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公开(公告)号：CN102615446B
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201110460651.5
申请日：2011-12-31
Applicant: 富士通株式会社
IPC: B23K35/26 , H05K3/34 , H01L23/488
CPC classification number: H05K3/3463 , B23K35/0244 , B23K35/262 , B23K35/264 , B23K2101/36 , B23K2101/40 , C22C12/00 , C22C13/00 , C22C30/04 , C22C30/06 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L2224/13099 , H01L2224/13111 , H01L2224/13113 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/16506 , H01L2224/81065 , H01L2224/81097 , H01L2224/81192 , H01L2224/81211 , H01L2224/81805 , H01L2224/81815 , H01L2924/00013 , H01L2924/01006 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01051 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/15311 , Y10T428/12708 , H01L2924/01083 , H01L2924/0105 , H01L2224/13599 , H01L2224/05599 , H01L2224/05099 , H01L2224/29099 , H01L2224/29599
Abstract: 本发明提供一种焊料、焊接方法和半导体器件，所述焊料包含：Sn（锡）；45wt%至65wt%的Bi（铋）；0.01wt%至0.1wt%的Zn（锌），和0.3wt%至0.8wt%的Sb（锑）。
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公开(公告)号：CN103212776A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201210495330.3
申请日：2012-11-28
Applicant: 富士通株式会社
IPC: B23K20/00 , B23K20/24 , B23K20/26 , H01L21/603 , H01L23/488 , H01R4/00 , H01R43/00
CPC classification number: H01L21/76254 , B23K20/026 , B23K20/24 , B23K20/26 , B23K2101/42 , G21K5/02 , H01L21/2686 , H01L21/32134 , H01L21/67017 , H01L21/67069 , H01L21/67092 , H01L21/67115 , H01L21/67144 , H01L23/488 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/75 , H01L24/81 , H01L2224/11462 , H01L2224/118 , H01L2224/1182 , H01L2224/1184 , H01L2224/11845 , H01L2224/13082 , H01L2224/13111 , H01L2224/13147 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/16501 , H01L2224/75102 , H01L2224/7525 , H01L2224/75251 , H01L2224/757 , H01L2224/7598 , H01L2224/81002 , H01L2224/8101 , H01L2224/81013 , H01L2224/81014 , H01L2224/8102 , H01L2224/81031 , H01L2224/81047 , H01L2224/81054 , H01L2224/81075 , H01L2224/8109 , H01L2224/81097 , H01L2224/81193 , H01L2224/81203 , H01L2224/8122 , H01L2224/818 , H01L2224/8183 , H01L2224/81907 , H01L2224/81986 , H01L2224/83192 , H01L2224/9211 , H01L2224/97 , H01L2924/01029 , H01L2924/20105 , H01L2924/20108 , H01L2924/2021 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2224/81 , H01L2224/83
Abstract: 本发明提供一种电子器件、制造方法和电子器件制造装置。根据本公开内容，所述制造方法包括：使第一电子元件的第一电极的顶表面暴露于有机酸，利用紫外光照射第一电极的暴露于有机酸的顶表面，以及通过对第一电极和第二电子元件的第二电极进行加热和相互压制来接合第一电极和第二电极。
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公开(公告)号：CN103178037A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201210429510.1
申请日：2012-10-31
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L23/488 , H01L23/498 , H05K1/11
CPC classification number: H01L24/16 , H01L23/49811 , H01L23/49838 , H01L23/49866 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L2224/0401 , H01L2224/05023 , H01L2224/05147 , H01L2224/05564 , H01L2224/05568 , H01L2224/05639 , H01L2224/13023 , H01L2224/13111 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/16238 , H01L2224/16503 , H01L2224/16505 , H01L2924/00014 , H05K3/3436 , H01L2924/01047 , H01L2924/00012 , H01L2924/01029 , H01L2924/0105 , H01L2224/05552
Abstract: 本发明提供电子部件和电子装置。所述电子部件的连接端子的表面上覆盖有由AgSn合金制成的保护层。电子部件焊接到电路板的连接端子。
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公开(公告)号：CN102693914A
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN201210050652.7
申请日：2012-02-29
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L21/335
CPC classification number: H01L24/81 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/75 , H01L2224/11013 , H01L2224/1184 , H01L2224/13111 , H01L2224/13124 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/16225 , H01L2224/16245 , H01L2224/75101 , H01L2224/81065 , H01L2224/81075 , H01L2224/81191 , H01L2224/81193 , H01L2224/81203 , H01L2224/8183 , H01L2224/83192 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/0105 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/13064 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种制造半导体器件的方法，包括：通过对半导体元件的第一电极的表面进行处理来形成包括晶体的第一层；通过对该半导体元件安装在其上的安装元件的第二电极的表面进行处理来形成包括晶体的第二层；在第一温度下对在第一层上或第一层中存在的第一氧化膜以及在第二层上或第二层中存在的第二氧化膜进行还原，第一温度低于在第一电极中包含的第一金属以固态进行扩散的第二温度且低于在第二电极中包含的第二金属以固态发生扩散的第三温度；以及通过固相扩散将第一层和第二层彼此接合。
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公开(公告)号：CN102651351A
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN201210016429.0
申请日：2012-01-18
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L23/31 , H01L23/29 , H01L29/778 , H01L21/56
CPC classification number: H01L29/7787 , H01L23/3107 , H01L23/4952 , H01L23/49562 , H01L24/06 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/85 , H01L29/41766 , H01L29/66462 , H01L2224/04042 , H01L2224/05553 , H01L2224/05554 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/0603 , H01L2224/45014 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/48472 , H01L2224/48599 , H01L2224/48699 , H01L2224/49 , H01L2224/8592 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01049 , H01L2924/01073 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/10329 , H01L2924/1033 , H01L2924/10344 , H01L2924/1306 , H01L2924/13064 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供一种半导体器件，其包括：具有电极的半导体芯片；与所述电极对应的引线；将所述电极耦接到所述引线的金属线；覆盖所述金属线与所述电极之间的耦接部分以及所述金属线与所述引线之间的耦接部分的第一树脂部分；和覆盖所述金属线、所述第一树脂部分和所述半导体芯片的第二树脂部分。本发明还提供一种制造半导体器件的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103178037B
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201210429510.1
申请日：2012-10-31
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L23/488 , H01L23/498 , H05K1/11
CPC classification number: H01L24/16 , H01L23/49811 , H01L23/49838 , H01L23/49866 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L2224/0401 , H01L2224/05023 , H01L2224/05147 , H01L2224/05564 , H01L2224/05568 , H01L2224/05639 , H01L2224/13023 , H01L2224/13111 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/16238 , H01L2224/16503 , H01L2224/16505 , H01L2924/00014 , H05K3/3436 , H01L2924/01047 , H01L2924/00012 , H01L2924/01029 , H01L2924/0105 , H01L2224/05552
Abstract: 本发明提供电子部件和电子装置。所述电子部件的连接端子的表面上覆盖有由AgSn合金制成的保护层。电子部件焊接到电路板的连接端子。
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公开(公告)号：CN102637650B
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201210026467.4
申请日：2012-02-07
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L23/29 , H01L23/31 , H01L29/778 , H01L21/56 , H01L21/335 , H02M7/217 , H02M3/155
Abstract: 本发明涉及一种半导体装置、一种用于制造半导体装置的方法以及一种电源。本发明的半导体装置包括：半导体芯片，包括氮化物半导体分层结构，该氮化物半导体分层结构包括载流子输运层和载流子供给层；覆盖在半导体芯片的表面上的第一树脂层，该第一树脂层包括偶联剂；覆盖在第一树脂层的表面上的第二树脂层，该第二树脂层包括表面活性剂；以及密封树脂层，用于利用第一树脂层和第二树脂层对半导体芯片进行密封。
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公开(公告)号：CN102651334A
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN201210028789.2
申请日：2012-02-09
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L21/335 , H01L23/538 , H01L29/778 , H03F1/32
CPC classification number: H03F1/3247 , H01L21/4825 , H01L23/49524 , H01L23/49558 , H01L23/49562 , H01L24/36 , H01L24/40 , H01L24/84 , H01L2224/40245 , H01L2224/83801 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/0104 , H01L2924/01047 , H01L2924/01072 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/10329 , H01L2924/12032 , H01L2924/1306 , H01L2924/13064 , H01L2924/181 , H03F3/189 , H03F3/24 , H03F2200/204 , H03F2200/451 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/37099 , H01L2224/84
Abstract: 本发明提供一种半导体装置、用于制造半导体装置的方法和电子电路。该用于制造半导体装置的方法包括：将包括连接导电膜的密封层放置在表面上，使得连接导电膜与半导体元件的电极和引线相接触；通过连接导电膜使所述电极与所述引线电耦接；以及通过密封层密封所述半导体元件。
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公开(公告)号：CN102646609A
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN201210031859.X
申请日：2012-02-13
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L21/60 , H01L21/335 , H01L23/488 , H01L29/778 , H02M7/217 , H02M3/155
CPC classification number: H01L23/48 , H01L23/3128 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L2224/04026 , H01L2224/05005 , H01L2224/05082 , H01L2224/05155 , H01L2224/05166 , H01L2224/05169 , H01L2224/05541 , H01L2224/05573 , H01L2224/05644 , H01L2224/0603 , H01L2224/26175 , H01L2224/2745 , H01L2224/2746 , H01L2224/29019 , H01L2224/29036 , H01L2224/29109 , H01L2224/29111 , H01L2224/29113 , H01L2224/2912 , H01L2224/29139 , H01L2224/29144 , H01L2224/29147 , H01L2224/29155 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/29339 , H01L2224/29499 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/325 , H01L2224/32502 , H01L2224/32506 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48245 , H01L2224/48247 , H01L2224/48644 , H01L2224/48744 , H01L2224/4903 , H01L2224/73265 , H01L2224/83193 , H01L2224/83194 , H01L2224/83801 , H01L2224/83851 , H01L2924/00013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01322 , H01L2924/13064 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2224/83439 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/0132 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/0665 , H01L2224/13099 , H01L2224/13599 , H01L2224/05599 , H01L2224/05099 , H01L2224/29099 , H01L2224/29599 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及半导体器件、半导体器件的制造方法、以及电源器件。一种制造半导体器件的方法，包括：在支撑板的半导体芯片安装区域和半导体芯片的背表面中的一个上形成具有第一金属的层和具有第二金属的层中的一个；在半导体芯片安装区域和半导体芯片的背表面中的另一个的与其中具有第一金属的层和具有第二金属的层中的一个的区域的一部分对应的区域上，形成具有第一金属的层和具有第二金属的层中的另一个；以及在半导体芯片安装区域中定位半导体芯片之后，形成包括具有第一金属和第二金属的合金的层以将半导体芯片与半导体芯片安装区域接合。
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公开(公告)号：CN1287648C
公开(公告)日：2006-11-29
申请号：CN02147178.9
申请日：2002-10-28
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: H05K3/321 , H01L21/563 , H01L24/11 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/1147 , H01L2224/1148 , H01L2224/13099 , H01L2224/16225 , H01L2224/29011 , H01L2224/29111 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/73103 , H01L2224/73104 , H01L2224/73203 , H01L2224/73204 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01016 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01084 , H01L2924/0132 , H01L2924/014 , H01L2924/12042 , H01L2924/15787 , H05K3/3436 , H05K3/3473 , H05K3/3484 , H05K2201/0209 , H05K2201/10977 , H05K2203/043 , H05K2203/054 , H05K2203/0568 , H01L2924/00 , H01L2924/01083 , H01L2224/13111 , H01L2924/00014 , H01L2924/3512 , H01L2924/00012
Abstract: 一种形成电极间粘合结构的方法，包括步骤：树脂涂层形成在有第一电极部分的第一粘接物上，使树脂涂层覆盖第一电极部分。然后，在树脂涂层中形成开口以暴露第一电极部分。然后，在开口中填充含金属和树脂组分的金属膏。然后，第一粘接物放置在有第二电极部分的第二粘接物上，使开口中填充的金属膏面向第二电极部分，而树脂涂层接触第二粘接物。最后，利用加热处理，在使树脂涂层硬化的同时，它使第一粘接物与第二粘接物之间通过金属互相电路连接。
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