公开(公告)号：CN107808860B

公开(公告)日：2023-06-30

申请号：CN201710475431.7

申请日：2017-06-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全炯俊 ,  李来寅 ,  朴炳律

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/31

Abstract: 本发明提供一种叠层封装型的半导体封装，其包含：下部封装，所述下部封装包含：印刷电路板(printed circuit board，PCB)衬底，所述PCB衬底包含多个基底层以及穿透多个基底层的腔室；第一半导体芯片，其在所述腔室中；重布线结构，其在PCB衬底的第一表面上并且在第一半导体芯片的有源表面上；第一覆盖层，其覆盖重布线结构；以及第二覆盖层，其覆盖PCB衬底的第二表面和第一半导体芯片的无源表面；以及上部封装，其在下部封装的第二覆盖层上并且包含第二半导体芯片。

公开(公告)号：CN104867977B

公开(公告)日：2019-09-03

申请号：CN201510035301.2

申请日：2015-01-23

Applicant: 三星电子株式会社 ,  首尔大学校产学协力团

Inventor： 林夏珍 ,  金亨俊 ,  李来寅

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/20 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供了半导体器件及其制造方法。一种半导体器件包括：半导体衬底，包括III族元素和V族元素；以及栅极结构，在半导体衬底上。半导体衬底包括：第一区，接触栅极结构的底表面；以及第二区，设置在第一区之下。III族元素在第一区中的浓度低于V族元素在第一区中的浓度，III族元素在第二区中的浓度基本上等于V族元素在第二区中的浓度。

公开(公告)号：CN103839944B

公开(公告)日：2019-03-22

申请号：CN201310585436.7

申请日：2013-11-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申东石 ,  姜显澈 ,  卢东贤 ,  朴判贵 ,  慎居明 ,  李来寅 ,  李哲雄 ,  郑会晟 ,  金永倬

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明公开了一种包括凹槽中的应力源的半导体器件和形成该半导体器件的方法。所述方法可以包括在有源区中形成沟槽，所述沟槽可以包括所述有源区的凹口部分。所述方法还可以包括在所述沟槽中形成嵌入式应力源。所述嵌入式应力源可以包括下部半导体层和上部半导体层，所述上部半导体层的宽度窄于所述下部半导体层的宽度。所述上部半导体层的侧部可以不与所述下部半导体层的侧部对准，并且所述上部半导体层的最上表面可以高于所述有源区的最上表面。

公开(公告)号：CN108074908A

公开(公告)日：2018-05-25

申请号：CN201711119538.4

申请日：2017-11-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 秦正起 ,  李来寅 ,  朴点龙 ,  千镇豪 ,  孙成旻 ,  李镐珍

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/528

Abstract: 一种半导体芯片包括：半导体衬底，包括其中配置有凸块的凸块区及不包括凸块的非凸块区；以及钝化层，形成在所述半导体衬底的所述凸块区及所述非凸块区上，其中所述凸块区中所述钝化层的厚度厚于所述非凸块区中所述钝化层的厚度，且在所述凸块区与所述非凸块区之间具有台阶。所述半导体芯片具有提高的可靠性。

公开(公告)号：CN103456770B

公开(公告)日：2018-04-27

申请号：CN201310219256.7

申请日：2013-06-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申东石 ,  金明宣 ,  南性真 ,  朴判贵 ,  郑会晟 ,  李来寅

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/1104 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/28247 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L27/088 ,  H01L27/1116 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/16 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/45 ,  H01L29/513 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66575 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7845 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78696

Abstract: 提供了一种具有嵌入式应变诱导图案的半导体装置及其形成方法。在半导体装置中，第一有源区域具有第一∑形状，第二有源区域具有第二∑形状。当垂直于基底并且经过第一区域中的第一栅电极的侧表面的线被限定为第一垂直线时，当垂直于基底并且经过第二区域中的第二栅电极的侧表面的线被限定为第二垂直线时，当第一垂直线和第一沟槽之间的最短距离被限定为第一水平距离时，当第二垂直线和第二沟槽之间的最短距离被限定为第二水平距离时，第一水平距离和第二水平距离之间的差等于或小于1nm。

公开(公告)号：CN107665855A

公开(公告)日：2018-02-06

申请号：CN201710610070.2

申请日：2017-07-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘禹炅 ,  白宗玟 ,  张相信 ,  金秉熙 ,  V.阮 ,  李来寅 ,  李禹镇 ,  郑恩志 ,  韩奎熙

IPC: H01L21/764 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76883 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76829 ,  H01L23/528 ,  H01L21/764

Abstract: 本公开涉及制造半导体器件的方法。一种制造半导体器件的方法包括：在衬底上形成第一绝缘夹层；图案化第一绝缘夹层以形成多个第一开口；在被图案化的第一绝缘夹层中的第一开口内形成牺牲图案；图案化牺牲图案和被图案化的第一绝缘夹层以在牺牲图案和被图案化的第一绝缘夹层中形成多个第二开口；形成多个金属线，金属线在各自的第二开口中；去除牺牲图案的剩余部分中的至少一些以在金属线中的至少一些之间形成空隙；以及在金属线的顶表面、被图案化的第一绝缘夹层的顶表面、以及金属线的和被图案化的第一绝缘夹层的暴露的侧表面上共形地形成衬垫层。

公开(公告)号：CN103187274B

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201210587517.6

申请日：2012-12-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许晶植 ,  李来寅 ,  郑舜文

IPC: H01L21/335 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/02068 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28123 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823443 ,  H01L21/823456 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66651

Abstract: 本发明公开一种形成半导体器件的方法，该方法可以包括：在基板的硅部分上形成金属层；金属层与硅部分反应以形成金属硅化物。在金属层发生反应之后，可以利用电解的硫酸溶液去除金属层的未反应的残余物。更具体地，在电解的硫酸溶液中硫酸的体积可以在电解的硫酸溶液的总体积的大约70%至大约95%范围内，电解的酸溶液中氧化剂的浓度可以在大约7g/L至大约25g/L的范围内，电解的硫酸溶液的温度可以在大约130℃至大约180℃的范围内。

公开(公告)号：CN107026148A

公开(公告)日：2017-08-08

申请号：CN201611165928.0

申请日：2016-12-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： V.阮 ,  T.奥斯津达 ,  白宗玟 ,  安商燻 ,  金秉熙 ,  刘禹炅 ,  李来寅

IPC: H01L23/528 ,  H01L23/532 ,  H01L21/768

Abstract: 一种半导体器件可以包括：基板；第一中间绝缘层，在基板上并具有开口；导电图案，设置在开口中；第一至第四绝缘图案，堆叠在设置有导电图案的基板上；和第二中间绝缘层，设置在第四绝缘图案上。

公开(公告)号：CN103187274A

公开(公告)日：2013-07-03

申请号：CN201210587517.6

申请日：2012-12-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许晶植 ,  李来寅 ,  郑舜文

IPC: H01L21/335 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/02068 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28123 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823443 ,  H01L21/823456 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66651

Abstract: 本发明公开一种形成半导体器件的方法，该方法可以包括：在基板的硅部分上形成金属层；金属层与硅部分反应以形成金属硅化物。在金属层发生反应之后，可以利用电解的硫酸溶液去除金属层的未反应的残余物。更具体地，在电解的硫酸溶液中硫酸的体积可以在电解的硫酸溶液的总体积的大约70%至大约95%范围内，电解的酸溶液中氧化剂的浓度可以在大约7g/L至大约25g/L的范围内，电解的硫酸溶液的温度可以在大约130℃至大约180℃的范围内。

公开(公告)号：CN101452832A

公开(公告)日：2009-06-10

申请号：CN200810098840.0

申请日：2008-05-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 文昌郁 ,  梁铉德 ,  田重锡 ,  李化成 ,  李来寅 ,  陈薇薇

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/321 ,  H01L21/28 ,  H01L21/335 ,  H01L29/43 ,  H01L29/772

CPC classification number: H01L29/7848 ,  H01L21/28518 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/78

Abstract: 示例实施例涉及一种形成锗硅化物层的方法、半导体装置、制造该装置的方法。根据示例实施例的形成Ge硅化物层的方法可以包括：在硅锗(SiGe)层上形成包含钒的金属层。金属层可以具有多层结构，并还可以包含铂(Pt)和镍(Ni)中的至少一种。可以将金属层进行退火以形成锗硅化物层。可以使用激光瞬间退火(LSA)方法来执行退火。