公开(公告)号：CN107910285A

公开(公告)日：2018-04-13

申请号：CN201711424643.9

申请日：2017-12-25

申请人： 新阳硅密(上海)半导体技术有限公司

发明人： 刘现营

IPC分类号： H01L21/67

CPC分类号： H01L21/67017 ,  H01L21/6715

摘要： 本发明公开了一种流体流量调节装置及流体输送设备。本发明提供一种流体流量调节装置。所述流体流量调节装置包括支撑件、保持板及抵接件。所述保持板设置在所述支撑件上，所述保持板用于支撑流体传输装置。所述抵接件设置在所述支撑件上，并与所述保持板正对设置；所述抵接件相对于所述保持板可靠近及远离地设置，以挤压及松开流体传输装置。本发明流体流量调节装置结构精简且便利于操作。

公开(公告)号：CN107799439A

公开(公告)日：2018-03-13

申请号：CN201710756122.7

申请日：2017-08-29

申请人： 株式会社斯库林集团

发明人： 日野出大辉 ,  藤井定 ,  武明励

IPC分类号： H01L21/67

CPC分类号： H01L21/02052 ,  B08B3/08 ,  B08B7/0071 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/67 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67028

摘要： 一种基板处理方法，包括：将基板保持为水平的基板保持工序；将比水的表面张力更低的低表面张力液体供给至被保持为水平的基板的上表面，形成低表面张力液体的液膜的液膜形成工序；在液膜的中央区域形成开口的开口形成工序；通过将开口扩大而将液膜从被保持为水平的基板的上表面排除的液膜排除工序；向设定在开口的外侧的第一着液点，供给比水的表面张力更低的低表面张力液体的低表面张力液体供给工序；向设定在开口的外侧且比第一着液点更远离开口的第二着液点，供给使被保持为水平的基板的上表面疎水化的疏水化剂的疏水化剂供给工序；以及使第一着液点和第二着液点追随开口的扩大而移动的着液点移动的工序。

公开(公告)号：CN105280523B

公开(公告)日：2018-03-13

申请号：CN201510284646.1

申请日：2015-05-28

申请人： 细美事有限公司

发明人： 金奉主 ,  李昇浩 ,  崔龙贤 ,  姜秉万

IPC分类号： H01L21/67

CPC分类号： H01L21/6708 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67109

摘要： 本发明构思提供一种用于处理基板的设备。所述设备包括壳体，所述壳体在其内具有处理空间；支撑单元，所述支撑单元在所述处理空间中支撑所述基板；喷嘴单元，所述喷嘴单元将溶液排放到由所述支撑单元支撑的所述基板上；以及溶液供应单元，所述溶液供应单元将所述溶液供应至所述喷嘴单元。所述溶液供应单元包括溶液供应管线，所述溶液供应管线连接至所述喷嘴单元；加热构件，所述加热构件安装在所述溶液供应管线上以加热所述溶液；以及回收管线，所述回收管线在设置于所述加热构件下游的第一点处从所述溶液供应管线分出。

公开(公告)号：CN104347349B

公开(公告)日：2018-03-09

申请号：CN201310471415.2

申请日：2013-10-10

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 陈升照 ,  黄志辉 ,  杜友伦 ,  吴政达 ,  蔡嘉雄 ,  陈晓萌

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/60 ,  H01L21/67

CPC分类号： H01L21/67207 ,  H01L21/02041 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/02334 ,  H01L21/187 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67196 ,  H01L21/68707 ,  H01L33/0079 ,  Y10S438/906

摘要： 本发明提供了用于清洗用来混合接合的半导体晶圆表面的机制的实施例。一种用于清洗用来混合接合的半导体晶圆的表面方法包括：提供半导体晶圆，并且半导体晶圆具有嵌入在绝缘层中的导电焊盘。该方法还包括：对半导体晶圆的表面实施等离子体工艺，并且在导电结构的表面上形成金属氧化物。该方法还包括：使用清洗液实施清洗工艺，以与金属氧化物进行还原反应，使得在导电结构的表面上形成金属‑氢键。该方法还包括：在真空下将半导体晶圆传送至接合室，以用于混合接合。本发明还提供了用于混合接合的机制和集成系统的实施例。

公开(公告)号：CN107771353A

公开(公告)日：2018-03-06

申请号：CN201680035844.7

申请日：2016-05-16

申请人： 恩特格里斯公司

发明人： J·R·德普雷斯 ,  B·L·钱伯斯 ,  J·D·斯威尼 ,  R·S·雷 ,  S·E·毕夏普

IPC分类号： H01L21/324 ,  H01L21/67 ,  F17C11/00 ,  F17C13/00

CPC分类号： F17C7/00 ,  F17C11/00 ,  F17C13/00 ,  F17C2221/03 ,  F17C2223/0123 ,  F17C2225/0123 ,  F17C2227/0107 ,  F17C2227/042 ,  F17C2250/032 ,  F17C2250/043 ,  F17C2250/0447 ,  F17C2250/0626 ,  F17C2250/0631 ,  F17C2270/0518 ,  H01L21/67 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/324

摘要： 本发明描述用于将气体递送到气体利用处理工具的气体供应系统及方法，所述气体利用处理工具例如是用于制造半导体产品、平板显示器、太阳能面板等的气体利用工具。所述气体供应系统可包括其中布置有基于吸附剂的气体供应罐及/或内部压力调节式气体供应罐的气柜，且描述可安置于所述气柜中或以独立方式操作的气体混合歧管。在一个方面中，描述气体供应系统，其中在施配操作的压控终止之后，为了进行施配操作以实现在此终止之后所述罐中剩余的气体的利用，处理易于在涉及气体供应压力的减小时冷却的罐。

公开(公告)号：CN107731719A

公开(公告)日：2018-02-23

申请号：CN201711093967.9

申请日：2017-11-08

申请人： 林孝振

发明人： 林孝振

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L21/67023 ,  H01L21/02041 ,  H01L21/67017

摘要： 本发明涉及理疗设备技术领域，且公开了一种理疗仪生产用晶圆清洗装置，包括底座，底座上表面的两端均固定连接有支撑腿，底座上表面的中部固定连接有电机，电机的输出轴固定连接有转轴，转轴靠近电机一端的表面固定连接有转盘，转盘的外侧固定连接有旋转杆，旋转杆的顶端固定连接有清洗槽。该理疗仪生产用晶圆清洗装置，通过设置电机、转轴、转盘和搅拌杆，利用电机带动转轴上的搅拌杆和清洁刷旋转，利用搅拌桨上的毛刷和搅拌叶之间的相互配合搅拌，加快了晶圆的翻转速率，保证了对晶圆进行全面清洗，清洁刷的转动，有利于清除晶圆表面的杂质，降低了工人的劳动强度，达到了对晶圆表面彻底清洗的目的，提高了理疗仪芯片的生产质量。

公开(公告)号：CN105990083B

公开(公告)日：2018-02-23

申请号：CN201510090076.2

申请日：2015-02-27

申请人： 株式会社日立国际电气

发明人： 上田立志

IPC分类号： H01J37/32

CPC分类号： H01L21/67017 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/54 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/68707 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771 ,  H01L21/68785

摘要： 本发明涉及衬底处理装置及半导体器件的制造方法。目的在于提供一种实现无不均的均匀清洁的衬底处理装置和半导体器件的制造方法。衬底处理装置，包括：处理室，对衬底进行处理；衬底载置台，设于所述处理室，将多个衬底呈圆周状载置；旋转部，使所述衬底载置台旋转；第一气体供给部，从所述衬底载置台的上方供给第一气体；第二气体供给部，从所述衬底载置台的上方供给第二气体；第三气体供给部，从所述衬底载置台的上方供给清洁气体；以及升降部，其被控制为：在供给所述第一气体和所述第二气体期间，将所述衬底载置台维持于衬底处理位置，在供给所述清洁气体期间，将所述衬底载置台维持于清洁位置。

公开(公告)号：CN105336604B

公开(公告)日：2018-01-30

申请号：CN201510737168.5

申请日：2009-02-20

申请人： 应用材料公司

发明人： 约瑟夫·M·拉内什 ,  凯利·丘顿 ,  马克·E·林塞 ,  米沙·安·普莱沙 ,  赛捷·伯塔

IPC分类号： H01L21/324 ,  H01L21/67

CPC分类号： H01L21/324 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67098 ,  H01L21/67115

摘要： 本发明揭露在半导体处理室中反射来自灯的辐射的银反射件。此反射件可设置于灯管的套管中或灯头的部分。此银可为在套管或灯头上的涂层型式。

公开(公告)号：CN107546155A

公开(公告)日：2018-01-05

申请号：CN201710499862.7

申请日：2017-06-27

申请人： 株式会社荏原制作所

发明人： 前田幸次 ,  下元博 ,  山口都章 ,  青野弘 ,  八嶋哲也 ,  矶川英立 ,  新海健史 ,  稻叶充彦 ,  桥本幸一 ,  国泽淳次 ,  宫崎充 ,  丰增富士彦

IPC分类号： H01L21/67

CPC分类号： H01L21/02096 ,  H01L21/0201 ,  H01L21/02046 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/02076 ,  H01L21/02085 ,  H01L21/02087 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67046 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67219

摘要： 本发明提供一种可减轻更换不同种类的清洗模块的作业所造成的负担的清洗装置及基板处理装置。本发明采用包含下述构件的结构：多种清洗模块(31(31A、31B))，进行清洗处理；第1收纳部，可收纳多种清洗模块(31)；及流体供给部(60)，经由配管(63)对收纳于第1收纳部的清洗模块(31)供给流体；多种清洗模块(31)分别具备与配管(63)的连接位置共用的配管连接部(70)。

公开(公告)号：CN103887209B

公开(公告)日：2018-01-02

申请号：CN201310713222.3

申请日：2013-12-20

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 高栁康治 ,  领川幸江 ,  吉田勇一 ,  吉原孝介 ,  寺下裕一 ,  古庄智伸 ,  佐佐卓志

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/027

CPC分类号： H01L21/67017 ,  F04B43/0081 ,  F04B49/065 ,  F04B2205/503 ,  H01L21/6715

摘要： 本发明提供液处理装置和液处理方法。利用一个过滤器得到与设有多个过滤器时相同的过滤效率并谋求防止生产率降低。根据来自控制部（101）的控制信号，将抗蚀剂液（L）经由过滤器（52）吸入到泵（70）内，将被吸入到泵内的抗蚀剂液的一部分自喷射嘴（7）喷射，使余下的抗蚀剂液返回到供给管路（51b）中的位于过滤器的初级侧的部分，将与喷射量相等的补充量加入到返回量中而进行合成，对合成后的抗蚀剂液以与喷射量和返回量之比的合成相应的次数进行抗蚀剂液的喷射和由过滤器进行的过滤。