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公开(公告)号：CN101383349A
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200810166500.7
申请日：2003-01-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11 , H01L23/522
CPC classification number: H01L27/11 , H01L27/1104
Abstract: 本发明公开一种SRAM单元，包括：半导体衬底；设置在半导体衬底内的第一有源区；邻近第一有源区的第二有源区，第二有源区包括基本上平行于第一有源区的驱动晶体管有源区、从驱动晶体管有源区的中心区域沿着相反于第一有源区的方向延伸的接地源极区、以及从驱动晶体管有源区的相对端沿着相反于第一有源区的方向延伸的第一和第二传输有源区；暴露出接地源极区的一部分的地线接触孔，地线接触孔被构造成由该单元和相邻单元共享；以及横穿第一和第二传输晶体管有源区的地线，地线具有延伸以覆盖地线接触孔并通过地线接触孔电连接到接地源极区的一部分，该部分还被构造成电连接到相邻单元的地线上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101383349B
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN200810166500.7
申请日：2003-01-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11 , H01L23/522
CPC classification number: H01L27/11 , H01L27/1104
Abstract: 本发明公开一种SRAM单元，包括：半导体衬底；设置在半导体衬底内的第一有源区；邻近第一有源区的第二有源区，第二有源区包括基本上平行于第一有源区的驱动晶体管有源区、从驱动晶体管有源区的中心区域沿着相反于第一有源区的方向延伸的接地源极区、以及从驱动晶体管有源区的相对端沿着相反于第一有源区的方向延伸的第一和第二传输有源区；暴露出接地源极区的一部分的地线接触孔，地线接触孔被构造成由该单元和相邻单元共享；以及横穿第一和第二传输晶体管有源区的地线，地线具有延伸以覆盖地线接触孔并通过地线接触孔电连接到接地源极区的一部分，该部分还被构造成电连接到相邻单元的地线上。
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公开(公告)号：CN1302554C
公开(公告)日：2007-02-28
申请号：CN03100919.0
申请日：2003-01-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11
CPC classification number: H01L27/11 , H01L27/1104
Abstract: 本发明公开一种SRAM单元和器件。SRAM单元可与相邻单元共享连线，该连线包括接地、电源电压和/或位线连线。还提供包括设在半导体衬底中的第一和第二有源区的SRAM单元和器件。平行的第一和第二栅极电极横穿第一和第二有源区。第一有源区靠近第一栅极电极的一端通过平行于第一栅极电极的第一节点线电连接至靠近第一栅极电极的第二有源区，而第一有源区靠近第二栅极电极的另一端经平行于第二栅极电极的第二节点线电连接至靠近第二栅极电极的第二有源区。第一节点线经横穿第一节点线的第一局部互连电连接至第二栅极电极，第二节点线经横穿第二节点线的第二局部互连电连接至第一栅极电极。另外字线可直接接触SRAM单元的传输晶体管的栅极电极。
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公开(公告)号：CN100479167C
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200710002311.1
申请日：2003-01-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11 , H01L23/522
CPC classification number: H01L27/11 , H01L27/1104
Abstract: 本发明公开一种SRAM单元和器件。SRAM单元可与相邻单元共享连线，该连线包括接地、电源电压和/或位线连线。还提供包括设在半导体衬底中的第一和第二有源区的SRAM单元和器件。平行的第一和第二栅极电极横穿第一和第二有源区。第一有源区靠近第一栅极电极的一端通过平行于第一栅极电极的第一节点线电连接至靠近第一栅极电极的第二有源区，而第一有源区靠近第二栅极电极的另一端经平行于第二栅极电极的第二节点线电连接至靠近第二栅极电极的第二有源区。第一节点线经横穿第一节点线的第一局部互连电连接至第二栅极电极，第二节点线经横穿第二节点线的第二局部互连电连接至第一栅极电极。另外字线可直接接触SRAM单元的传输晶体管的栅极电极。
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公开(公告)号：CN1992284A
公开(公告)日：2007-07-04
申请号：CN200710002311.1
申请日：2003-01-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11 , H01L23/522
CPC classification number: H01L27/11 , H01L27/1104
Abstract: 本发明公开一种SRAM单元和器件。SRAM单元可与相邻单元共享连线，该连线包括接地、电源电压和/或位线连线。还提供包括设在半导体衬底中的第一和第二有源区的SRAM单元和器件。平行的第一和第二栅极电极横穿第一和第二有源区。第一有源区靠近第一栅极电极的一端通过平行于第一栅极电极的第一节点线电连接至靠近第一栅极电极的第二有源区，而第一有源区靠近第二栅极电极的另一端经平行于第二栅极电极的第二节点线电连接至靠近第二栅极电极的第二有源区。第一节点线经横穿第一节点线的第一局部互连电连接至第二栅极电极，第二节点线经横穿第二节点线的第二局部互连电连接至第一栅极电极。另外字线可直接接触SRAM单元的传输晶体管的栅极电极。
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公开(公告)号：CN1433078A
公开(公告)日：2003-07-30
申请号：CN03100919.0
申请日：2003-01-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11
CPC classification number: H01L27/11 , H01L27/1104
Abstract: 本发明公开一种SRAM单元和器件。SRAM单元可与相邻单元共享连线，该连线包括接地、电源电压和/或位线连线。还提供包括设在半导体衬底中的第一和第二有源区的SRAM单元和器件。平行的第一和第二栅极电极横穿第一和第二有源区。第一有源区靠近第一栅极电极的一端通过平行于第一栅极电极的第一节点线电连接至靠近第一栅极电极的第二有源区，而第一有源区靠近第二栅极电极的另一端经平行于第二栅极电极的第二节点线电连接至靠近第二栅极电极的第二有源区。第一节点线经横穿第一节点线的第一局部互连电连接至第二栅极电极，第二节点线经横穿第二节点线的第二局部互连电连接至第一栅极电极。另外字线可直接接触SRAM单元的传输晶体管的栅极电极。
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