公开(公告)号：CN107026148A

公开(公告)日：2017-08-08

申请号：CN201611165928.0

申请日：2016-12-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： V.阮 ,  T.奥斯津达 ,  白宗玟 ,  安商燻 ,  金秉熙 ,  刘禹炅 ,  李来寅

IPC: H01L23/528 ,  H01L23/532 ,  H01L21/768

Abstract: 一种半导体器件可以包括：基板；第一中间绝缘层，在基板上并具有开口；导电图案，设置在开口中；第一至第四绝缘图案，堆叠在设置有导电图案的基板上；和第二中间绝缘层，设置在第四绝缘图案上。

公开(公告)号：CN107026148B

公开(公告)日：2019-12-24

申请号：CN201611165928.0

申请日：2016-12-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： V.阮 ,  T.奥斯津达 ,  白宗玟 ,  安商燻 ,  金秉熙 ,  刘禹炅 ,  李来寅

IPC: H01L23/528 ,  H01L23/532 ,  H01L21/768

Abstract: 一种半导体器件可以包括：基板；第一中间绝缘层，在基板上并具有开口；导电图案，设置在开口中；第一至第四绝缘图案，堆叠在设置有导电图案的基板上；和第二中间绝缘层，设置在第四绝缘图案上。