公开(公告)号：CN105702636B

公开(公告)日：2019-09-03

申请号：CN201510744865.3

申请日：2015-11-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹荣秀 ,  崔珉权 ,  孙良锈 ,  金炫助 ,  柳韩一

IPC: H01L23/31 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了湿气阻挡结构和/或保护环、包括其的半导体器件以及制造其的方法。湿气阻挡结构包括设置在基板的密封区域上的有源鳍，该基板包括芯片区域以及围绕芯片区域的周边的密封区域，该有源鳍连续地围绕芯片区域并且在平面图中具有蜿蜒线形状。栅结构覆盖有源鳍并且围绕芯片区域的周边。导电结构设置在栅结构上，该导电结构围绕芯片区域的周边。

公开(公告)号：CN105702636A

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201510744865.3

申请日：2015-11-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹荣秀 ,  崔珉权 ,  孙良锈 ,  金炫助 ,  柳韩一

IPC: H01L23/31 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了湿气阻挡结构和/或保护环、包括其的半导体器件以及制造其的方法。湿气阻挡结构包括设置在基板的密封区域上的有源鳍，该基板包括芯片区域以及围绕芯片区域的周边的密封区域，该有源鳍连续地围绕芯片区域并且在平面图中具有蜿蜒线形状。栅结构覆盖有源鳍并且围绕芯片区域的周边。导电结构设置在栅结构上，该导电结构围绕芯片区域的周边。

公开(公告)号：CN115206881A

公开(公告)日：2022-10-18

申请号：CN202210058248.8

申请日：2022-01-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李敬雨 ,  崔珉权

IPC: H01L21/8234

Abstract: 公开了一种半导体装置制造方法，所述方法包括以下步骤：在基底上形成层间介电层和下掩模层；在下掩模层上形成在第一方向上彼此间隔开的第一上掩模图案和第二上掩模图案，其中，第一上掩模图案和第二上掩模图案中的每个具有在第二方向上延伸的线部和从线部突出的第一突出部；形成覆盖第一上掩模图案的线部的侧壁和第二上掩模图案的线部的侧壁的间隔件以及填充第一上掩模图案的第一突出部和第二上掩模图案的第一突出部之间的空间的填充图案；蚀刻下掩模层以形成下掩模图案；蚀刻层间介电层以在层间介电层上形成槽；以及在槽中形成布线。