公开(公告)号：CN1996617A

公开(公告)日：2007-07-11

申请号：CN200710001445.1

申请日：2007-01-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 丁炯硕 ,  李钟镐 ,  林夏珍 ,  俞美英

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/092 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/26506 ,  H01L21/2658 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28097 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/105 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。该半导体装置包括：其中形成第一导电沟道的有源层，形成于在半导体基底上形成的有源区上的栅极、夹在所述有源区和栅极之间的栅极介电层。该半导体装置还包括沿半导体基底上的有源区和栅极介电层之间界面形成的电荷产生层，使得在该界面周围产生固定电荷。