公开(公告)号：CN107026138A

公开(公告)日：2017-08-08

申请号：CN201611091100.5

申请日：2016-12-01

申请人： 联发科技股份有限公司

发明人： 季彦良 ,  熊明仁

IPC分类号： H01L23/485 ,  H01L23/488 ,  H01L21/48

CPC分类号： H01L24/94 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0214 ,  H01L2224/02145 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/02181 ,  H01L2224/0235 ,  H01L2224/02351 ,  H01L2224/0236 ,  H01L2224/02371 ,  H01L2224/02381 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05094 ,  H01L2224/05096 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/13027 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L23/485 ,  H01L21/4814 ,  H01L23/488

摘要： 本发明公开了晶圆级芯片级封装及其形成方法，其中，所述晶圆级芯片级封装包括：半导体结构；在所述半导体结构上形成的第一焊盘；在所述半导体结构和所述第一焊盘上形成的保护层，其中，所述保护层暴露所述第一焊盘的多个部分；在所述保护层和所述第一焊盘被所述保护层所暴露的部分上形成的导电再分布层；在所述保护层和所述导电再分布层上形成的平面层，所述平面层暴露所述导电再分布层的一部分；在所述平面层和所述导电再分布层被所述平面层所暴露的部分上形成的凸块下金属层；以及在所述凸块下金属层上形成的导电凸块。本发明提供的晶圆级芯片级封装具有较小的尺寸。

公开(公告)号：CN103582933A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201280027691.3

申请日：2012-05-03

申请人： 美光科技公司

发明人： 艾伦·G·伍德 ,  菲利普·J·爱尔兰

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L23/5226 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L23/5283 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L2224/03444 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/0348 ,  H01L2224/03845 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05025 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05094 ,  H01L2224/05096 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05157 ,  H01L2224/05176 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/0496 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/04941

摘要： 一些实施例包含形成穿过半导体衬底的互连的方法。开口可经形成以部分地延伸穿过半导体衬底，且互连的部分可形成于所述开口内。另一开口可经形成以从所述衬底的第二侧延伸到所述互连的第一部分，且所述互连的另一部分可形成于此开口内。一些实施例包含半导体构造，其具有：穿透衬底互连的第一部分，其从所述衬底的第一侧部分地延伸穿过半导体衬底；及所述穿透衬底互连的第二部分，其从所述衬底的第二侧延伸且具有全部延伸到所述互连的所述第一部分的多个单独导电指状部。

公开(公告)号：CN102820259A

公开(公告)日：2012-12-12

申请号：CN201210187956.8

申请日：2012-06-08

申请人： 长城半导体公司

发明人： S.J.安德森 ,  D.N.奥卡达

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L23/528 ,  H01L29/417 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L23/485 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/76895 ,  H01L23/4824 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L29/456 ,  H01L29/665 ,  H01L29/7835 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05094 ,  H01L2224/05096 ,  H01L2224/05111 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05562 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/11312 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13006 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

摘要： 本发明涉及半导体器件和形成功率MOSFET的方法。半导体器件具有基板，源区域和漏区域形成于基板上。硅化物层布置在源区域和漏区域上方。第一互连层形成于硅化物层上方并且包括连接到源区域的第一导板以及连接到漏区域的第二导板。第二互连层形成于第一互连层上方并且包括连接到第一导板的第三导板和连接到第二导板的第四导板。凸块下金属化部(UBM)形成于第二互连层上方并且电连接到第二互连层。掩模布置在基板上方，掩模中的开口在UBM上方对准。导电凸块材料沉积在掩模中的开口内。掩模被移除并且导电凸块材料被回流以形成凸块。

公开(公告)号：CN101740532B

公开(公告)日：2012-08-29

申请号：CN200910119325.0

申请日：2009-03-24

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 陈宪伟 ,  刘豫文 ,  蔡豪益 ,  郑心圃 ,  陈英儒

IPC分类号： H01L23/485 ,  H01L23/488

CPC分类号： H01L24/03 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/585 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/02126 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05094 ,  H01L2224/05095 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48639 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/48655 ,  H01L2224/48684 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48739 ,  H01L2224/48747 ,  H01L2224/48755 ,  H01L2224/48784 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48744

摘要： 本发明公开了一种集成电路结构，包括：焊垫；直接位于该焊垫之下的Mtop垫；至少有一部分直接位于该Mtop垫之下的Mtop-1垫，其中，该Mtop垫和该Mtop-1垫中至少一个的水平尺寸小于该焊垫的水平尺寸；互连该Mtop垫和该Mtop-1垫的多个通孔；以及该焊垫上的焊球。每个该Mtop垫和该Mtop-1垫在所有水平方向上都有对于该焊球的正外围。

公开(公告)号：CN101866898A

公开(公告)日：2010-10-20

申请号：CN201010163868.5

申请日：2010-04-15

申请人： 国际商业机器公司

发明人： 蒂莫西·H·多本斯佩克 ,  沃尔夫冈·桑特 ,  蒂莫西·D·苏里万 ,  史蒂文·L·赖特 ,  埃德蒙·斯普罗吉斯

IPC分类号： H01L23/485 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/03 ,  H01L23/5226 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/036 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05006 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05094 ,  H01L2224/05095 ,  H01L2224/05098 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05559 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/13007 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01059 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

摘要： 在一实施例中，金属结构的焊垫下组件直接位于金属焊垫下面。焊垫下组件包括邻接所述金属焊垫的上层金属线结构，位于上层金属线结构下面的下层金属线结构，和提供位于上层金属线结构和下层金属线结构之间的电连接的金属通路孔组。在另一实施例中，通过采用一组集成的金属通路孔的金属焊垫结构，金属通路孔被分段并且被分布从而促进C4球内均匀的电流密度分布，C4球的可靠性被提高。多个金属通路孔的截面的面密度在金属焊垫的中心部比在金属焊垫的平面部的周边部高。

公开(公告)号：CN101771049A

公开(公告)日：2010-07-07

申请号：CN200910266257.0

申请日：2009-12-24

申请人： 万国半导体有限公司

发明人： 弗兰茨娃·赫尔伯特

IPC分类号： H01L27/088 ,  H01L23/482 ,  H01L23/52 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L29/7835 ,  H01L24/05 ,  H01L24/45 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/402 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/456 ,  H01L29/781 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05094 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2224/48 ,  H01L2924/00

摘要： 一种半导体封装可以包含一个半导体衬底、一个带有形成在衬底上的多个单元的金属氧化物半导体场效应管器件、以及一个和设置在衬底底面上的所有单元共用的源极区。每个单元包含一个在半导体器件顶面上的漏极区、一个用于控制源极和漏极区之间电流流量的栅极、一个邻近栅极的源极接触点，以及源极接触点和源极区之间的电接触。至少一个漏极接触点电耦合到漏极区域上。源极、漏极和栅极垫分别电连接到器件的源极区、漏极区和栅极。漏极、源极和栅极垫形成在半导体封装的一个表面上。单元通过衬底分布，因此每个器件的源极接触点和源极区之间的电连接分布也通过衬底。本发明允许在晶片等级上进行处理，降低成本和缩小独立器件的尺度，并使接触点遍及晶粒，降低电子干扰和阻抗。

公开(公告)号：CN1870260A

公开(公告)日：2006-11-29

申请号：CN200610059210.3

申请日：2006-03-15

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 崔慈英

IPC分类号： H01L23/522 ,  H01L23/485 ,  H01L21/768 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05094 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： 根据本发明的结合衬垫结构包括一个或多个介电层图案和/或设置在相应的第一导电层图案周边内的导电通路图案。可以构造这些图案使得在结合衬垫镀金属工序的连续水平上的图案以倾向于增加所得结合衬垫结构对后续的机械和/或热应力的抵抗力的方式偏移。通过提高结合衬垫结构的粘附，也可以实现分离的频率及程度的减小、包括在结合衬垫结构中的各种导电和介电层的分层或剥落的减小。

公开(公告)号：CN106992163A

公开(公告)日：2017-07-28

申请号：CN201610836377.X

申请日：2016-09-21

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 郑志楷 ,  谢政杰 ,  黄诗雯

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L24/32 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/7685 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/0221 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05094 ,  H01L2224/05095 ,  H01L2224/05096 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05559 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/08054 ,  H01L2224/08059 ,  H01L2224/32113 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/35121 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L24/13 ,  H01L23/481 ,  H01L2224/10125 ,  H01L2224/13009 ,  H01L2224/13012

摘要： 公开了一种具有防焊盘剥离结构的半导体器件。该半导体器件包括具有衬底穿孔(TSV)的半导体衬底；半导体衬底上且包括其中的多个凹槽的介电层；以及位于半导体衬底之上以覆盖介电层部分和延伸至凹槽的焊盘；其中，焊盘延伸至多个凹槽，以及在焊盘和导电层之间的凹槽中限制多个接触点，以及当自上向下角度看时，每个接触点至少部分地被排除在TSV的边界之外。本发明实施例涉及具有防焊盘剥离结构的半导体器件和相关方法。

公开(公告)号：CN103582933B

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201280027691.3

申请日：2012-05-03

申请人： 美光科技公司

发明人： 艾伦·G·伍德 ,  菲利普·J·爱尔兰

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L23/5226 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L23/5283 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L2224/03444 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/0348 ,  H01L2224/03845 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05025 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05094 ,  H01L2224/05096 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05157 ,  H01L2224/05176 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/0496 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/04941

摘要： 一些实施例包含形成穿过半导体衬底的互连的方法。开口可经形成以部分地延伸穿过半导体衬底，且互连的部分可形成于所述开口内。另一开口可经形成以从所述衬底的第二侧延伸到所述互连的第一部分，且所述互连的另一部分可形成于此开口内。一些实施例包含半导体构造，其具有：穿透衬底互连的第一部分，其从所述衬底的第一侧部分地延伸穿过半导体衬底；及所述穿透衬底互连的第二部分，其从所述衬底的第二侧延伸且具有全部延伸到所述互连的所述第一部分的多个单独导电指状部。

公开(公告)号：CN103021978A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201110283538.4

申请日：2011-09-22

申请人： 上海华虹NEC电子有限公司

发明人： 苏庆

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/485

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/05094 ,  H01L2224/05095 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00012

摘要： 本发明公开了一种集成电路芯片上供封装的焊垫结构，包括至少三层相互平行的金属层，倒数第二层金属设置于顶层金属的下方，倒数第二层金属的下方设置有倒数第三层金属或者更多与倒数第三层金属平行的金属层；所述顶层金属为八边形；所述倒数第二层金属包括八边形的环形金属层，环形金属层的中央设置有多个规则排列的方形金属层，环形金属层和方形金属层分别通过多个顶层通孔连接顶层金属；所述倒数第三层金属通过多个倒数第二层通孔连接倒数第二层金属的环形金属层。本发明能够解决现有的焊垫结构无法将有源或无源器件放置于焊垫下方的问题，能够节省芯片所占用的面积，降低设计成本。