公开(公告)号：CN101162721A

公开(公告)日：2008-04-16

申请号：CN200710180729.1

申请日：2007-10-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 孙良锈 ,  罗暎燮 ,  赵源锡 ,  郑舜文 ,  张在焄 ,  张永哲

IPC: H01L27/115 ,  H01L23/522 ,  H01L21/8247 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/115 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/8221 ,  H01L23/481 ,  H01L23/485 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11551 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种NAND快闪存储器件，包括：下半导体层和位于下半导体层上方的上半导体层，位于下半导体层中的第一漏区和第一源区，以及位于上半导体层中的第二漏区和第二源区。在该下半导体层上设置第一栅极结构，以及在该上半导体层上设置第二栅极结构。在该上半导体层上方设置位线，以及在该位线和第一漏区之间连接至少一个位线栓塞，其中该至少一个位线栓塞贯穿位于上半导体层中的漏极通孔。

公开(公告)号：CN101764130B

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：CN200910266326.8

申请日：2009-12-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李宁浩 ,  沈载煌 ,  罗暎燮

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/033 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L27/105 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/3088 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/76229 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/11519 ,  H01L27/11526

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及形成半导体器件的图案的方法，在半导体器件的图案的形成方法中，通过在一部分器件区中进行双重构图而使得图案密度加倍且不同宽度的图案被同时形成，具有可容易地应用该方法的结构的半导体器件。该半导体器件包括在第一方向上彼此平行地延伸的多个线图案。从多个线图案中在第二方向上间隔选出多个第一线图案，并且每个第一线图案具有靠近第一侧的第一端。从多个线图案中在第二方向上间隔选出的多个第二线图案，并且每个第二线图案具有靠近第一侧的第二端。第一线图案与第二线图案交替，每个第一线图案的第一端比每个第二线图案的第二端更远离第一侧。

公开(公告)号：CN101764130A

公开(公告)日：2010-06-30

申请号：CN200910266326.8

申请日：2009-12-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李宁浩 ,  沈载煌 ,  罗暎燮

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/033 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L27/105 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/3088 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/76229 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/11519 ,  H01L27/11526

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及形成半导体器件的图案的方法，在半导体器件的图案的形成方法中，通过在一部分器件区中进行双重构图而使得图案密度加倍且不同宽度的图案被同时形成，具有可容易地应用该方法的结构的半导体器件。该半导体器件包括在第一方向上彼此平行地延伸的多个线图案。从多个线图案中在第二方向上间隔选出多个第一线图案，并且每个第一线图案具有靠近第一侧的第一端。从多个线图案中在第二方向上间隔选出的多个第二线图案，并且每个第二线图案具有靠近第一侧的第二端。第一线图案与第二线图案交替，每个第一线图案的第一端比每个第二线图案的第二端更远离第一侧。