嘉雄

IPC: H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/423 ,  H01L21/8247 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/42324 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/7881

Abstract: 本发明是有关于一种电流可抹除可程式只读记忆体元件及其制造方法。该电流可抹除可程式只读记忆体的元件，至少包含一浮动闸极电极，该浮动闸极包含一外部边缘部分。其中，该外部边缘部分包含复数电荷转换点的尖锐尖端。该电流可抹除可程式只读记忆体的元件的形成方法，至少包括下列步骤：形成一浮动闸极电极，其中该浮动闸极电极包含一外部边缘部分，该外部边缘部分包含复数电荷转换点的尖锐尖端。本发明可以改善元件的功能、可靠度以及配合记忆体尺寸的缩小所需的制程空间，非常适于实用。

公开(公告)号：CN101330003A

公开(公告)日：2008-12-24

申请号：CN200810085960.7

申请日：2008-06-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴志达 ,  李正德 ,  王从建 ,  林杏莲 ,  王郁仁 ,  杜友伦 ,  徐晨祐 ,  刘源鸿 ,  罗际兴 ,  蔡嘉雄 ,  张舒雯 ,  陈佳麟 ,  蔡明志

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L27/10814 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/40 ,  H01L28/75

Abstract: 本发明涉及一种形成半导体结构的方法，该方法包括形成一底电极，接着在含氧环境中处理该底电极以将底电极的上层部分转化形成缓冲层，再于该缓冲层上形成一绝缘层，然后形成上电极覆盖于绝缘层上。

公开(公告)号：CN1734745A

公开(公告)日：2006-02-15

申请号：CN200510075335.0

申请日：2005-06-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郭景森 ,  许峰嘉 ,  萧国裕 ,  陈界璋 ,  傅士奇 ,  曾建贤 ,  蔡嘉雄 ,  刘源鸿 ,  吴志达 ,  罗际兴 ,  杜友伦

IPC: H01L21/82 ,  H01L27/146 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/14621 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/14687

Abstract: 本发明是关于一种适用于影像感测器的透镜结构及其制造方法。该影像感测器包括双微透镜结构，是具有一外微透镜排列于一内微透镜上方，两微透镜是排列于对应的光感测器上方。可经由硅化法形成内或外微透镜，其中光阻材料的反应性部分是与含硅药剂反应。可通过梯级蚀刻法形成内或外微透镜，梯级蚀刻法包括一系列交替的蚀刻步骤，是包括非等向性蚀刻步骤及造成图案化的光阻侧向地缩减的蚀刻步骤。可使用接续的等向性蚀刻法来平坦化蚀刻过的梯级结构，并且形成平滑的透镜。亦可使用热安定及感光性聚合/有机材料形成永久的内或外透镜。涂覆感光材料，接着使用微影使其图案化，回流，接着熟化，以形成永久的透镜结构。