公开(公告)号：CN100479113C

公开(公告)日：2009-04-15

申请号：CN200510091335.X

申请日：2005-05-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金润奭 ,  金宗杓 ,  林夏珍 ,  朴哉彦 ,  丁炯硕 ,  李钟镐 ,  梁钟虎

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/304 ,  C23C16/44 ,  C23C16/40

Abstract: 提供了使用原子层沉积工艺在半导体基底上制造金属硅酸盐层的方法。为了形成具有所需厚度的金属硅酸盐层，这些方法包括进行金属硅酸盐层形成周期至少一次。金属硅酸盐层形成周期包括重复进行金属氧化物层形成周期K次的操作以及重复进行硅氧化物形成周期Q次的操作。K和Q分别是1至10的整数，该金属氧化物层形成周期包括步骤：向含有基底的反应器中供应金属源气体，排出残留在反应器中的金属源气体，接着向该反应器供应氧化物气体。该硅氧化物层形成周期包括：向含有基底的反应器中供应硅源气体，排出残留在反应器中的硅源气体，接着向该反应器供应氧化物气体。

公开(公告)号：CN1734727A

公开(公告)日：2006-02-15

申请号：CN200510091335.X

申请日：2005-05-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金润奭 ,  金宗杓 ,  林夏珍 ,  朴哉彦 ,  丁炯硕 ,  李钟镐 ,  梁钟虎

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/304 ,  C23C16/44 ,  C23C16/40

Abstract: 提供了使用原子层沉积工艺在半导体基底上制造金属硅酸盐层的方法。为了形成具有所需厚度的金属硅酸盐层，这些方法包括进行金属硅酸盐层形成周期至少一次。金属硅酸盐层形成周期包括重复进行金属氧化物层形成周期K次的操作以及重复进行硅氧化物形成周期Q次的操作。K和Q分别是1至10的整数，该金属氧化物层形成周期包括步骤：向含有基底的反应器中供应金属源气体，排出残留在反应器中的金属源气体，接着向该反应器供应氧化物气体。该硅氧化物层形成周期包括：向含有基底的反应器中供应硅源气体，排出残留在反应器中的硅源气体，接着向该反应器供应氧化物气体。

公开(公告)号：CN100343960C

公开(公告)日：2007-10-17

申请号：CN03133019.3

申请日：2003-06-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李周远 ,  秋冈秀 ,  朴哉彦 ,  梁钟虎

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/31612 ,  C23C16/402 ,  C23C16/45534 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02208 ,  H01L21/02277 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/3141

Abstract: 本发明公开了一种用催化剂辅助的原子层沉积(ALD)工艺的改进方法，同时还公开了相关的吹扫方法和吹扫程序。所述改进方法通过采用具有至少两个硅原子的硅化合物作为第一反应物，或者采用一种脂族叔胺作为催化剂组分，也可以二者结合使用而在一半导体基片上形成一具有优良性能的二氧化硅层。

公开(公告)号：CN1480998A

公开(公告)日：2004-03-10

申请号：CN03133019.3

申请日：2003-06-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李周远 ,  秋冈秀 ,  朴哉彦 ,  梁钟虎

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/31612 ,  C23C16/402 ,  C23C16/45534 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02208 ,  H01L21/02277 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/3141

Abstract: 本发明公开了一种用催化剂辅助的原子层沉积(ALD)工艺的改进方法，同时还公开了相关的吹扫方法和吹扫程序。所述改进方法通过采用具有至少两个硅原子的硅化合物作为第一反应物，或者采用一种脂族叔胺作为催化剂组分，也可以二者结合使用而在一半导体基片上形成一具有优良性能的二氧化硅层。