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公开(公告)号：CN104867977B
公开(公告)日：2019-09-03
申请号：CN201510035301.2
申请日：2015-01-23
Applicant: 三星电子株式会社 , 首尔大学校产学协力团
IPC: H01L29/78 , H01L29/20 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供了半导体器件及其制造方法。一种半导体器件包括：半导体衬底，包括III族元素和V族元素；以及栅极结构，在半导体衬底上。半导体衬底包括：第一区，接触栅极结构的底表面；以及第二区，设置在第一区之下。III族元素在第一区中的浓度低于V族元素在第一区中的浓度，III族元素在第二区中的浓度基本上等于V族元素在第二区中的浓度。
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公开(公告)号：CN119490799A
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN202411112686.3
申请日：2024-08-14
Applicant: 三星电子株式会社 , 首尔大学校产学协力团
IPC: C09J7/29 , C09J7/30 , C09J133/08 , C09J133/14 , H01L21/683 , H01L21/78
Abstract: 提供了一种分割膜以及制造半导体封装件的方法。在分割膜中，构成分割膜的粘合层的粘合强度可以在热处理之后充分减小，并且半导体管芯可以容易地与分割膜分离。因此，可以获得改善半导体管芯的拾取性能的效果。
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公开(公告)号：CN104867977A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201510035301.2
申请日：2015-01-23
Applicant: 三星电子株式会社 , 首尔大学校产学协力团
IPC: H01L29/78 , H01L29/20 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供了半导体器件及其制造方法。一种半导体器件包括：半导体衬底，包括III族元素和V族元素；以及栅极结构，在半导体衬底上。半导体衬底包括：第一区，接触栅极结构的底表面；以及第二区，设置在第一区之下。III族元素在第一区中的浓度低于V族元素在第一区中的浓度，III族元素在第二区中的浓度基本上等于V族元素在第二区中的浓度。
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公开(公告)号：CN107718532B
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201710667174.7
申请日：2017-08-07
Applicant: 新都有限公司 , 首尔大学校产学协力团
IPC: B29C64/118 , B29C64/386 , B33Y50/00
Abstract: 一种用于3D打印机的输出的填充设备和方法，其包括：单元块生成部，其通过使用彼此正交的三个平面来对3D模型进行切片以生成单元块；单元块分类部，其将单元块根据其位置分类为边界单元块和内部单元块，并根据是否包括了平屋顶区域而将边界单元块分类为平屋顶单元块和非平屋顶单元块；组合块生成部，其合并所述内部单元块并生成组合块；平屋顶点辨别部，其辨别组合块中的平屋顶点；组合块划分部，其将包括平屋顶点的组合块的部分进行划分；以及填充形状确定部，其将由组合块划分部划分出的组合块的被划分表面(或接触表面)确定为填充形状，并且在输出期间将打印材料输出到填充形状。
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公开(公告)号：CN107718532A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201710667174.7
申请日：2017-08-07
Applicant: 新都有限公司 , 首尔大学校产学协力团
IPC: B29C64/118 , B29C64/386 , B33Y50/00
CPC classification number: B29C64/393 , B29C64/118 , B29C64/386 , B33Y10/00 , B33Y50/00 , B33Y50/02 , G05B19/4099 , G05B2219/49007 , Y02P80/40
Abstract: 一种用于3D打印机的输出的填充设备和方法，其包括：单元块生成部，其通过使用彼此正交的三个平面来对3D模型进行切片以生成单元块；单元块分类部，其将单元块根据其位置分类为边界单元块和内部单元块，并根据是否包括了平屋顶区域而将边界单元块分类为平屋顶单元块和非平屋顶单元块；组合块生成部，其合并所述内部单元块并生成组合块；平屋顶点辨别部，其辨别组合块中的平屋顶点；组合块划分部，其将包括平屋顶点的组合块的部分进行划分；以及填充形状确定部，其将由组合块划分部划分出的组合块的被划分表面(或接触表面)确定为填充形状，并且在输出期间将打印材料输出到填充形状。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104347822A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201410217069.X
申请日：2014-05-21
Applicant: 三星显示有限公司 , 首尔大学校产学协力团
CPC classification number: H01L51/5256 , H01L51/0031
Abstract: 本发明提供了显示设备。显示设备包括：衬底、位于衬底上的显示面板、和用于密封显示面板的封装膜。封装膜包括至少一个有机层和/或至少一个无机层以及至少一对导电层。
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公开(公告)号：CN107768384A
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201710729724.3
申请日：2017-08-23
Applicant: 三星显示有限公司 , 首尔大学校产学协力团
IPC: H01L27/12
CPC classification number: H01L27/1225 , H01L29/4908 , H01L29/7869
Abstract: 公开了一种薄膜晶体管阵列面板。所述薄膜晶体管阵列面板包括基底、栅极绝缘层、界面层和半导体层。栅极绝缘层设置在基底上。界面层设置在栅极绝缘层上。半导体层设置在界面层上。界面层包括氟化氧化硅。半导体层包括p型氧化物半导体材料。
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公开(公告)号：CN115706169A
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202210397670.6
申请日：2022-04-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L29/24 , H01L21/34
Abstract: 公开了一种半导体装置，所述半导体装置包括：氧化物半导体层，在基底上并且包括第一部分和跨第一部分彼此间隔开的一对第二部分；栅电极，在氧化物半导体层的第一部分上；以及一对电极，在氧化物半导体层的对应的第二部分上。氧化物半导体层的第一部分的第一厚度小于氧化物半导体层的每个第二部分的第二厚度。氧化物半导体层的第一部分中的氧空位的数量小于氧化物半导体层的每个第二部分中的氧空位的数量。
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公开(公告)号：CN109390313B
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN201810862756.5
申请日：2018-08-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L25/16
Abstract: 本公开提供一种半导体封装件的连接系统，所述半导体封装件的连接系统包括：印刷电路板，具有第一表面和与所述第一表面背对的第二表面；第一半导体封装件，设置在所述印刷电路板的所述第一表面上并且通过第一电连接结构连接到所述印刷电路板；及第二半导体封装件，设置在所述印刷电路板的所述第二表面上并且通过第二电连接结构连接到所述印刷电路板。所述第一半导体封装件包括并排设置的应用处理器(AP)和电源管理集成电路(PMIC)，并且所述第二半导体封装件包括存储器。
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公开(公告)号：CN108695073B
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN201810269346.X
申请日：2018-03-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 二维钙钛矿材料、包括其的介电材料和多层电容器。所述二维钙钛矿材料包括：包括层叠的具有正电荷的第一层和具有负电荷的第二层的层状金属氧化物、从所述层状金属氧化物剥落的单层纳米片、多个所述单层纳米片的纳米片层叠体、或其组合，其中所述二维钙钛矿材料以大于或等于约80体积％的量包括具有二维晶体结构的第一相，基于100体积％的所述二维钙钛矿材料，和所述二维钙钛矿材料由化学式1表示。
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