公开(公告)号：CN1503326A

公开(公告)日：2004-06-09

申请号：CN02149043.0

申请日：2002-11-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴志远 ,  林国楹 ,  蔡嘉雄

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/31 ,  C23C16/14

Abstract: 一种增加原子层沉积速率的方法。首先，提供一基底于一原子层沉积反应室中，通过第一反应气体入口导入第一反应气体，使第一反应气体化学吸附于基底上；然后，导入惰性气体来吹净原子层沉积反应室内部，但仍残留部分第一反应气体于原子层沉积反应室中；接着，通过第二反应气体入口导入第二反应气体，使第二反应气体与吸附于基底上的第一反应气体产生化学反应，并且同时地第二反应气体与残留的第一反应气体产生化学反应，因而形成一化合物层于基底上；之后，导入惰性气体来吹净原子层沉积反应室内部，但仍残留部分第二反应气体于原子层沉积反应室中。

公开(公告)号：CN1251306C

公开(公告)日：2006-04-12

申请号：CN02149043.0

申请日：2002-11-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴志远 ,  林国楹 ,  蔡嘉雄

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/31 ,  C23C16/14

Abstract: 一种增加原子层沉积速率的方法。首先，提供一基底于一原子层沉积反应室中，通过第一反应气体入口导入第一反应气体，使第一反应气体化学吸附于基底上；然后，导入惰性气体来吹净原子层沉积反应室内部，但仍残留部分第一反应气体于原子层沉积反应室中；接着，通过第二反应气体入口导入第二反应气体，使第二反应气体与吸附于基底上的第一反应气体产生化学反应，并且同时地第二反应气体与残留于原子层沉积反应室内部的第一反应气体产生化学反应，因而形成一化合物层于基底上；之后，导入惰性气体来吹净原子层沉积反应室内部，但仍残留部分第二反应气体于原子层沉积反应室中。