公开(公告)号：CN108695175B

公开(公告)日：2020-06-26

申请号：CN201711157377.8

申请日：2017-11-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  林咏淇 ,  邱文智

IPC: H01L21/60

Abstract: 本发明实施例提供一种半导体结构的制造方法包括将衬底贴合到载体；使第一半导体封装的第一表面上的外部连接件对准衬底的背对所述载体的第一表面上的第一导电接垫；以及执行回流工艺，其中衬底与载体之间的热膨胀系数(CTE)差异使得在回流工艺期间衬底的第一表面为第一形状，其中第一半导体封装的各材料的热膨胀系数差异使得在回流工艺期间第一半导体封装的第一表面为第二形状，且其中第一形状实质上匹配所述第二形状。所述方法进一步包括在回流工艺之后，从衬底移除载体。

公开(公告)号：CN110911373A

公开(公告)日：2020-03-24

申请号：CN201811357620.5

申请日：2018-11-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 廖佑广 ,  蔡承竣 ,  余振华 ,  陈方正 ,  邱文智 ,  巫秉融

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/482 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明实施例提供一种封装结构。所述封装结构包括多个第一管芯以及绝缘包封体。所述多个第一管芯各自包括具有弯曲型图案的第一波导路径的第一波导层，其中所述多个第一管芯的所述第一波导层彼此光学耦合以形成光路。所述绝缘包封体包封所述多个第一管芯。

公开(公告)号：CN110060982A

公开(公告)日：2019-07-26

申请号：CN201811623947.2

申请日：2013-04-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张俊华 ,  郑心圃 ,  叶德强 ,  侯上勇 ,  邱文智

IPC: H01L23/64 ,  H01L23/498

Abstract: 公开了设计用于诸如中介片的衬底的电容器及其制造方法。在一个实施例中，在通孔和底层金属层之间形成电容器。例如，电容器可以是形成在衬底上或衬底上方形成的介电层上的平面电容器。

公开(公告)号：CN109860066A

公开(公告)日：2019-06-07

申请号：CN201810495733.5

申请日：2018-05-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡延佐 ,  廖鄂斌 ,  田馥纲 ,  陈佳吟 ,  邱文智 ,  薛仰志

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/66 ,  H01L21/02

Abstract: 一种用于接合半导体装置的方法和设备。在实施例中，所述方法可包含：将第一管芯附接到倒装模块的倒装头，使用倒装模块倒装第一管芯，在倒装第一管芯之后从倒装模块去除第一管芯，在去除第一管芯之后检查倒装模块的倒装头是否污染，在检查倒装头之后使用就地清洁模块来清洁倒装头，以及在清洁倒装头之后将第二管芯附接到倒装头。

公开(公告)号：CN109560038A

公开(公告)日：2019-04-02

申请号：CN201811259296.3

申请日：2013-04-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈新瑜 ,  杨固峰 ,  吴采蓉 ,  黄麟智 ,  刘源鸿 ,  吴仓聚 ,  邱文智

IPC: H01L21/762 ,  H01L23/522 ,  H01L21/308

Abstract: 本发明公开了互连结构及方法，其中一种装置包括：形成在衬底的第一侧上的层间介电层、形成在层间介电层上方的包括第一金属线的第一金属化层以及形成在第一金属化层上方的介电层，介电层包括金属结构，该金属结构具有与第一金属线的顶面共面的底面。

公开(公告)号：CN105514073B

公开(公告)日：2018-06-22

申请号：CN201510621969.5

申请日：2015-09-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 罗晓筠 ,  林咏淇 ,  薛仰志 ,  吴仓聚 ,  邱文智

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/48 ,  H01L23/538 ,  H01L21/768 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/481 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/76847 ,  H01L21/7685 ,  H01L21/76885 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/525 ,  H01L23/53214 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/53242 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L29/43 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/03616 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/04073 ,  H01L2224/05005 ,  H01L2224/05018 ,  H01L2224/05023 ,  H01L2224/05025 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05157 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/0518 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05541 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/0558 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/0568 ,  H01L2224/05681 ,  H01L2224/1131 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明公开了一种互连结构和用于提供互连结构的方法，该互连结构包括具有减小的形貌变化的导电部件。互连结构包括设置在衬底上方的接触焊盘。接触焊盘包括第一导电材料的第一层和位于第一层上方的第二导电材料的第二层。第一导电材料和第二导电材料由基本相同的材料制成并且具有第一平均晶粒尺寸和第二平均晶粒尺寸，第二平均晶粒尺寸小于第一平均晶粒尺寸。互连结构还包括覆盖衬底和接触焊盘的钝化层，并且钝化层具有暴露出接触焊盘的开口。本发明还涉及具有限制层的互连结构。

公开(公告)号：CN107039249A

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201610919590.7

申请日：2016-10-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  吴仓聚 ,  邱文智

IPC: H01L21/18 ,  H01L25/07 ,  H01L23/525

Abstract: 本发明实施例公开了分割和接合方法以及由此形成的结构。方法包括分割第一芯片，以及在分割第一芯片之后，接合第一芯片至第二芯片。第一芯片包括第一半导体衬底和位于第一半导体衬底的正面上的第一互连结构。分割第一芯片包括通过第一半导体衬底的背面蚀刻穿过第一互连结构。

公开(公告)号：CN106711097A

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201610737866.X

申请日：2016-08-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  邱文智

IPC: H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L23/48 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L23/5386 ,  H01L21/02263 ,  H01L21/31051 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/291 ,  H01L23/293 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/19 ,  H01L25/0655 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2924/18162

Abstract: 本发明的实施例提供了芯片封装件的结构和形成方法。该芯片封装件包括半导体管芯和部分地或全部地包封半导体管芯的封装层。该芯片封装件还包括位于半导体管芯和封装层上方的聚合物层。该芯片封装件还包括聚合物层上方的介电层。介电层基本由半导体氧化物材料制成。此外，该芯片封装件包括位于介电层中的电连接至半导体管芯的导电焊盘的导电部件。

公开(公告)号：CN106486466A

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201610649598.6

申请日：2016-08-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑光伟 ,  陈怡秀 ,  杨固峰 ,  邱文智

IPC: H01L25/065 ,  H01L23/48 ,  H01L21/98 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L25/50 ,  H01L21/48 ,  H01L23/522 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5386 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/11 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06544 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481

Abstract: 本发明公开了一种三维集成电路结构和及其制造方法。三维集成电路结构包括第一芯片和第二芯片。第一芯片在接合界面处接合至第二芯片。第一芯片的通孔和第二芯片的接合焊盘电连接，并且通孔的扩散阻挡层在接合界面处接触接合焊盘。本发明实施例涉及三维集成电路结构及其制造方法。

公开(公告)号：CN103681549B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201210539996.4

申请日：2012-12-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林咏淇 ,  陈新瑜 ,  黄麟智 ,  吴仓聚 ,  邱文智

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/528 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/481 ,  H01L23/525 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53252 ,  H01L23/53266 ,  H01L23/53271 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L27/088 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种装置包括形成在衬底中的通孔。通孔耦合在衬底的第一侧和第二侧之间。通孔包括紧邻衬底的第二侧的底部，其中，底部由导电材料形成。通孔进一步包括由导电材料形成的侧壁部和形成在侧壁部之间的中部，其中，中部由介电材料形成。本发明还提供了通孔结构及方法。