公开(公告)号：CN103579313A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201210283176.3

申请日：2012-08-10

申请人： 上海华虹NEC电子有限公司

发明人： 宁开明 ,  董科 ,  武洁 ,  董金珠

IPC分类号： H01L29/40 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/7835 ,  H01L29/063 ,  H01L29/404 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/0611 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/7816

摘要： 本发明公开了一种提高高压LDMOS器件击穿电压的结构，所述LDMOS器件的硅衬底上形成由深阱构成的漂移区；深阱中形成有场氧化层，场氧化层下方形成有一埋层，靠近漏区的一侧场氧化层上形成有漏区多晶场板，另一侧形成有栅极多晶场板；硅衬底中形成一阱区，阱区内形成由第一掺杂区组成的源区，深阱中形成由第二掺杂区组成的漏区；第一掺杂区通过源区金属场板引出源极，漏区通过漏区金属场板与漏区多晶场板相连；源区金属场板与漏区金属场板之间形成有栅极金属场板；漂移区上方还形成有至少一条场板。本发明可以改变电场分布，提高漂移区的电场强度，同时对源漏两端的电场强度影响较小，使器件的整个电场积分面积增大，有效地提高了高压LDMOS器件的耐压水平。

公开(公告)号：CN103579312A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201210262516.4

申请日：2012-07-27

申请人： 上海华虹NEC电子有限公司

发明人： 谭颖

IPC分类号： H01L29/40 ,  H01L27/115 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8247

CPC分类号： H01L21/76897 ,  H01L21/76895 ,  H01L27/115

摘要： 本申请公开了一种具有自对准接触孔与硅化物的器件，自对准接触孔的底部直接与硅接触，常规接触孔底部直接与硅化物接触。其制造方法为：在硅片上划分出采用自对准接触孔刻蚀工艺的第一区域和不采用自对准接触孔刻蚀工艺的第二区域。在硅片上淀积用于形成硅化物的金属之前，先在第一区域之上完整覆盖介质保护层。然后形成硅化物。接着去除残留的金属、以及第一区域的介质保护层。最后淀积金属前介质，并在第一区域以自对准刻蚀工艺、在第二区域以常规刻蚀工艺分别形成接触孔。本申请兼顾了自对准接触孔与硅化物两者的优势，又避免了两者所各自存在的缺陷。

公开(公告)号：CN103578999A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201210271994.1

申请日：2012-08-01

申请人： 上海华虹NEC电子有限公司

发明人： 刘远良 ,  胡晓明 ,  徐向明

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L29/66477 ,  H01L21/265 ,  H01L21/266

摘要： 本发明公开了一种超级结的制备工艺方法，主要针对深沟槽加P柱填入方式制备超级结的工艺，在P柱形成过程中，首先利用外延生长工艺采用单晶硅填充部分沟槽，然后再利用掺杂的多晶硅（poly）填充剩余部分的沟槽，要求多晶硅的掺杂浓度要大于底部外延填充单晶硅的浓度。最后利用干法刻蚀将硅表面的多晶硅进行回刻。通过外延加多晶硅填充超级结深沟槽，一方面可以提高P柱顶端的浓度，降低阱区的电阻，并最终改善器件的雪崩击穿能力；另一方面也可以简化工艺，降低生产成本。

公开(公告)号：CN103578948A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201210266287.3

申请日：2012-07-30

申请人： 上海华虹NEC电子有限公司

发明人： 陈瑜 ,  罗啸 ,  马斌

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/265

CPC分类号： H01L21/28035 ,  H01L29/401

摘要： 本发明公开了一种抑制PMOS器件工艺中栅极多晶硅耗尽的方法，包括步骤：在栅极多晶硅中注入硼离子；在栅极多晶硅表面注入铟离子；在栅极多晶硅的表面形成钨硅层。本发明通过在PMOS器件的栅极多晶硅硼注入之后，再进行铟注入，通过铟注入使栅极多晶硅表面发生固态相变，并使栅极多晶硅的表面形成晶界缺陷得到减少的多晶硅新核，多晶硅新核的形成能够降低掺杂原子的扩散速率，阻止硼向栅极多晶硅的表面扩散，能够降低在后续热过程中促使硼渗透到钨硅层中的风险，从而能有效抑制PMOS器件工艺中栅极多晶硅耗尽现象的发生，使PMOS器件的阈值电压稳定。

公开(公告)号：CN103545364A

公开(公告)日：2014-01-29

申请号：CN201210239999.6

申请日：2012-07-11

申请人： 上海华虹NEC电子有限公司

发明人： 邵向荣 ,  张朝阳

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/66477 ,  H01L21/76897 ,  H01L29/78

摘要： 本发明公开了一种自对准接触孔的小尺寸MOSFET的制作方法，包括步骤：1）刻蚀沟槽，生长栅氧，淀积多晶硅并回刻；2）生长衬垫氧化层，进行体区、源区注入及热退火；3）淀积氮化硅和LPTEOS；4）回刻除去TEOS和氮化硅；5）淀积层间介质层并平坦化；6）涂布光刻胶，曝光接触孔；然后除去光刻胶，干法刻蚀层间介质层至硅表面，再进行硅刻蚀，形成接触孔底部沟槽。本发明还公开了应用上述方法制作的MOSFET结构。本发明通过在传统制造工艺基础上，增加一层SiN和LPTEOS的淀积和刻蚀，实现了接触孔与栅极沟槽的自对准，从而在不增加光刻层数的前提下，解决了元胞尺寸缩小过程中遇到的接触孔套准精度问题。

公开(公告)号：CN103516636A

公开(公告)日：2014-01-15

申请号：CN201210207060.1

申请日：2012-06-21

申请人： 上海华虹NEC电子有限公司

发明人： 朱红卫 ,  刘国军

IPC分类号： H04L25/02

摘要： 本发明公开了一种低压差分信号传输接收器，包括：一接收器和一并联所述接收器的100Ω电阻，其中，所述接收器包括三级顺序相连的比较电路；第一级比较电路，能实现1.125V～1.375V的共模电压输入范围和交叉耦合的信号整形，具有两输入端，两输出端输出信号到第二级比较电路；第二级比较电路，具有两输入端分别连接第一级比较电路的输出端，具有两输出端；第三级比较电路，具有两输入端分别连接第二级比较电路的输出端,具有两输出端；第二级、第三级比较电路，在高速信号下进一步恢复第一级比较电路的不完整信号，整体实现对第一比较电路的宽共模输入接收，全摆幅信号恢复和信号整形。本发明能接收1.125V～1.375V的共模电压输入范围，按照LVDS协议能实现2Gbps的传速速率。

公开(公告)号：CN103515198A

公开(公告)日：2014-01-15

申请号：CN201210216576.2

申请日：2012-06-27

申请人： 上海华虹NEC电子有限公司

发明人： 李伟峰 ,  郭晓波

IPC分类号： H01L21/027 ,  G03F7/00

CPC分类号： H01L21/0274 ,  H01L21/3085

摘要： 本发明公开了一种连续形成两道深度不同的孔或槽的工艺方法，包括步骤：采用光刻刻蚀工艺在硅片上形成深孔或槽；在硅片表面均匀涂抹一第一层光刻胶，该第一层光刻胶为正性光刻胶；对整个硅片表面进行全面曝光；进行光刻显影将曝光后的第一层光刻胶去除，深孔或槽底部由未被曝光的第一层光刻胶完全填充；在硅片表面形成第二层光刻胶，采用光刻刻蚀工艺形成浅孔或槽。本发明能在先形成深孔或槽、再形成浅孔或槽的过程中用光刻胶对深沟槽进行良好的保护，从而能减少在浅孔或槽的刻蚀过程中产生的缺陷，能保障后道工艺的稳定性，且无需增加光刻掩膜版，能降低工艺成本。

公开(公告)号：CN103474335A

公开(公告)日：2013-12-25

申请号：CN201210185391.X

申请日：2012-06-07

申请人： 上海华虹NEC电子有限公司

发明人： 朱熹 ,  邵向荣

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/336

摘要： 本发明公开了一种小线宽沟槽式功率MOS晶体管的制备方法，包括步骤：1）刻蚀倒梯形沟槽；2）在沟槽内生长栅氧，并沉积栅极多晶硅；3）回刻栅极多晶硅，并过刻蚀至沟槽内部；4）沉积二氧化硅层间电介质，使沟槽上部完全填满；5）回刻二氧化硅层间电介质至与沟槽齐平；6）进行阱、源注入；7）回刻二氧化硅层间电介质至外延表层；8）自对准接触孔刻蚀；9）沉积顶层金属，按照现有工艺完成MOS管的制备。本发明通过改进栅极沟道及介质层的结构，利用氧化硅与硅的刻蚀速率不同的原理，进行自对准接触孔刻蚀，从而解决了传统工艺在线宽缩小过程中遇到的接触孔套刻精度问题，使线宽的进一步缩小成为可能。

公开(公告)号：CN103456798A

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：CN201210182968.1

申请日：2012-06-05

申请人： 上海华虹NEC电子有限公司

发明人： 石晶 ,  刘冬华 ,  钱文生 ,  胡君 ,  段文婷

IPC分类号： H01L29/861 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329

摘要： 本发明公开了一种TVS器件，该器件弃用扩散隔离，而采用高掺杂浓度的低阻衬底，在低阻衬底上方淀积低掺杂浓度的外延层以降低TVS器件的电容，衬底上方通过铟注入制作P型埋层，有效减轻了硼杂质扩散带来的问题。再进行一次低掺杂浓度外延淀积后制作N型埋层，两层埋层均作重掺杂，利用两种不同类型埋层的掺杂浓度来调节TVS的箝位电压，在有源区两侧采用扩散隔离，并由此连接埋层引出电极。本发明还公开了所述TVS器件的制造方法。

公开(公告)号：CN103456797A

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：CN201210182946.5

申请日：2012-06-05

申请人： 上海华虹NEC电子有限公司

发明人： 石晶 ,  刘冬华 ,  钱文生 ,  胡君 ,  段文婷

IPC分类号： H01L29/861 ,  H01L21/329

摘要： 本发明公开了一种TVS器件，该器件弃用扩散隔离，而采用高掺杂浓度的低阻衬底，衬底上方通过铟注入制作P型埋层，再进行一次低掺杂浓度外延淀积后制作N型埋层，两种埋层作重掺杂，利用两种不同类型埋层的掺杂浓度来调节瞬态电压抑制器的箝位电压，在埋层上方淀积低掺杂浓度的外延层，器件表面利用N型多晶硅和P型多晶硅引出电极，并且利用热扩散在两个表面二极管处形成浅结，降低结附近的掺杂浓度，以降低TVS器件的电容。本发明还公开了所述TVS器件的制造方法。