公开(公告)号：CN106098664A

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201610408852.3

申请日：2016-06-12

Applicant: 华天科技(昆山)电子有限公司

Inventor： 翟玲玲 ,  于大全

IPC: H01L23/485 ,  H01L23/31 ,  H01L21/60 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2224/83 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L24/27 ,  H01L24/30 ,  H01L2224/301 ,  H01L2224/30104

Abstract: 本发明公开了一种埋入式半导体芯片扇出型封装结构及其制作方法。该封装结构包括半导体基板、芯片。芯片的正面设置有若干导电垫，半导体基板开设有容纳槽，芯片收容在容纳槽内且正面朝外。每个导电垫上长有金属柱，且金属柱高于半导体基板的上表面。容纳槽与芯片之间的间隙、上表面及金属柱的四周由绝缘层填充或包覆。所有金属柱顶面均连接一条金属重布线，至少有一条金属重布线延伸至芯片的表面之外。本发明通过在芯片上长金属柱，并用聚合物材料覆盖住芯片及金属柱，再使用平坦化工艺，将芯片的金属柱露出，保证封装体表面的平整度；同时凹槽的尺寸范围可扩大。本发明还公开了该埋入式半导体芯片扇出型封装结构的制作方法。

公开(公告)号：CN106057690A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201610202072.3

申请日：2016-04-01

Applicant: 贺利氏德国有限及两合公司

Inventor： 迈克尔·舍费尔 ,  沃尔夫冈·施密特 ,  安德列亚斯·欣里希 ,  玛丽亚·伊莎贝尔·巴雷拉-马林

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/488

CPC classification number: H01L23/49513 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/75 ,  H01L24/83 ,  H01L24/95 ,  H01L24/97 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2224/27312 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/27334 ,  H01L2224/27418 ,  H01L2224/27848 ,  H01L2224/29007 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32014 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/75272 ,  H01L2224/75745 ,  H01L2224/83001 ,  H01L2224/83007 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83201 ,  H01L2224/8321 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/83907 ,  H01L2224/95 ,  H01L2224/97 ,  H05K3/303 ,  H05K2203/1131 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0781 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/2957

Abstract: 本发明提供了基板结构及其制造法、电子部件及其与基板结构的结合法。一种制造用于与电子部件(50；51)结合的基板结构(10、10')的方法，包括以下步骤：制备具有第一面(22)与第二面(23)的基板(20)，特别是DCB基板或PCB基板或引线框架；将初始固定剂(30)施加至基板(20)的第一面(22)的一些部分上。

公开(公告)号：CN103515447B

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201310238283.9

申请日：2013-06-17

Applicant: 耐智亚有限公司

Inventor： 埃德温·泰杰森 ,  斯文·沃尔兹克 ,  洛尔夫·安科·约科伯·格罗恩休斯 ,  吕迪格·韦伯 ,  智·文·提

IPC: H01L29/861 ,  H01L23/528 ,  H01L21/329 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/48 ,  H01L21/50 ,  H01L23/60 ,  H01L23/62 ,  H01L24/05 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L29/36 ,  H01L29/402 ,  H01L29/8611 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/26145 ,  H01L2224/27013 ,  H01L2224/29116 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/4007 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40247 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/83051 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0781 ,  H01L2924/07811 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1304 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明涉及一种电子器件(200)，用于防止高功率应用中的瞬变电压。所述电子器件(200)包括：i)半导体衬底(220)，包括具有至少两个端子(T1，T2)的有源元件(Dd)；ii)导电焊盘(225)，设置在所述衬底(220)上，并且电耦接至所述端子(T1，T2)之一；iii)导电互连材料(226)，设置在导电焊盘(225)上；iv)第一导电部件(230)，经由导电互连材料(226)电耦接至导电焊盘(225)。所述电子器件还包括：沿导电焊盘(225)的外围设置的壁(229)，用于在导电焊盘(225)上形成互连材料(226)的横向约束。本发明还涉及一种制造这种电子器件的方法。所提出的发明提供了针对两种问题的解决方案：a)当使用铅焊料时(由于焊料限制)有限的互连覆盖；以及b)当使用无铅材料时(由于政府限制)的限制。

公开(公告)号：CN103534795B

公开(公告)日：2016-09-21

申请号：CN201280022991.2

申请日：2012-08-13

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 中牟田雄 ,  松本昌弘 ,  稻垣贵之 ,  平松大典 ,  谷典明

IPC: H01L21/60 ,  C23C14/06 ,  C23C14/34

CPC classification number: C23C14/165 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/41 ,  H01L24/74 ,  H01L24/741 ,  H01L24/743 ,  H01L24/77 ,  H01L24/83 ,  H01L24/84 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/04034 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/2745 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/32013 ,  H01L2224/32106 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32503 ,  H01L2224/37124 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/37565 ,  H01L2224/37655 ,  H01L2224/40499 ,  H01L2224/40507 ,  H01L2224/4051 ,  H01L2224/4052 ,  H01L2224/4111 ,  H01L2224/74 ,  H01L2224/741 ,  H01L2224/83002 ,  H01L2224/83011 ,  H01L2224/8302 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83455 ,  H01L2224/8381 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/84002 ,  H01L2224/84011 ,  H01L2224/8402 ,  H01L2224/8481 ,  H01L2224/84815 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2224/743 ,  H01L2224/404 ,  H01L2224/77

Abstract: 本发明的部件的制造方法，其至少依次具备如下工序：工序A1，使用一侧的面由镍形成的基板，在所述一侧的面上通过溅射法形成以锡为主成分的合金膜；工序A3，在所述合金膜上，载置至少与所述合金膜的接触部位由铜和被镍包覆的铝中的任一个构成的部件；和工序A4，为了分别接合所述基板与所述合金膜之间以及所述合金膜与所述部件之间，实施热处理，在所述工序A1中，在减压气氛的空间内，对置阴极电极和阳极电极，在所述基板的所述一侧的面上形成所述合金膜时，向所述阴极电极施加DC电压，其中，所述阴极电极设有以锡为主成分的合金靶，所述设有所述基板。

公开(公告)号：CN103858225B

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201280047506.7

申请日：2012-09-20

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： D·米歇尔斯 ,  S·格林

IPC: H01L23/495 ,  H01L21/48 ,  H01L23/31 ,  B24C1/00

CPC classification number: H01L24/27 ,  B24C1/06 ,  B24C11/00 ,  H01L21/565 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3142 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/49586 ,  H01L24/33 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/26175 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/4847 ,  H01L2224/83047 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明涉及一种用于在至少一个基础件(2)和至少一个第一构件(3)之间建立钎焊连接的方法，所述方法包括以下步骤：提供所述基础件(2)；利用SACO喷射介质局部地喷射所述基础件(2)的表面，使得存在被SACO喷射的区域(20)和不被喷射的定位区域(40)，其中所述SACO喷射介质的喷射物(50)具有硅酸盐覆层(52)；以及将至少第一构件(3)钎焊在所述不被喷射的定位区域(40)上；其中，所述被SACO喷射的区域(20)用作钎焊终止部。

公开(公告)号：CN105899630A

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201480072328.2

申请日：2014-12-26

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 菅生悠树 ,  大西谦司

IPC: C09J7/00 ,  C09J9/02 ,  C09J11/04 ,  C09J11/06 ,  C09J133/00 ,  C09J161/10 ,  C09J163/00 ,  C09J163/02 ,  H01L21/52

CPC classification number: C09J133/00 ,  C08K7/04 ,  C08K2201/001 ,  C08K2201/016 ,  C08L61/06 ,  C09D163/00 ,  C09J7/10 ,  C09J9/02 ,  C09J11/04 ,  C09J2201/602 ,  C09J2203/326 ,  C09J2205/102 ,  C09J2433/00 ,  C09J2461/00 ,  C09J2463/00 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L24/92 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2224/85203 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/07811 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/0635 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/066 ,  H01L2924/20103 ,  H01L2924/20104 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/00 ,  C08L1/00

Abstract: 本发明提供能够缓解由膨胀的差别引起的应力的膜状胶粘剂、带有膜状胶粘剂的切割带、半导体装置的制造方法。本发明提供一种热固化型的膜状胶粘剂，其含有丙烯酸类树脂、环氧树脂及导电性粒子，导电性粒子含有纵横比为5以上的片状粒子，导电性粒子100重量％中的片状粒子的含量为5重量％～100重量％，热固化后的150℃的储能模量为5MPa～100MPa。

公开(公告)号：CN103140917B

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201180047744.3

申请日：2011-09-21

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 田中俊平 ,  松村健

IPC: H01L21/301 ,  H01L21/52

CPC classification number: H01L21/78 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/3121 ,  H01L24/27 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L2221/68336 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/85207 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3025 ,  Y10T428/24331 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供可以防止切割薄膜屈服、断裂并且可以利用拉伸张力将芯片接合薄膜适当地断裂的切割/芯片接合薄膜。本发明的切割/芯片接合薄膜中，切割薄膜的上推夹具的外周所接触的接触部在25℃下的拉伸强度为15N以上且80N以下，并且屈服点伸长度为80%以上，切割薄膜的晶片粘贴部在25℃下的拉伸强度为10N以上且70N以下，并且屈服点伸长度为30%以上，[(接触部的拉伸强度)?(晶片粘贴部的拉伸强度)]为0N以上且60N以下，芯片接合薄膜在25℃下的断裂伸长率大于40%且为500%以下。

公开(公告)号：CN105870077A

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201610204671.9

申请日：2016-04-01

Applicant: 江苏长电科技股份有限公司

Inventor： 张江华 ,  梁新夫

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L2224/11 ,  H01L23/31 ,  H01L21/50 ,  H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L24/27 ,  H01L24/28 ,  H01L2224/28105

Abstract: 本发明涉及一种埋孔型表面声滤波芯片封装结构及其制造方法，所述结构包括表面声滤波芯片晶圆（1），所述表面声滤波芯片晶圆（1）表面包括电极区域（1.1）和感应区域（1.2），所述电极区域（1.1）表面设置有第一金属层（2），所述表面声滤波芯片晶圆（1）上方设置有贴合晶圆（4），所述贴合晶圆（4）与感应区域（1.2）之间形成空腔（7），所述贴合晶圆（4）在电极区域（1.1）位置处设置有开孔（8），所述开孔（8）内填充有导电胶或电镀金属（9），所述导电胶或电镀金属（9）表面设置有金属球（6）。本发明一种埋孔型表面声滤波芯片封装结构及其制造方法，它能提供一种更小面积和体积的表面声滤波器件，具有更低的制造成本。

公开(公告)号：CN105810601A

公开(公告)日：2016-07-27

申请号：CN201610242938.3

申请日：2016-04-19

Applicant: 南通富士通微电子股份有限公司

Inventor： 刘建宏

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/488

CPC classification number: H01L2224/11 ,  H01L24/11 ,  H01L24/03 ,  H01L24/06 ,  H01L24/27 ,  H01L24/30 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/03013 ,  H01L2224/10126 ,  H01L2224/11013 ,  H01L2224/27013

Abstract: 本发明提供了一种半导体芯片封装结构及其制作方法。该方法包括：在半导体基底上形成间隔设置的多个电极；形成覆盖半导体基底和电极的溅射导电层；在电极之外的溅射导电层上形成绝缘保护层，其中，绝缘保护层包括分别设置于每个电极的两侧的第一绝缘保护块和第二绝缘保护块；在第一绝缘保护块和第二绝缘保护块之间的溅射导电层上依次形成金属层和焊锡层；刻蚀第一绝缘保护块和第二绝缘保护块之外的溅射导电层。通过上述方式，本发明能够避免溅射导电层和金属层之间出现底切缺陷，增大了溅射导电层和金属层的接触面积以及避免了焊锡注入溅射导电层形成介金属化合物，进而提高了半导体芯片封装结构的稳定性和可靠性。

公开(公告)号：CN105778815A

公开(公告)日：2016-07-20

申请号：CN201610149536.9

申请日：2008-10-29

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 小岛和良 ,  小林宏治 ,  有福征宏 ,  望月日臣

IPC: C09J9/02 ,  H05K1/14 ,  H05K3/32 ,  H01L21/60 ,  H01R11/01

CPC classification number: H01R4/04 ,  C08K9/02 ,  C09J9/02 ,  C09J11/00 ,  H01L24/05 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/05671 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/2939 ,  H01L2224/29391 ,  H01L2224/29439 ,  H01L2224/29447 ,  H01L2224/29455 ,  H01L2224/32148 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/07811 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01R11/01 ,  H01R13/03 ,  H05K3/323 ,  H05K3/361 ,  H05K2201/0221 ,  H05K2201/0233 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512 ,  H01L24/80 ,  H05K1/14 ,  H05K3/321 ,  H05K2201/10621

Abstract: 本发明涉及电路部件的连接结构和电路部件的连接方法。所述电路部件的连接结构具备：形成有电路电极且所述电路电极被相对配置的2个电路部件；和介于所述电路部件之间，通过加热加压而将所述电路电极电连接的电路连接部件，所述电路连接部件为电路连接材料的固化物，所述电路连接材料含有粘接剂组合物和导电粒子，所述导电粒子具备由有机高分子化合物形成的核体以及被覆该核体的金属层，所述金属层具有向着导电粒子的外侧突起的突起部，所述金属层由镍或者镍合金构成，所述核体的平均粒径为2.5～3.5μm，所述金属层的厚度为75～100nm，在所述电路连接材料所含有的导电粒子的突起部的内侧部分，金属层陷入核体。