公开(公告)号：CN101162721A

公开(公告)日：2008-04-16

申请号：CN200710180729.1

申请日：2007-10-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 孙良锈 ,  罗暎燮 ,  赵源锡 ,  郑舜文 ,  张在焄 ,  张永哲

IPC: H01L27/115 ,  H01L23/522 ,  H01L21/8247 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/115 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/8221 ,  H01L23/481 ,  H01L23/485 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11551 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种NAND快闪存储器件，包括：下半导体层和位于下半导体层上方的上半导体层，位于下半导体层中的第一漏区和第一源区，以及位于上半导体层中的第二漏区和第二源区。在该下半导体层上设置第一栅极结构，以及在该上半导体层上设置第二栅极结构。在该上半导体层上方设置位线，以及在该位线和第一漏区之间连接至少一个位线栓塞，其中该至少一个位线栓塞贯穿位于上半导体层中的漏极通孔。

公开(公告)号：CN101188239A

公开(公告)日：2008-05-28

申请号：CN200710306130.8

申请日：2007-09-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张永哲 ,  赵源锡 ,  张在焄 ,  郑舜文 ,  孙良锈 ,  宋玟晟

IPC: H01L27/105 ,  H01L23/522 ,  H01L21/8239 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/0688 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11519 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11529 ,  H01L27/11551

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件及其形成方法，该半导体器件包括：具有单元区域的第一区域和具有外围电路区域的第二区域的半导体衬底；该半导体衬底上的第一晶体管；覆盖该第一晶体管的第一保护层；该第一保护层上的第一绝缘层；该第一区域中的该第一绝缘层上的半导体图案；该半导体图案上的第二晶体管；覆盖该第二晶体管的第二保护层；以及该第二保护层和该第二区域的该第一绝缘层上的第二绝缘层。