公开(公告)号：CN119487235A

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202380049915.9

申请日：2023-04-10

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 黄祖滨 ,  穆罕默德·贾希尔·谢夫丁 ,  戴维·马修·桑蒂 ,  贾勒帕里·拉维 ,  王珮琪 ,  吴凯

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/08 ,  C23C16/44 ,  C23C16/448 ,  C23C16/458 ,  H01L21/285

Abstract: 一种在基板之上形成含钨层的方法，包括a)将基板定位在处理腔室的处理容积中的基板支撑件上；b)向处理腔室的处理容积提供前驱物气体达第一持续时间；和c)通过打开含钨气体递送管线上的脉冲阀来向处理腔室的处理容积提供含钨气体达第二持续时间以在基板之上形成含钨层，第二持续时间发生在第一持续时间之后。含钨气体递送管线包括连接至脉冲阀的入口的第一区段和连接至脉冲阀的出口的第二区段，第一区段将脉冲阀的入口连接至含钨气体的贮存器，第二区段将脉冲阀的出口连接至处理腔室的入口。