公开(公告)号：CN110739311B

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN201910603163.1

申请日：2019-07-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑舜文 ,  河大元 ,  金成玟 ,  金孝珍 ,  赵槿汇

IPC: H10B10/00 ,  H01L27/02 ,  H01L29/417 ,  H01L21/762 ,  H01L21/28

Abstract: 一种半导体器件包括在衬底的逻辑单元区域的PMOSFET部分上的第一有源图案、在逻辑单元区域的NMOSFET部分上的第二有源图案、在衬底的存储单元区域上的第三有源图案、在第三有源图案之间的第四有源图案、以及填充多个第一沟槽和多个第二沟槽的器件隔离层。每个第一沟槽插置在第一有源图案之间和第二有源图案之间。每个第二沟槽插置在第四有源图案之间以及在第三有源图案与第四有源图案之间。第三有源图案和第四有源图案的每个包括彼此垂直间隔开的第一半导体图案和第二半导体图案。第二沟槽的深度大于第一沟槽的深度。

公开(公告)号：CN113948511A

公开(公告)日：2022-01-18

申请号：CN202110470776.X

申请日：2021-04-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵槿汇 ,  郑舜文 ,  金洞院 ,  姜明吉

IPC: H01L27/092 ,  H01L23/528 ,  H01L23/48 ,  H01L21/762

Abstract: 公开了半导体器件及形成半导体器件的方法。半导体器件可以包括：衬底，包括彼此间隔开的第一区域和第二区域，其中器件隔离层介于所述第一区域和所述第二区域之间；第一栅电极和第二栅电极，分别位于第一区域和第二区域上；绝缘分离图案，将第一栅电极和第二栅电极彼此分离，并在横穿第一方向的第二方向上延伸；连接结构，将第一栅电极电连接到第二栅电极；以及第一信号线，电连接到连接结构。第一栅电极和第二栅电极在第一方向上延伸并且在第一方向上彼此对准。第一信号线可以在第二方向上延伸并且可以与绝缘分离图案竖直地重叠。

公开(公告)号：CN110739311A

公开(公告)日：2020-01-31

申请号：CN201910603163.1

申请日：2019-07-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑舜文 ,  河大元 ,  金成玟 ,  金孝珍 ,  赵槿汇

IPC: H01L27/11 ,  H01L27/02 ,  H01L29/417 ,  H01L21/762 ,  H01L21/8244 ,  H01L21/28

Abstract: 一种半导体器件包括在衬底的逻辑单元区域的PMOSFET部分上的第一有源图案、在逻辑单元区域的NMOSFET部分上的第二有源图案、在衬底的存储单元区域上的第三有源图案、在第三有源图案之间的第四有源图案、以及填充多个第一沟槽和多个第二沟槽的器件隔离层。每个第一沟槽插置在第一有源图案之间和第二有源图案之间。每个第二沟槽插置在第四有源图案之间以及在第三有源图案与第四有源图案之间。第三有源图案和第四有源图案的每个包括彼此垂直间隔开的第一半导体图案和第二半导体图案。第二沟槽的深度大于第一沟槽的深度。

公开(公告)号：CN101383349B

公开(公告)日：2011-12-21

申请号：CN200810166500.7

申请日：2003-01-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金成奉 ,  郑舜文 ,  朴宰均

IPC: H01L27/11 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L27/11 ,  H01L27/1104

Abstract: 本发明公开一种SRAM单元，包括：半导体衬底；设置在半导体衬底内的第一有源区；邻近第一有源区的第二有源区，第二有源区包括基本上平行于第一有源区的驱动晶体管有源区、从驱动晶体管有源区的中心区域沿着相反于第一有源区的方向延伸的接地源极区、以及从驱动晶体管有源区的相对端沿着相反于第一有源区的方向延伸的第一和第二传输有源区；暴露出接地源极区的一部分的地线接触孔，地线接触孔被构造成由该单元和相邻单元共享；以及横穿第一和第二传输晶体管有源区的地线，地线具有延伸以覆盖地线接触孔并通过地线接触孔电连接到接地源极区的一部分，该部分还被构造成电连接到相邻单元的地线上。

公开(公告)号：CN101257024A

公开(公告)日：2008-09-03

申请号：CN200710164878.9

申请日：2007-09-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑载勋 ,  金奇南 ,  郑舜文 ,  张在焄

IPC: H01L27/115 ,  H01L23/522

Abstract: 本发明涉及一种NAND型闪存器件，其包括：堆叠的多个半导体层；设置在多个半导体层中的每一个的预定区中的器件隔离图案，该器件隔离图案定义有源区；该有源区中的源极和漏极杂质区；电连接所述源极杂质区的源极线插塞结构；及电连接所述漏极杂质区的位线插塞结构，其中所述源极杂质区电连接到所述半导体层。

公开(公告)号：CN101188239A

公开(公告)日：2008-05-28

申请号：CN200710306130.8

申请日：2007-09-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张永哲 ,  赵源锡 ,  张在焄 ,  郑舜文 ,  孙良锈 ,  宋玟晟

IPC: H01L27/105 ,  H01L23/522 ,  H01L21/8239 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/0688 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11519 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11529 ,  H01L27/11551

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件及其形成方法，该半导体器件包括：具有单元区域的第一区域和具有外围电路区域的第二区域的半导体衬底；该半导体衬底上的第一晶体管；覆盖该第一晶体管的第一保护层；该第一保护层上的第一绝缘层；该第一区域中的该第一绝缘层上的半导体图案；该半导体图案上的第二晶体管；覆盖该第二晶体管的第二保护层；以及该第二保护层和该第二区域的该第一绝缘层上的第二绝缘层。

公开(公告)号：CN1302554C

公开(公告)日：2007-02-28

申请号：CN03100919.0

申请日：2003-01-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金成奉 ,  郑舜文 ,  朴宰均

IPC: H01L27/11

CPC classification number: H01L27/11 ,  H01L27/1104

Abstract: 本发明公开一种SRAM单元和器件。SRAM单元可与相邻单元共享连线，该连线包括接地、电源电压和/或位线连线。还提供包括设在半导体衬底中的第一和第二有源区的SRAM单元和器件。平行的第一和第二栅极电极横穿第一和第二有源区。第一有源区靠近第一栅极电极的一端通过平行于第一栅极电极的第一节点线电连接至靠近第一栅极电极的第二有源区，而第一有源区靠近第二栅极电极的另一端经平行于第二栅极电极的第二节点线电连接至靠近第二栅极电极的第二有源区。第一节点线经横穿第一节点线的第一局部互连电连接至第二栅极电极，第二节点线经横穿第二节点线的第二局部互连电连接至第一栅极电极。另外字线可直接接触SRAM单元的传输晶体管的栅极电极。

公开(公告)号：CN1531109A

公开(公告)日：2004-09-22

申请号：CN200410007497.6

申请日：2004-03-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳圭浩 ,  郑舜文 ,  金成奉 ,  林勋 ,  赵源锡

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/04 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L23/522 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823871 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S257/90 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供包括半导体衬底和栅极线的半导体器件。栅极线在半导体衬底上并且包括以指定顺序层叠在半导体衬底上的栅绝缘图形和栅电极。在栅极线的侧壁上形成的隔片；在栅极线上形成导电线条图形。导电线条图形平行于栅极线和电连接到栅电极。

公开(公告)号：CN103187274B

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201210587517.6

申请日：2012-12-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许晶植 ,  李来寅 ,  郑舜文

IPC: H01L21/335 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/02068 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28123 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823443 ,  H01L21/823456 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66651

Abstract: 本发明公开一种形成半导体器件的方法，该方法可以包括：在基板的硅部分上形成金属层；金属层与硅部分反应以形成金属硅化物。在金属层发生反应之后，可以利用电解的硫酸溶液去除金属层的未反应的残余物。更具体地，在电解的硫酸溶液中硫酸的体积可以在电解的硫酸溶液的总体积的大约70%至大约95%范围内，电解的酸溶液中氧化剂的浓度可以在大约7g/L至大约25g/L的范围内，电解的硫酸溶液的温度可以在大约130℃至大约180℃的范围内。

公开(公告)号：CN103187274A

公开(公告)日：2013-07-03

申请号：CN201210587517.6

申请日：2012-12-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许晶植 ,  李来寅 ,  郑舜文

IPC: H01L21/335 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/02068 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28123 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823443 ,  H01L21/823456 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66651

Abstract: 本发明公开一种形成半导体器件的方法，该方法可以包括：在基板的硅部分上形成金属层；金属层与硅部分反应以形成金属硅化物。在金属层发生反应之后，可以利用电解的硫酸溶液去除金属层的未反应的残余物。更具体地，在电解的硫酸溶液中硫酸的体积可以在电解的硫酸溶液的总体积的大约70%至大约95%范围内，电解的酸溶液中氧化剂的浓度可以在大约7g/L至大约25g/L的范围内，电解的硫酸溶液的温度可以在大约130℃至大约180℃的范围内。