公开(公告)号：CN1531109A

公开(公告)日：2004-09-22

申请号：CN200410007497.6

申请日：2004-03-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳圭浩 ,  郑舜文 ,  金成奉 ,  林勋 ,  赵源锡

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/04 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L23/522 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823871 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S257/90 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供包括半导体衬底和栅极线的半导体器件。栅极线在半导体衬底上并且包括以指定顺序层叠在半导体衬底上的栅绝缘图形和栅电极。在栅极线的侧壁上形成的隔片；在栅极线上形成导电线条图形。导电线条图形平行于栅极线和电连接到栅电极。

公开(公告)号：CN100541816C

公开(公告)日：2009-09-16

申请号：CN200410007497.6

申请日：2004-03-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳圭浩 ,  郑舜文 ,  金成奉 ,  林勋 ,  赵源锡

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/04 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L23/522 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823871 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S257/90 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供包括半导体衬底和栅极线的半导体器件。栅极线在半导体衬底上并且包括以指定顺序层叠在半导体衬底上的栅绝缘图形和栅电极。在栅极线的侧壁上形成的隔片；在栅极线上形成导电线条图形。导电线条图形平行于栅极线和电连接到栅电极。