公开(公告)号：CN103456750B

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201210514992.0

申请日：2012-12-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈思莹 ,  万孟勋 ,  王子睿 ,  杨敦年 ,  刘人诚

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/378

CPC classification number: H01L25/50 ,  H01L21/76898 ,  H01L25/18 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14685 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及了一种器件，包括位于其中的图像传感器的第一芯片，以及与该第一芯片相接合的第二芯片。第二芯片包括从基本上由复位晶体管、选择器、行选择器及其组合构成的组中选出来的逻辑器件。该逻辑器件和图像传感器相互电连接，并且是相同的像素单元的部分。本发明还提供了一种具有高占空因数的图像传感器。

公开(公告)号：CN103383947B

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201310022694.4

申请日：2013-01-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈思莹 ,  高敏峰 ,  刘人诚 ,  洪丰基 ,  杨敦年

IPC: H01L27/146

Abstract: 形成图像传感器器件的方法包括在衬底的像素区域中形成隔离阱。该隔离阱具有第一导电类型。在隔离阱的上方的衬底上形成有栅叠层。掩模层形成在隔离阱的上方并且覆盖栅叠层的至少大部分。使用栅叠层和掩模层作为掩模，将多种掺杂物注入像素区域中，以形成掺杂隔离部件。该多种掺杂物具有第一导电类型。在衬底中形成位于栅叠层的相对侧的源极区域和漏极区域。源极区域和漏极区域的第二导电类型与第一导电类型相反。本发明还提供了图像装置及其形成方法。

公开(公告)号：CN103715211B

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201310119867.4

申请日：2013-04-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 高敏峰 ,  杨敦年 ,  刘人诚 ,  许慈轩 ,  王文德 ,  许文义

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/761

CPC classification number: H01L27/1463 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/2652 ,  H01L21/76 ,  H01L21/76237 ,  H01L27/146 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14689 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/78

Abstract: 注入隔离器件及其方法。一种器件包括半导体衬底和从半导体衬底的顶面延伸到半导体衬底中且围绕有源区域的注入隔离区域。栅极电介质设置在半导体衬底的有源区域上方并且延伸到注入隔离区域上方。栅电极设置在栅极电介质上方，两个端部覆盖硬掩模位于注入隔离区域上方在栅极电介质和栅电极之间。两个端部覆盖硬掩模包含与被注入到有源区域中的掺杂物相同的掺杂物。

公开(公告)号：CN102790058B

公开(公告)日：2016-01-13

申请号：CN201210005717.6

申请日：2012-01-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡双吉 ,  杨敦年 ,  刘人诚 ,  林政贤 ,  王文德 ,  林月秋

IPC: H01L27/146 ,  H01L29/40

CPC classification number: H01L23/5226 ,  H01L21/76898 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14689 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体器件，包括：器件衬底，具有正面和背面。该半导体器件还包括互连结构，设置在器件衬底的正面上，互连结构具有n层金属层。该半导体器件还包括接合焊盘，设置在器件衬底的背面上，该接合焊盘延伸穿过互连结构，并且直接接触n层金属层的第n层金属层。本发明还提供一种带有接合焊盘的半导体器件及其制造方法。

公开(公告)号：CN102637701B

公开(公告)日：2015-12-02

申请号：CN201110218302.2

申请日：2011-08-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈思莹 ,  陈保同 ,  杨敦年 ,  刘人诚

IPC: H01L27/146 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L27/1464 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/1461 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本公开提供一种图像传感器器件和形成图像传感器器件的方法。在实例中，图像传感器元件包括具有前表面和后表面的衬底；设置在衬底的前表面上的传感器元件，传感器元件可操作性地感应投射到衬底的后表面上的辐射；和设置在衬底的后表面上的透明导电层，透明导电层至少部分地覆盖传感器元件。将透明导电层设置成与传感器元件的底部电连接。

公开(公告)号：CN102074563B

公开(公告)日：2015-07-08

申请号：CN200910178474.4

申请日：2009-10-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 廖英凯 ,  刘汉琦 ,  刘源鸿 ,  杨敦年 ,  刘人诚

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/82 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L27/14629 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76831 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14614 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14683 ,  H01L27/14685 ,  H04N3/155

Abstract: 公开了一种图像感测的系统和方法。一个实施例包括具有像素区域和逻辑区域的衬底。第一抗氧化保护层(RPO)形成在像素区域的上方，但是不在逻辑区域的上方。硅化物接触件形成在像素区域中形成的有源器件的顶部上，但是不在像素区域中的衬底的表面上，并且硅化物接触件形成在有源器件的顶部上和逻辑区域中的衬底的表面上。第二RPO形成在像素区域和逻辑区域的上方，接触蚀刻阻挡层形成在第二RPO的上方。当光从衬底的背面入射到传感器时，这些层有助于将光反射回图像传感器，也有助于防止过蚀刻产生的损害。

公开(公告)号：CN104659042A

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：CN201410319891.7

申请日：2014-07-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 许文义 ,  洪丰基 ,  莊俊杰 ,  杨敦年 ,  刘人诚

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/1464 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14689

Abstract: 本发明提供了形成具有外延隔离部件的图像传感器器件的结构。提供了形成图像传感器器件的结构的实施例。图像传感器器件包括具有正面和背面的衬底。图像传感器还包括形成在衬底中的辐射感测区域。辐射感测区域可用于感测通过背面进入衬底的入射光。辐射感测区域进一步包括形成在衬底中并且邻近于辐射感测区域的外延隔离部件。辐射感测区域和外延隔离部件具有不同的掺杂极性。

公开(公告)号：CN104282702A

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN201410295594.3

申请日：2014-06-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 高敏峰 ,  杨敦年 ,  刘人诚 ,  许慈轩 ,  陈思莹 ,  徐伟诚 ,  曾晓晖

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/1463 ,  H01L27/1443 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14683 ,  H01L27/14687 ,  H01L31/102 ,  H01L31/18

Abstract: 一种器件包括在半导体衬底内形成的器件隔离区域，器件隔离区域具有用于光敏器件的间隙；在衬底上方形成的伪栅极结构，伪栅极结构包括部分地环绕器件隔离区域内形成的掺杂的拾取区域的至少一个结构；以及连接至掺杂的拾取区域的通孔。本发明涉及器件隔离区域内的拾取器件结构。

公开(公告)号：CN104051419A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201310463691.4

申请日：2013-10-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡纾婷 ,  林政贤 ,  杨敦年 ,  刘人诚 ,  洪丰基 ,  黄志辉 ,  陈升照 ,  周世培 ,  林佳洁

IPC: H01L23/528 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明公开了一种堆叠式集成电路（IC）器件及方法。该堆叠式IC器件包括第一半导体元件。第一半导体元件包括第一衬底、第一衬底中的介电块以及形成在第一衬底上方的第一金属间介电层中的多个第一导电部件。该堆叠式IC器件还包括接合至第一半导体元件上的第二半导体元件。第二半导体元件包括第二衬底以及形成在第二衬底上方的第二金属间介电层中的多个第二导电部件。该堆叠式IC器件还包括连接在第一导电部件和第二导电部件之间的导电深互连插塞。导电深互连插塞通过介电块、第一金属间介电层和第二金属间介电层隔离。本发明还公开了用于堆叠式器件的互连结构。

公开(公告)号：CN104051288A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201310485415.8

申请日：2013-10-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘丙寅 ,  刘人诚 ,  陈晓萌 ,  黄信华 ,  林宏桦 ,  赵兰璘 ,  蔡嘉雄

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L24/80 ,  H01L21/187 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/038 ,  H01L2224/03845 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/08112 ,  H01L2224/08121 ,  H01L2224/08147 ,  H01L2224/80986 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/351 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/80801 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/053 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

Abstract: 公开一种用于混合晶圆接合的方法。在一个实施例中，公开了一种方法，包括：在至少两个半导体衬底之上的介电层中形成金属焊盘层；对半导体衬底执行化学机械抛光，以暴露金属焊盘层的表面，并且平坦化介电层，以在每个半导体衬底上形成接合表面；对至少两个半导体衬底执行氧化工艺，以氧化金属焊盘层，形成金属氧化物；执行蚀刻以去除金属氧化物，使金属焊盘层的表面从至少两个半导体衬底中的每个的介电层的接合表面凹陷；使至少两个半导体衬底的接合表面在物理上接触；以及执行热退火，以在半导体衬底的金属焊盘之间形成接合。公开了附加方法。