公开(公告)号：CN101452832A

公开(公告)日：2009-06-10

申请号：CN200810098840.0

申请日：2008-05-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 文昌郁 ,  梁铉德 ,  田重锡 ,  李化成 ,  李来寅 ,  陈薇薇

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/321 ,  H01L21/28 ,  H01L21/335 ,  H01L29/43 ,  H01L29/772

CPC classification number: H01L29/7848 ,  H01L21/28518 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/78

Abstract: 示例实施例涉及一种形成锗硅化物层的方法、半导体装置、制造该装置的方法。根据示例实施例的形成Ge硅化物层的方法可以包括：在硅锗(SiGe)层上形成包含钒的金属层。金属层可以具有多层结构，并还可以包含铂(Pt)和镍(Ni)中的至少一种。可以将金属层进行退火以形成锗硅化物层。可以使用激光瞬间退火(LSA)方法来执行退火。