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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105702636A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201510744865.3
申请日：2015-11-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/31 , H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了湿气阻挡结构和/或保护环、包括其的半导体器件以及制造其的方法。湿气阻挡结构包括设置在基板的密封区域上的有源鳍，该基板包括芯片区域以及围绕芯片区域的周边的密封区域，该有源鳍连续地围绕芯片区域并且在平面图中具有蜿蜒线形状。栅结构覆盖有源鳍并且围绕芯片区域的周边。导电结构设置在栅结构上，该导电结构围绕芯片区域的周边。
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公开(公告)号：CN101162721A
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：CN200710180729.1
申请日：2007-10-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/115 , H01L23/522 , H01L21/8247 , H01L21/768
CPC classification number: H01L27/115 , H01L21/76895 , H01L21/8221 , H01L23/481 , H01L23/485 , H01L27/0688 , H01L27/11521 , H01L27/11524 , H01L27/11551 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种NAND快闪存储器件，包括：下半导体层和位于下半导体层上方的上半导体层，位于下半导体层中的第一漏区和第一源区，以及位于上半导体层中的第二漏区和第二源区。在该下半导体层上设置第一栅极结构，以及在该上半导体层上设置第二栅极结构。在该上半导体层上方设置位线，以及在该位线和第一漏区之间连接至少一个位线栓塞，其中该至少一个位线栓塞贯穿位于上半导体层中的漏极通孔。
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公开(公告)号：CN115799050A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211132482.7
申请日：2022-09-08
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 孙良锈
IPC: H01L21/033
Abstract: 一种制造半导体器件的方法包括：在多条心轴线中的至少一条心轴线中形成切断区；在多条心轴线和非心轴区中共形地形成间隔物材料层；以及在切断区中形成切割间隔物并沉积间隙填充材料，使得在非心轴区的一部分上形成切割块，并且切割间隔物的凹入部分被填充。
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公开(公告)号：CN105702636B
公开(公告)日：2019-09-03
申请号：CN201510744865.3
申请日：2015-11-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/31 , H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了湿气阻挡结构和/或保护环、包括其的半导体器件以及制造其的方法。湿气阻挡结构包括设置在基板的密封区域上的有源鳍，该基板包括芯片区域以及围绕芯片区域的周边的密封区域，该有源鳍连续地围绕芯片区域并且在平面图中具有蜿蜒线形状。栅结构覆盖有源鳍并且围绕芯片区域的周边。导电结构设置在栅结构上，该导电结构围绕芯片区域的周边。
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公开(公告)号：CN101188239A
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN200710306130.8
申请日：2007-09-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L23/522 , H01L21/8239 , H01L21/768
CPC classification number: H01L27/0688 , H01L27/105 , H01L27/11519 , H01L27/11526 , H01L27/11529 , H01L27/11551
Abstract: 本发明涉及一种半导体器件及其形成方法，该半导体器件包括：具有单元区域的第一区域和具有外围电路区域的第二区域的半导体衬底；该半导体衬底上的第一晶体管；覆盖该第一晶体管的第一保护层；该第一保护层上的第一绝缘层；该第一区域中的该第一绝缘层上的半导体图案；该半导体图案上的第二晶体管；覆盖该第二晶体管的第二保护层；以及该第二保护层和该第二区域的该第一绝缘层上的第二绝缘层。
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