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公开(公告)号：CN119487235A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202380049915.9
申请日：2023-04-10
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/08 , C23C16/44 , C23C16/448 , C23C16/458 , H01L21/285
Abstract: 一种在基板之上形成含钨层的方法，包括a)将基板定位在处理腔室的处理容积中的基板支撑件上；b)向处理腔室的处理容积提供前驱物气体达第一持续时间；和c)通过打开含钨气体递送管线上的脉冲阀来向处理腔室的处理容积提供含钨气体达第二持续时间以在基板之上形成含钨层，第二持续时间发生在第一持续时间之后。含钨气体递送管线包括连接至脉冲阀的入口的第一区段和连接至脉冲阀的出口的第二区段，第一区段将脉冲阀的入口连接至含钨气体的贮存器，第二区段将脉冲阀的出口连接至处理腔室的入口。
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公开(公告)号：CN114846595A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202080088501.3
申请日：2020-11-11
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/66 , G01N21/3504 , G01N21/31
Abstract: 一种系统可以包括：主线路，用于递送第一气体；以及传感器，用于测量被递送通过主线路的第一气体中的前驱物的浓度。系统可以进一步包括：第一子线路和第二子线路，分别用于提供通往第一处理腔室和第二处理腔室的流体通路。第一子线路可以包括：第一流量控制器，用于控制流动通过第一子线路的第一气体。第二子线路可以包括：第二流量控制器，用于控制流动通过第二子线路的第一气体。可以将递送控制器配置为基于前驱物的测量到的浓度来控制第一流量控制器和第二流量控制器，以将第一气体与第二气体的第一混合物和第一气体与第二气体的第二混合物分别递送到第一半导体处理腔室和第二半导体处理腔室中。
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公开(公告)号：CN112106173A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN201980031593.9
申请日：2019-07-18
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/768
Abstract: 本公开的实施例与具有零图案负载特性的介电层沉积方法相关。在一个实施例中，该方法包括以下步骤：通过在处理腔室中不存在等离子体的情况下将基板同时暴露于沉积前驱物和调整气体，来在具有图案化的区域和覆盖区域的基板上沉积保形介电层，其中该沉积前驱物起反应以形成化学反应副产物，且该化学反应副产物与该调整气体相同，并且其中该沉积前驱物和该调整气体是以大于沉积反应在该图案化的区域和该覆盖区域处发生所需的量提供的。
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公开(公告)号：CN109689295A
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201780051335.8
申请日：2017-09-08
Applicant: 应用材料公司
IPC: B24B37/32 , B24B37/005 , B24B49/00 , B24B57/02 , H01L21/306
CPC classification number: B24B37/32 , B24B37/042 , B24B37/046 , B24B37/34 , G01H1/00 , G01H11/06 , G08C17/02 , G08C2201/50 , H04Q9/00 , H04Q2209/43 , H04Q2209/47 , H04Q2209/88
Abstract: 本公开内容的实施方式总体涉及基板的化学机械抛光(CMP)。在一个实施方式中，本文公开了用于CMP设备的承载头。承载头包括主体、支撑环和传感器组件。支撑环耦接至主体。传感器组件至少部分地定位于主体中。传感器组件包括发射器、天线和振动传感器。发射器具有第一端和第二端。天线耦接至发射器的第一端。振动传感器耦接至第二端。振动传感器经配置以检测化学机械过程期间相对于承载头的径向轴、方位轴和角轴的振动。
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公开(公告)号：CN111066133B
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN201880056745.6
申请日：2018-08-10
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/683 , C23C16/44 , H01L21/02
Abstract: 在一方面，一种设备包括：腔室主体；区隔板，所述区隔板用于将工艺气体递送到气体混合容积中；以及面板，所述面板具有孔，混合气体通过所述孔来分布到衬底。在另一方面，所述面板可以包括第一区域，所述第一区域相对于第二区域具有凹陷部。在另一方面，所述区隔板可以包括多个区域，每个区域具有不同的孔图案/几何形状和/或流型。在另一方面，所述设备可以包括辐射屏蔽件，所述辐射屏蔽件设置在衬底支撑件的底部下方。所述衬底支撑件的轴或杆在其靠近所述衬底支撑件的上端处包括孔。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116529850A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202180077566.2
申请日：2021-10-04
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/033
Abstract: 本技术的实施例包括用于制成具有改变的硼硅原子比的含硼与硅层的半导体处理方法。方法可包括使含硅前驱物流入半导体处理腔室的基板处理区域中，并且还使含硼前驱物及分子氢(H2)流入半导体处理腔室的基板处理区域中。含硼前驱物及H2可以一硼氢流速比流动。含硼前驱物及H2的流动速率可增加，同时在流动速率增加期间硼氢流速比保持恒定。含硼与硅层可在基板上沉积，并且可由从与基板接触的第一表面到最远离基板的含硼与硅层的第二表面的连续增加的硼硅比表征。
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公开(公告)号：CN115699252A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202180042460.9
申请日：2021-07-13
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , C23C16/24 , C23C16/505 , C23C16/56
Abstract: 半导体处理的示例性方法可包括将含硅前驱物流动至半导体处理腔室的处理区域中。基板可容纳在处理区域内，且基板可维持在低于或约450℃的温度下。方法可包括冲击含硅前驱物的等离子体。方法可包括在半导体基板上形成非晶硅层。非晶硅层的特征可在于小于或约3％的氢掺入。
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公开(公告)号：CN113316835A
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN201980089580.7
申请日：2019-12-23
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02
Abstract: 提供了用于形成氮化硅硼层的方法。所述方法包括：将基板定位在工艺腔室内的工艺区域中的基座上；加热保持基板的基座；以及将第一工艺气体的第一气流和第二工艺气体的第二气流引入工艺区域。第一工艺气体的第一气流含有硅烷、氨、氦、氮、氩和氢。第二工艺气体的第二气流含有乙硼烷和氢。所述方法还包括：与到达工艺区域的第一工艺气体的第一气流和第二工艺气体的第二气流同时形成等离子体，并将基板暴露于第一工艺气体、第二工艺气体和等离子体，以在基板上沉积氮化硅硼层。
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公开(公告)号：CN111066133A
公开(公告)日：2020-04-24
申请号：CN201880056745.6
申请日：2018-08-10
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/683 , C23C16/44 , H01L21/02
Abstract: 在一方面，一种设备包括：腔室主体；区隔板，所述区隔板用于将工艺气体递送到气体混合容积中；以及面板，所述面板具有孔，混合气体通过所述孔来分布到衬底。在另一方面，所述面板可以包括第一区域，所述第一区域相对于第二区域具有凹陷部。在另一方面，所述区隔板可以包括多个区域，每个区域具有不同的孔图案/几何形状和/或流型。在另一方面，所述设备可以包括辐射屏蔽件，所述辐射屏蔽件设置在衬底支撑件的底部下方。所述衬底支撑件的轴或杆在其靠近所述衬底支撑件的上端处包括孔。
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公开(公告)号：CN307491734S
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202230136079.6
申请日：2022-03-16
Applicant: 应用材料公司
Designer： 黄祖滨 , 斯里尼瓦斯·托库尔·莫哈纳 , 斯里尼瓦斯·帕蒂尔·尚塔韦拉斯瓦米 , 山帝仕·亚当 , 拉维·加勒巴利 , 哈普利特·辛格 , 曼朱纳塔·特鲁格
Abstract: 1.本外观设计产品的名称：遮蔽环升降组合。
2.本外观设计产品的用途：本外观设计产品用作用于基板处理系统的遮蔽环升降组合。
3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。
4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图1。
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