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公开(公告)号：CN115244213A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202180019623.1
申请日：2021-02-17
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/40 , C23C16/30 , C23C16/505 , H01L21/02
Abstract: 形成含硅和碳材料的示例性方法可包括：将含硅和碳前驱物流入半导体处理腔室的处理区域内。基板可容置于半导体处理腔室的处理区域内。所述方法可包括：在处理区域内形成含硅和碳前驱物的等离子体。可在高于15MHz的频率下形成等离子体。所述方法可包括：将含硅和碳材料沉积于基板上。所沉积的含硅和碳材料的特征在于：低于或约3.0的介电常数。
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公开(公告)号：CN114830322A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202080088027.4
申请日：2020-12-15
Applicant: 应用材料公司
Inventor： M·S·K·穆蒂亚拉 , S·卡玛斯 , D·帕德希
IPC: H01L21/683 , H02N13/00 , C23C16/458
Abstract: 示例性的半导体处理腔室可包含底座，底座包含平台，平台被配置为跨平台的表面支撑半导体基板。腔室可包括第一导电网，第一导电网结合在平台内并且构造成用作第一吸附网。第一导电网可以跨平台径向延伸。腔室可包括第二导电网，第二导电网结合在平台内并且构造成用作第二吸附网。第二导电网的特征可在于环形。第二导电网可设置在第一导电网和平台的表面之间。
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公开(公告)号：CN114424325A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202080067068.5
申请日：2020-08-06
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 韩新海 , H·俞 , 胡可嵩 , K·恩斯洛 , 尾方正树 , 王文佼 , C·Y·王 , 杨传曦 , J·马赫 , P·L·梁 , Q·E·中 , A·杰恩 , N·拉贾戈帕兰 , D·帕德希 , S·李
IPC: H01L21/316 , H01L21/318 , H01L27/11524 , H01L27/11551 , H01L27/1157 , H01L27/11578
Abstract: 形成半导体结构的示例性方法可包含由含硅前驱物和含氧前驱物形成氧化硅层。该方法可包含由含硅前驱物、含氮前驱物和含氧前驱物形成氮化硅层。氮化硅层的特征可在于氧浓度大于或约为5原子％。该方法还可包含重复形成氧化硅层和形成氮化硅层以产生氧化硅与氮化硅的交替层的堆叠。
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公开(公告)号：CN114342060A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202080062434.8
申请日：2020-07-22
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/683 , H01L21/687 , H01J37/32 , H01L21/67
Abstract: 示例性支撑组件可包括限定基板支撑表面的静电吸盘主体。所述组件可包括与静电吸盘主体耦接的支撑杆。所述组件可包括嵌入在静电吸盘主体内的加热器。所述组件还可包括在加热器与基板支撑表面之间嵌入静电吸盘主体内的电极。基板支撑组件可由在大于500℃或约为500℃的温度下和在大于600V或约为600V的电压下通过静电吸盘主体的小于4mA或约为4mA的泄漏电流来表征。
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公开(公告)号：CN113939896A
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202080041895.7
申请日：2020-06-08
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/3215 , H01L21/768
Abstract: 公开了一种形成具有阻挡性质的低k介电层的方法。所述方法包括通过PECVD形成掺杂有硼、氮或磷中的一者或多者的介电层。一些实施例的掺杂剂气体可在沉积期间与其他反应物共同流动。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113474484A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202080016080.3
申请日：2020-01-21
Applicant: 应用材料公司
Inventor： S·卡玛斯 , D·帕德希 , A·R·巴曼 , M·S·K·穆蒂亚拉
IPC: C23C16/455 , C23C16/40 , C23C16/505 , H01J37/32
Abstract: 此处所述的实施例涉及具有多通道分离器线轴的气体管线系统。在这些实施例中，气体管线系统将包括配置成供应第一气体的第一气体管线。第一气体管线通过在其中流动第一气体的多个第二气体管线耦合至多通道分离器线轴。多个第二气体管线中的各个气体管线将具有比第一气体管线的空间要小的空间。较小的第二气体管线将通过加热器护套包覆。由于第二气体管线的较小的空间，当第一气体流动通过第二气体管线时，加热器护套将充分加热第一气体，从而在第一气体在气体管线系统中与第二气体相遇时，消除在常规气体管线系统中发生的凝结引发的粒子缺陷。
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公开(公告)号：CN110235248A
公开(公告)日：2019-09-13
申请号：CN201880009550.6
申请日：2018-04-20
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L27/11556 , H01L27/11524 , H01L27/11529 , H01L25/065
Abstract: 本文所述的实施例大体涉及制造用于存储器器件(诸如NAND器件)的3D存储器单元的氧化物/多晶硅(OP)堆叠的方法。所述方法通常包括在PECVD工艺期间用前驱物处理所述氧化物和/或多晶硅材料，以降低所述氧化物的介电常数并降低所述多晶硅的电阻率。在一个实施例中，用八甲基环四硅氧烷(OMCTS)前驱物处理所述氧化物材料。在另一个实施例中，将锗烷(GeH4)引入PECVD工艺以形成具有掺杂剂的SixGe(1-x)膜。在又一个实施例中，使用等离子体处理工艺来氮化所述OP堆叠的层之间的界面。所述前驱物和等离子体处理可以单独地使用或以任何组合使用，以产生具有低介电常数氧化物和低电阻率多晶硅的OP堆叠。
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公开(公告)号：CN109643639A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201780052875.8
申请日：2017-09-05
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02
Abstract: 本文描述的实施方式总体涉及集成电路的制造，具体地涉及在半导体基板上沉积硼掺杂的非晶硅层。在一个实施方式中，提供一种在基板上形成硼掺杂的非晶硅层的方法。所述方法包括在基板上沉积预定厚度的牺牲电介质层；通过去除所述牺牲电介质层的部分以暴露所述基板的上表面而在所述基板上形成图案化特征；在所述图案化特征和所述基板的暴露上表面上保形地沉积预定厚度的硼掺杂的非晶硅层；以及使用各向异性蚀刻工艺从所述图案化特征的上表面和所述基板的所述上表面选择性地去除所述硼掺杂的非晶硅层，以提供填充在由所述硼掺杂的非晶硅层形成的侧壁间隔件内的所述图案化特征。
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公开(公告)号：CN107667415A
公开(公告)日：2018-02-06
申请号：CN201680030126.0
申请日：2016-04-28
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/027 , H01L21/033 , H01L21/3105 , H01L21/311
CPC classification number: H01L21/0337 , H01L21/02115 , H01L21/02118 , H01L21/02266 , H01L21/02274 , H01L21/0273 , H01L21/31058 , H01L21/31138 , H01L2221/00
Abstract: 本公开的实施例涉及在形成于光刻胶或硬掩模中的特征上方沉积保形有机材料，以减少临界尺寸及线边缘粗糙度。在各种实施例中，超保形碳基材料沉积在形成于高分辨率光刻胶中的特征上方。形成于光刻胶上方的保形有机层由此缩减特征的临界尺寸及线边缘粗糙度。
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公开(公告)号：CN103210480A
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：CN201180045061.4
申请日：2011-09-30
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/312
CPC classification number: H01L21/64 , C23C16/0272 , C23C16/26 , H01L21/02115 , H01L21/02274 , H01L21/31144
Abstract: 本发明的实施例大体上关于集成电路的制造，并且尤其关于含硼非晶碳层在半导体基板上的沉积。在一实施例中，提供一种在处理腔室中处理基板的方法。此方法包含：在处理空间中提供基板；使含碳氢化合物气体混合物流动到处理空间内；通过从RF源施加功率来产生含碳氢化合物气体混合物的等离子体；使含硼气体混合物流动到处理空间内；及在等离子体的存在下，在基板上沉积含硼非晶碳膜，其中含硼非晶碳膜含有原子百分比为约30至约60的硼。
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