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公开(公告)号：CN112041480A
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN201980028655.0
申请日：2019-04-09
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本发明的实施例总体上涉及在厚膜沉积期间在等离子体处理腔室中减少电弧的装置。在一个实施例中，当在基板上沉积厚(大于两微米)层时，使用包括比基板的外径大约0.28英寸至约0.38英寸的内径的边缘环。层可以是介电层，诸如碳硬掩模层，例如非晶碳层。由于在厚层的沉积期间，在基板的外边缘和边缘环的内边缘之间的0.14英寸至0.19英寸的间隙，因此在维持层厚度均匀性的同时减少了基板支撑表面的电弧。
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公开(公告)号：CN111919284A
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN201980021152.0
申请日：2019-03-01
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 闵笑全 , P·K·库尔施拉希萨 , K·D·李 , V·K·普拉巴卡尔
IPC: H01L21/033 , H01L21/02 , H05H1/46 , H01J37/32
Abstract: 本文公开了一种用于基板制造的方法和系统。所述方法包括在处置基板之前在腔室中执行第一等离子体增强表面处理，然后，随后，在所述工艺腔室中沉积陈化材料。在所述工艺腔室中沉积多种陈化材料之后，将基板设置在所述腔室中。将所述基板在所述工艺腔室中定位成与所述陈化材料接触。执行基板处理。所述基板处理可包括以下项中的一者或多者：执行第二等离子体增强表面处理、在所述基板上形成阻挡层、或在所述基板上形成金属基硬掩模膜之前执行低频RF处理。所述金属基硬掩模膜包括一种或多种金属。
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公开(公告)号：CN111118477A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911345534.7
申请日：2016-05-16
Applicant: 应用材料公司
Inventor： P·K·库尔施拉希萨 , 段子青 , A·A·哈贾 , Z·J·叶 , A·K·班塞尔
IPC: C23C16/458 , C23C16/36 , C23C16/52 , C23C16/455 , C23C16/50 , H01J37/32 , H01L21/683
Abstract: 公开了赋予掺杂硼的碳膜静电夹持及极佳颗粒性能的渐变原位电荷捕捉层。本发明大体上关于具有渐变组成的处理腔室调整层。在一实施例中，该调整层为硼-碳-氮化物(BCN)膜。该BCN膜在该膜的底部处可具有较高的硼成分。随着该BCN膜被沉积，硼的浓度可能接近零，同时碳及氮的相对浓度提高。可借着在初期使硼前体、碳前体及氮前体一同流入来沉积该BCN膜。经过第一时段之后，可降低硼前体的流动速率。在沉积该调整层期间，可在硼前体的流动速率降低时，施加RF功率以生成等离子体。
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公开(公告)号：CN107075671B
公开(公告)日：2019-09-13
申请号：CN201580053158.8
申请日：2015-09-02
Applicant: 应用材料公司
Inventor： P·K·库尔施拉希萨 , S·拉斯 , P·P·杰哈 , S·巴苏 , K·D·李 , M·J·西蒙斯 , 金柏涵 , G·巴拉苏布拉马尼恩 , Z·段 , 荆雷 , M·B·潘迪特
IPC: C23C16/26 , C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/46 , H01L21/66
Abstract: 一种调节一个或多个图案化膜的局部应力与覆盖误差的方法可包括调节引入腔室主体的气体的气体流动轮廓、使腔室主体内的气体流向基板、旋转基板，及通过利用双区加热器控制基板温度来统一基板的中心至边缘温度轮廓。用于沉积膜的腔室可包括包含一个或多个处理区的腔室主体。腔室主体可包括气体分配组件，气体分配组件具有挡板以用于输送气体至一个或多个处理区。挡板具有第一区域与第二区域，第一区域与第二区域各具多个孔洞。腔室主体可具有双区加热器。
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公开(公告)号：CN108140545A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201680056619.1
申请日：2016-08-11
Applicant: 应用材料公司
Inventor： P·K·库尔施拉希萨 , 段子青 , K·T·纳拉辛哈 , K·D·李 , 金柏涵
CPC classification number: H01L21/0338 , C23C16/32 , C23C16/505 , H01L21/02112 , H01L21/02274 , H01L21/0332 , H01L21/0335 , H01L21/0337 , H01L21/3065
Abstract: 本公开的实施例大体而言涉及集成电路制造。更具体而言，本文所述实施例提供用于在基板上沉积硼-碳膜的技术。在一实施例中，提供处理基板的方法。方法包含使含烃气体混合物流动至具有基板定位于内的处理腔室的处理容积，其中基板经加热达约400℃至约700℃的基板温度；使含硼气体混合物流动至处理容积；及在处理容积内产生RF等离子体，以于加热基板上沉积硼-碳膜，其中硼-碳膜具有约200GPa至约400GPa的弹性模量和约-100MPa至约100MPa的应力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107636197A
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201680029154.0
申请日：2016-05-16
Applicant: 应用材料公司
Inventor： P·K·库尔施拉希萨 , 段子青 , A·A·哈贾 , Z·J·叶 , A·K·班塞尔
IPC: C23C16/02 , C23C16/34 , C23C16/36 , C23C16/44 , C23C16/458 , C23C16/509 , H01J37/32 , H01L21/683
Abstract: 本发明大体上关于具有渐变组成的处理腔室调整层。在一实施例中，该调整层为硼-碳-氮化物(BCN)膜。该BCN膜在该膜的底部处可具有较高的硼成分。随着该BCN膜被沉积，硼的浓度可能接近零，同时碳及氮的相对浓度提高。可借着在初期使硼前体、碳前体及氮前体一同流入来沉积该BCN膜。经过第一时段之后，可降低硼前体的流动速率。在沉积该调整层期间，可在硼前体的流动速率降低时，施加RF功率以生成等离子体。
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公开(公告)号：CN112041967B
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN201980028076.6
申请日：2019-03-21
Applicant: 应用材料公司
Inventor： B·S·权 , P·K·库尔施拉希萨 , K·D·李 , B·阿夫扎尔 , S·哈 , V·K·普拉巴卡尔 , V·卡尔塞卡尔 , S·托卡奇丘 , 爱德华四世·P·哈蒙德
IPC: H01L21/02 , H01L21/324 , H01L21/311 , H01L21/033
Abstract: 在一个或多个实施例中，一种用于通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)来沉积碳硬掩模材料的方法包括：将容纳在工艺腔室内的基板加热到在从约100℃至约700℃的范围内的温度；以及用发出大于3kW的RF功率的功率发生器产生等离子体。在一些示例中，温度在从约300℃至约700℃的范围内，并且RF功率大于3kW至约7kW。方法还包括使烃前驱物流动到工艺腔室内的等离子体中，并且以大于5000/min(诸如高达约10000/min或更快)的速率在基板上形成碳硬掩模层。
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公开(公告)号：CN113748227B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202080030601.0
申请日：2020-04-14
Applicant: 应用材料公司
Inventor： S·M·博贝克 , V·S·C·帕里米 , P·K·库尔施拉希萨 , K·D·李
IPC: C23C16/517 , C23C16/505 , C23C16/503 , C23C16/458 , C23C16/455 , H01L21/683
Abstract: 本文描述的一个或多个实施例总体上涉及用于将基板吸附到半导体处理系统中所使用的静电吸盘和从静电吸盘将基板解吸附的方法。通常，在本文所述的实施例中，所述方法包括：(1)将来自直流(DC)功率源的第一电压施加至设置在基座内的电极；(2)将工艺气体导入工艺腔室；(3)从射频(RF)功率源施加功率至喷头；(4)在基板上执行处理；(5)停止施加RF功率；(6)从工艺腔室移除工艺气体；以及(7)停止施加DC功率。
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公开(公告)号：CN117858975A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202280057451.1
申请日：2022-06-28
Applicant: 应用材料公司
Inventor： V·蔡 , P·K·库尔施拉希萨 , 蒋志钧 , 阮芳 , D·凯德拉亚
IPC: C23C16/44
Abstract: 示例性半导体处理方法可包括形成含氟前驱物的等离子体。方法可包括在半导体处理腔室的处理区域中执行腔室清洁。处理区域可被至少部分地限定在面板与基板支撑件之间。方法可包括在腔室清洁期间产生氟化铝。方法可包括使处理区域内的表面与含碳前驱物接触。方法可包括使氟化铝从处理区域的表面挥发。
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公开(公告)号：CN108369921B
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN201680072132.2
申请日：2016-12-05
Applicant: 应用材料公司
Inventor： Z·J·叶 , 塙广二 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 , P·曼纳 , M·W·蒋 , A·高 , 王文佼 , 林永景 , P·K·库尔施拉希萨 , 韩新海 , 金柏涵 , K·D·李 , K·T·纳拉辛哈 , 段子青 , D·帕德希
IPC: H01L21/683 , H05H1/46 , H01J49/10 , H01L21/687
Abstract: 公开对于静电夹盘的方法与设备的技术，此静电夹盘适合在高操作温度下操作。在一个示例中，提供一种基板支撑组件。基板支撑组件包含实质上碟形的陶瓷主体，陶瓷主体具有上表面、圆柱侧壁以及下表面。上表面经配置以支撑基板于上表面上，以在真空处理腔室中处理基板。圆柱侧壁界定陶瓷主体的外直径。下表面与上表面相对地设置。电极被设置在陶瓷主体中。电路被电连接至电极。电路包含DC夹紧电路、第一RF驱
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