Invention Grant
CN103140917B 切割/芯片接合薄膜以及半导体装置制造方法
失效 - 权利终止
- Patent Title: 切割/芯片接合薄膜以及半导体装置制造方法
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Application No.: CN201180047744.3Application Date: 2011-09-21
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Publication No.: CN103140917BPublication Date: 2016-08-24
- Inventor: 田中俊平 , 松村健
- Applicant: 日东电工株式会社
- Applicant Address: 日本大阪
- Assignee: 日东电工株式会社
- Current Assignee: 日东电工株式会社
- Current Assignee Address: 日本大阪
- Agency: 中原信达知识产权代理有限责任公司
- Agent 王海川; 穆德骏
- Priority: 2010-224082 2010.10.01 JP
- International Application: PCT/JP2011/071500 2011.09.21
- International Announcement: WO2012/043340 JA 2012.04.05
- Date entered country: 2013-04-01
- Main IPC: H01L21/301
- IPC: H01L21/301 ; H01L21/52

Abstract:
本发明提供可以防止切割薄膜屈服、断裂并且可以利用拉伸张力将芯片接合薄膜适当地断裂的切割/芯片接合薄膜。本发明的切割/芯片接合薄膜中,切割薄膜的上推夹具的外周所接触的接触部在25℃下的拉伸强度为15N以上且80N以下,并且屈服点伸长度为80%以上,切割薄膜的晶片粘贴部在25℃下的拉伸强度为10N以上且70N以下,并且屈服点伸长度为30%以上,[(接触部的拉伸强度)?(晶片粘贴部的拉伸强度)]为0N以上且60N以下,芯片接合薄膜在25℃下的断裂伸长率大于40%且为500%以下。
Public/Granted literature
- CN103140917A 切割/芯片接合薄膜以及半导体装置制造方法 Public/Granted day:2013-06-05
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