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公开(公告)号：CN104867977A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201510035301.2
申请日：2015-01-23
Applicant: 三星电子株式会社 , 首尔大学校产学协力团
IPC: H01L29/78 , H01L29/20 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供了半导体器件及其制造方法。一种半导体器件包括：半导体衬底，包括III族元素和V族元素；以及栅极结构，在半导体衬底上。半导体衬底包括：第一区，接触栅极结构的底表面；以及第二区，设置在第一区之下。III族元素在第一区中的浓度低于V族元素在第一区中的浓度，III族元素在第二区中的浓度基本上等于V族元素在第二区中的浓度。
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公开(公告)号：CN104867977B
公开(公告)日：2019-09-03
申请号：CN201510035301.2
申请日：2015-01-23
Applicant: 三星电子株式会社 , 首尔大学校产学协力团
IPC: H01L29/78 , H01L29/20 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供了半导体器件及其制造方法。一种半导体器件包括：半导体衬底，包括III族元素和V族元素；以及栅极结构，在半导体衬底上。半导体衬底包括：第一区，接触栅极结构的底表面；以及第二区，设置在第一区之下。III族元素在第一区中的浓度低于V族元素在第一区中的浓度，III族元素在第二区中的浓度基本上等于V族元素在第二区中的浓度。
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公开(公告)号：CN111029349B
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN201910724515.9
申请日：2019-08-07
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 林夏珍
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了一种图像传感器。所述图像传感器包括：基底，包括多个单元像素；堆叠结构，位于基底上；以及栅格图案，在堆叠结构上位于所述多个单元像素中的相邻单元像素之间。栅格图案包括下栅格图案和下栅格图案上的上栅格图案，下栅格图案包括氧化镧(LaO)、非晶硅(a‑Si)或多晶硅(poly‑Si)，上栅格图案包括导电材料。
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公开(公告)号：CN111477643B
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202010000398.4
申请日：2020-01-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N25/70 , H04N25/75 , H10K39/32
Abstract: 提供了一种具有改善的性能和更高集成度的图像传感器。所述图像传感器包括：衬底，所述衬底包括彼此相对的第一表面和第二表面；第一有机光电转换层，所述第一有机光电转换层位于所述衬底的所述第一表面上；第一穿透通路，所述第一穿透通路连接到所述第一有机光电转换层，并且延伸穿过所述衬底；第一浮置扩散区域，所述第一浮置扩散区域位于所述衬底中并且与所述衬底的所述第二表面相邻；以及第一晶体管结构，所述第一晶体管结构位于所述衬底的所述第二表面上，其中，所述第一晶体管结构包括：被配置为连接所述第一穿透通路和所述第一浮置扩散区域的半导体层、位于所述半导体层上的栅电极、以及位于所述半导体层与所述栅电极之间的栅极介电膜。
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公开(公告)号：CN100479113C
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200510091335.X
申请日：2005-05-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/316 , H01L21/304 , C23C16/44 , C23C16/40
Abstract: 提供了使用原子层沉积工艺在半导体基底上制造金属硅酸盐层的方法。为了形成具有所需厚度的金属硅酸盐层，这些方法包括进行金属硅酸盐层形成周期至少一次。金属硅酸盐层形成周期包括重复进行金属氧化物层形成周期K次的操作以及重复进行硅氧化物形成周期Q次的操作。K和Q分别是1至10的整数，该金属氧化物层形成周期包括步骤：向含有基底的反应器中供应金属源气体，排出残留在反应器中的金属源气体，接着向该反应器供应氧化物气体。该硅氧化物层形成周期包括：向含有基底的反应器中供应硅源气体，排出残留在反应器中的硅源气体，接着向该反应器供应氧化物气体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111403427B
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN201911116541.X
申请日：2019-11-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了一种图像传感器及其制造方法，所述图像传感器包括：多个滤色器，所述多个滤色器在半导体衬底上彼此间隔开；保护层，所述保护层覆盖所述滤色器的侧壁和所述滤色器的顶表面；以及低折射图案，所述低折射图案填充所述滤色器之间的空间。
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公开(公告)号：CN117673103A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311094320.3
申请日：2023-08-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了一种图像传感器，其包括：半导体基板，包括第一像素和与第一像素相邻的第二像素；像素隔离结构，在第一像素和第二像素之间；抗反射层，在第一像素、第二像素和像素隔离结构上；以及贯穿通路结构，在抗反射层和半导体基板中的贯穿通路孔中。贯穿通路结构可以包括在贯穿通路孔的内壁上的第一导电层和在贯穿通路孔的内壁上的第一导电层上的第二导电层，抗反射层可以包括TiO2，第一导电层可以包括具有比Ti高的功函数的材料。
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公开(公告)号：CN106486380A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201610720187.1
申请日：2016-08-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L21/28
Abstract: 制造半导体器件的方法被提供。所述方法可以包括：形成从衬底突出的鳍型有源区；形成覆盖鳍型有源区的顶表面和两侧壁的栅绝缘膜。栅绝缘膜可以包括高k电介质膜。所述方法还可以包括：在栅绝缘膜上形成含金属层；在含金属层上形成包含氢原子的硅覆盖层；去除硅覆盖层中包含的氢原子的一部分；去除硅覆盖层和至少一部分含金属层；以及在栅绝缘膜上形成栅电极。栅电极可以覆盖鳍型有源区的顶表面和两个侧壁。
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公开(公告)号：CN102130125B
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201010623026.3
申请日：2010-12-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/04 , H01L21/336 , H01L21/8238
CPC classification number: H01L21/823807 , H01L29/1037 , H01L29/1054 , H01L29/66651 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：装置隔离层，布置在半导体基底的预定区域上，以限定有源区，所述有源区包括(100)晶面的中央顶表面和从所述中央顶表面延伸到所述装置隔离层的倾斜边缘表面；半导体图案，覆盖所述有源区的所述中央顶表面和所述倾斜边缘表面，所述半导体图案包括(100)晶面的与所述有源区的所述中央顶表面平行的平坦顶表面和与所述平坦顶表面基本上和/或完全地垂直的侧壁；栅极图案，与所述半导体图案叠置。
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公开(公告)号：CN1996617A
公开(公告)日：2007-07-11
申请号：CN200710001445.1
申请日：2007-01-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L27/092 , H01L21/336 , H01L21/8238
CPC classification number: H01L21/26506 , H01L21/2658 , H01L21/28088 , H01L21/28097 , H01L21/823807 , H01L21/823857 , H01L29/105 , H01L29/495 , H01L29/4966 , H01L29/517
Abstract: 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。该半导体装置包括：其中形成第一导电沟道的有源层，形成于在半导体基底上形成的有源区上的栅极、夹在所述有源区和栅极之间的栅极介电层。该半导体装置还包括沿半导体基底上的有源区和栅极介电层之间界面形成的电荷产生层，使得在该界面周围产生固定电荷。
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