公开(公告)号：CN107017206B

公开(公告)日：2020-06-23

申请号：CN201710061113.6

申请日：2017-01-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林国楹 ,  蔡腾群 ,  林柏裕

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: 本揭露内容的方法包含提供一半导体基板，其具有第一和第二区域，分别地掺杂第一和第二掺杂物。第一和第二掺杂物为相反的型式。此方法更进一步地包含磊晶成长第一半导体层，其掺杂第三掺杂物。第一和第三掺杂物为相反的型式。此方法更进一步地包含在第一半导体层上沉积介电硬罩(HM)层；将介电硬罩层上图案化，以在第一区域上形成开口；朝半导体基板延伸此开口；在此开口中磊晶成长第二半导体层。第二半导体层掺杂第四掺杂物。第一和第四掺杂物为相同型态。此方法更进一步地包含移除介电硬罩层；以及执行第一化学机械平坦化制程，以将第一和第二半导体二者皆平坦化。

公开(公告)号：CN103943487B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201310150945.7

申请日：2013-04-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林国楹 ,  潘婉君 ,  张翔笔 ,  蔡腾群 ,  陈继元

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3105

CPC classification number: H01L29/66666 ,  H01L29/66795

Abstract: 公开了半导体区的生长中的化学机械抛光。一种方法包括执行第一平坦化步骤以去除半导体区位于隔离区上方的部分。第一平坦化步骤具有第一选择性，第一选择性是半导体区的第一去除速率与隔离区的第二去除速率的比值。在暴露隔离区之后，对隔离区和半导体区位于隔离区之间的一部分执行第二平坦化步骤。第二平坦化步骤具有低于第一选择性的第二选择性，第二选择性是半导体区的该部分的第三去除速率与隔离区的第四去除速率的比值。

公开(公告)号：CN103915345B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201310100068.2

申请日：2013-03-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈继元 ,  蔡腾群 ,  林国楹 ,  潘婉君 ,  张翔笔 ,  朱熙甯 ,  陈彦友 ,  栾洪发 ,  江国诚

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/78 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/42356 ,  H01L29/16 ,  H01L29/20 ,  H01L29/24 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7855

Abstract: 公开了半导体器件及其制造方法。在一些实施例中，一种制造半导体器件的方法包括部分地制造鳍式场效应晶体管(FinFET)，该FinFET包括具有第一半导电材料和设置在第一半导电材料上方的第二半导电材料的半导体鳍。去除半导体鳍的第二半导电材料的顶部，并且暴露第一半导电材料的顶部。从第二半导电材料的下方去除第一半导电材料的顶部。氧化第一半导电材料和第二半导电材料，在第一半导电材料上形成具有第一厚度的第一氧化物和在第二半导电材料上形成具有第二厚度的第二氧化物，第一厚度大于第二厚度。从第二半导电材料去除第二氧化物，以及完成FinFET的制造。

公开(公告)号：CN103909474A

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：CN201310084294.6

申请日：2013-03-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林国楹 ,  蔡腾群 ,  潘婉君 ,  张翔笔 ,  陈继元

IPC: B24B53/017

CPC classification number: B24B55/00 ,  B08B3/02 ,  B24B53/017

Abstract: 本发明提供了一种CMP站清洁系统和方法。一个实施例包括化学机械抛光(CMP)站，该CMP站包括用于覆盖CMP站不同部件的壳体单元。CMP站进一步包括浆料臂防护罩、浆料喷嘴、衬垫调节臂防护罩、压板防护罩、和载体头的不同表面；以及壳体单元的内部和垂直表面。将清洁液传送系统配置成作为定期向CMP站的不同表面配给清洁液。

公开(公告)号：CN1251306C

公开(公告)日：2006-04-12

申请号：CN02149043.0

申请日：2002-11-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴志远 ,  林国楹 ,  蔡嘉雄

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/31 ,  C23C16/14

Abstract: 一种增加原子层沉积速率的方法。首先，提供一基底于一原子层沉积反应室中，通过第一反应气体入口导入第一反应气体，使第一反应气体化学吸附于基底上；然后，导入惰性气体来吹净原子层沉积反应室内部，但仍残留部分第一反应气体于原子层沉积反应室中；接着，通过第二反应气体入口导入第二反应气体，使第二反应气体与吸附于基底上的第一反应气体产生化学反应，并且同时地第二反应气体与残留于原子层沉积反应室内部的第一反应气体产生化学反应，因而形成一化合物层于基底上；之后，导入惰性气体来吹净原子层沉积反应室内部，但仍残留部分第二反应气体于原子层沉积反应室中。

公开(公告)号：CN1677621A

公开(公告)日：2005-10-05

申请号：CN200410091236.7

申请日：2004-11-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴志达 ,  林国楹 ,  黄宗勋 ,  喻中一 ,  赵兰璘 ,  杜友伦 ,  林杏莲 ,  蔡嘉雄

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/44 ,  H01L21/3205 ,  H01G4/005

CPC classification number: H01L28/60 ,  H01L23/5223 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种在金属－绝缘体－金属(metal－insulator－metal，MIM)电容器制造中制作电极的方法。本方法通过在金属－绝缘体－金属电容制作中，在将上电极沉积在介电层上期间防止电浆伤害介电层，以及缩减或防止介电层与一电极或多个电极间的界面层的生成，来改善金属－绝缘体－金属电容的性能。本方法一般包括：图案化衬底，以在衬底中形成冠状的电容开口；在每一冠状开口中沉积下电极；对下电极进行快速热处理(RTP)或炉内退火步骤；将介电层沉积在退火后的下电极上；利用无电浆化学气相沉积(CVD)或原子层沉积(ALD)过程将上电极沉积在介电层上；以及图案化每一个金属－绝缘体－金属电容的上电极。

公开(公告)号：CN109860052A

公开(公告)日：2019-06-07

申请号：CN201811234219.2

申请日：2018-10-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李胜男 ,  林国楹 ,  苏品全 ,  蔡腾群

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/02

Abstract: 一种鳍式场效晶体管装置的制造方法。在此鳍式场效晶体管装置的制造方法中，首先，蚀刻晶圆的半导体基材以形成至少一鳍。然后，形成绝缘结构于此至少一鳍的周围。接着，凹陷此至少一鳍。接下来，磊晶地成长磊晶通道结构于凹陷的此至少一鳍上。然后，除去绝缘结构的顶表面上的磊晶通道结构的部分。接着，在除去磊晶通道结构的前述部分后，进行非接触式清洗作业以清洗晶圆的顶表面。接下来，在除去磊晶通道结构的前述部分后，使用氟化氢清洗该晶圆的顶表面。然后，凹陷绝缘结构，以致于磊晶通道结构自凹陷的绝缘结构突伸。

公开(公告)号：CN105017973B

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201410327603.2

申请日：2014-07-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林国楹 ,  刘文贵 ,  蔡腾群 ,  李胜男 ,  连国成 ,  林长生 ,  周有伟

IPC: C09G1/18 ,  C09G1/02 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明提供了一种用于实施化学机械抛光(CMP)工艺的方法，该方法包括对衬底上的硬化的流体材料的表面应用CMP浆料溶液，该溶液包括用于改变硬化的流体材料的表面上的键结构的添加剂。该方法进一步包括使用抛光头抛光硬化的流体材料的表面。本发明还涉及用于硬化的流体材料的CMP浆料溶液。

公开(公告)号：CN107017206A

公开(公告)日：2017-08-04

申请号：CN201710061113.6

申请日：2017-01-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林国楹 ,  蔡腾群 ,  林柏裕

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L29/7849 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/845 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7851 ,  H01L21/823821 ,  H01L27/0924

Abstract: 本揭露内容的方法包含提供一半导体基板，其具有第一和第二区域，分别地掺杂第一和第二掺杂物。第一和第二掺杂物为相反的型式。此方法更进一步地包含磊晶成长第一半导体层，其掺杂第三掺杂物。第一和第三掺杂物为相反的型式。此方法更进一步地包含在第一半导体层上沉积介电硬罩(HM)层；将介电硬罩层上图案化，以在第一区域上形成开口；朝半导体基板延伸此开口；在此开口中磊晶成长第二半导体层。第二半导体层掺杂第四掺杂物。第一和第四掺杂物为相同型态。此方法更进一步地包含移除介电硬罩层；以及执行第一化学机械平坦化制程，以将第一和第二半导体二者皆平坦化。

公开(公告)号：CN104916583A

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201410239159.9

申请日：2014-05-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘文贵 ,  蔡腾群 ,  林国楹 ,  李胜男 ,  周有伟 ,  连国成 ,  林长生 ,  洪志昌 ,  卢永诚

IPC: H01L21/77 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/31055 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/28123 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/845 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795

Abstract: 一种IC器件制造工艺实现了材料的平坦凹进，该材料初始在衬底上的高度变化。方法包括：形成底部抗反射涂层(BARC)，烘烤以在BARC中引发交联，CMP以去除BARC的第一部分并形成平坦表面，然后等离子体蚀刻以实现BARC的平坦凹进。等离子体蚀刻可以在BARC和凹进的材料之间具有低选择性，从而使BARC和材料同时凹进。去除特定高度之上的任何材料。可以保护基本上位于特定高度下方的结构不受污染并保持完整。当使用的磨料在CMP期间与BARC形成醚键时，该方法可以特别有效。本发明涉及用于平坦凹进或去除可变高度层的BARC辅助工艺。