公开(公告)号：CN110235248B

公开(公告)日：2024-03-26

申请号：CN201880009550.6

申请日：2018-04-20

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 韩新海 ,  K·S·伊姆 ,  Z·江 ,  D·帕德希

IPC: H10B41/27 ,  H10B41/35 ,  H10B41/41 ,  H01L25/065

Abstract: 本文所述的实施例大体涉及制造用于存储器器件(诸如NAND器件)的3D存储器单元的氧化物/多晶硅(OP)堆叠的方法。所述方法通常包括在PECVD工艺期间用前驱物处理所述氧化物和/或多晶硅材料，以降低所述氧化物的介电常数并降低所述多晶硅的电阻率。在一个实施例中，用八甲基环四硅氧烷(OMCTS)前驱物处理所述氧化物材料。在另一个实施例中，将锗烷(GeH4)引入PECVD工艺以形成具有掺杂剂的SixGe(1‑x)膜。在又一个实施例中，使用等离子体处理工艺来氮化所述OP堆叠的层之间的界面。所述前驱物和等离子体处理可以单独地使用或以任何组合使用，以产生具有低介电常数氧化物和低电阻率多晶硅的OP堆叠。

公开(公告)号：CN110235248A

公开(公告)日：2019-09-13

申请号：CN201880009550.6

申请日：2018-04-20

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 韩新海 ,  K·S·伊姆 ,  Z·江 ,  D·帕德希

IPC: H01L27/11556 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11529 ,  H01L25/065

Abstract: 本文所述的实施例大体涉及制造用于存储器器件(诸如NAND器件)的3D存储器单元的氧化物/多晶硅(OP)堆叠的方法。所述方法通常包括在PECVD工艺期间用前驱物处理所述氧化物和/或多晶硅材料，以降低所述氧化物的介电常数并降低所述多晶硅的电阻率。在一个实施例中，用八甲基环四硅氧烷(OMCTS)前驱物处理所述氧化物材料。在另一个实施例中，将锗烷(GeH4)引入PECVD工艺以形成具有掺杂剂的SixGe(1-x)膜。在又一个实施例中，使用等离子体处理工艺来氮化所述OP堆叠的层之间的界面。所述前驱物和等离子体处理可以单独地使用或以任何组合使用，以产生具有低介电常数氧化物和低电阻率多晶硅的OP堆叠。