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公开(公告)号：CN104737275B
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：CN201380054229.7
申请日：2013-10-25
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 傅新宇 , 斯里尼瓦斯·甘迪科塔 , 阿夫耶里诺斯·V·杰拉托斯 , 阿蒂夫·努里 , 张镁 , 戴维·汤普森 , 史蒂夫·G·加奈耶姆
IPC: H01L21/205
CPC classification number: H01L21/28562 , C23C16/0272 , C23C16/06 , C23C16/14 , C23C16/345 , C23C16/42 , C23C16/45525 , C23C16/45551 , C23C16/45553 , C23C16/45563 , C23C16/45565 , C23C16/4557 , C23C16/45574 , H01L21/28088 , H01L21/28506 , H01L21/32051 , H01L21/32053 , H01L21/76877
Abstract: 本发明提供使用含钨反应气体沉积钨膜或含钨膜的原子层沉积方法，所述含钨反应气体包含以下的一或多种：五氯化钨、具有经验式WCl5或WCl6的化合物。
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公开(公告)号：CN104769702A
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201380055126.2
申请日：2013-10-23
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/67017 , Y10T137/8593
Abstract: 在一些实施方式中，一种模块化化学输送系统可包括多个气体输送单元，所述多个气体输送单元直接地且可移除地耦接至彼此，其中每一气体输送单元包括：主体，该主体具有第一空间；设置于该第一空间中的多个气体棒，其中所述多个气体棒的每一者经配置以经由主体中的一或更多入口耦接至至少一个气体供应器；设置于该第一空间中的多个阀门，每一阀门分别对齐该至少一个气体供应器的相应的一者设置；至少一个出口导管，该出口导管将至少一种工艺气体输送至处理腔室中的一或更多气体输送区；和电控制器，设置于该第一空间且经配置以控制所述多个气体棒和所述多个阀门。
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公开(公告)号：CN113678231A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202080027926.3
申请日：2020-03-02
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 岑羲 , 马飞越 , 吴凯 , 雷雨 , 大东和也 , 徐翼 , 维卡什·班西埃 , 张镁 , 任河 , 雷蒙德·霍曼·洪 , 姚雅宽 , 阿夫耶里诺斯·V·杰拉托斯 , 戴维·T·奥 , 周静 , 蹇国强 , 林志周 , 赖一鸣 , 叶佳 , 王振宇
IPC: H01L21/285 , C23C14/14 , C23C14/34 , C23C14/02 , H01L21/28 , H01L21/306 , H01L21/67 , C23C14/04
Abstract: 本公开内容一般涉及用于处理基板的方法，且更尤其涉及用于形成金属间隙填充物的方法。在一个实施方式中，该方法包括使用多步骤处理在开口中形成金属间隙填充物。多步骤处理包括：形成金属间隙填充物的第一部分，实行溅射处理以在一个或多个侧壁上形成一个或多个层，和使金属间隙填充物的第二部分生长以用金属间隙填充物来填充开口。通过多步骤处理形成的金属间隙填充物是无缝的，且形成在一个或多个侧壁上的一个或多个层密封在金属间隙填充物与侧壁之间的任何间隙或缺陷。由此，在后续处理中利用的流体不会扩散穿过金属间隙填充物。
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公开(公告)号：CN110024079A
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201780071909.8
申请日：2017-11-20
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 阿夫耶里诺斯·V·杰拉托斯 , 仓富敬 , 海克·林 , 伊诚·陈 , 张镁
IPC: H01L21/02 , H01L21/285
Abstract: 在基板的高深宽比特征结构中的含硅表面上选择性地沉积含钛膜的方法包括等离子体功率在范围为约1毫瓦/cm2至小于约700毫瓦/cm2和频率在范围为约10kHz至约50MHz的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)处理。此钛膜可以范围为至少约1.3：1的金属性硅表面相对于二氧化硅表面的选择性而被选择性沉积。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104813450B
公开(公告)日：2018-08-14
申请号：CN201380061897.2
申请日：2013-09-17
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/31116 , H01L21/02057 , H01L21/324 , H01L21/326
Abstract: 本文描述了用于处理基板的多种方法。所述方法可包括将具有包括硅氧化物层的暴露表面的基板定位于处理腔室中，将所述基板偏压，处理所述基板以使硅氧化物层的一部分变粗糙，加热所述基板至第一温度，将所述基板的所述暴露表面暴露于氟化铵，以在保持第一温度的同时形成一种或更多种挥发性产物，和加热所述基板至高于第一温度的第二温度以升华所述挥发性产物。
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公开(公告)号：CN108138336A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201680057628.2
申请日：2016-09-20
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: H01L21/02068 , B08B3/00 , B08B3/106 , B08B5/00 , B08B7/0035 , B08B9/00 , B08B9/027 , C23G1/24 , F01D5/005 , F05D2230/90 , H01L21/02063 , H01L21/76814
Abstract: 本文提供用于处理基板的方法。在一些实施方式中，一种处理基板的方法，包括以下步骤：将设置于基板处理腔室的处理容积内的基板加热到达约400摄氏度的温度，其中基板包括暴露的导电材料；和将基板暴露于处理气体，以还原导电材料的受污染表面，处理气体包括约80重量％至约100重量％的醇类蒸气。在一些实施方式中，基板进一步包括第一表面，所述第一表面具有形成于第一表面中的开口，其中暴露的导电材料系为设置于基板中并与开口对准的导电材料的一部分，以使得设置于基板中的导电材料的一部分经由开口而暴露。
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公开(公告)号：CN105143502A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201480013391.9
申请日：2014-03-11
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/00 , C23C16/44 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/67126 , H01L21/6719
Abstract: 本文公开了用于处理腔室的盖体组件及包括盖体组件的处理腔室。盖体组件包括高温盖体模块及外壳。高温盖体模块设置成邻近处理腔室的处理衬里。柔性外壳设置在高温盖体模块的周围，且使用弹性环连接到所述高温盖体模块。
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公开(公告)号：CN111989762B
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN201980026264.5
申请日：2019-04-11
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/324 , H10D30/62 , H10D30/01 , H01L21/67 , C23C16/455
Abstract: 本公开内容涉及一种在基板上形成具有期望p功函数的p金属功函数氮化物膜的方法，包括：调节基板温度、一或多个时间上分开的气相脉冲的持续时间、钨前驱物与钛前驱物的比率、或反应的压力中的一或多项以将p金属功函数氮化物膜的功函数调谐为期望p功函数；和使基板与钨前驱物、钛前驱物、及反应气体的时间上分开的气相脉冲接触以在所述基板上形成具有期望p功函数的p金属功函数氮化物膜。
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公开(公告)号：CN117604484A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202311426527.6
申请日：2019-12-19
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/14 , C23C16/04 , C23C16/505 , C23C16/509 , C23C16/42 , C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/56 , H01J37/32 , H01L21/285 , H01L21/67 , H01L21/768
Abstract: 揭露了用于在具有硅表面和介电表面的基板的顶上选择性地沉积钛材料层的方法和设备。在实施方式中，一种设备被配置成用于在处理腔室的盖加热器和喷头之间的区域中在摄氏200至800度的第一温度下在四氯化钛(TiCl4)、氢(H2)和氩(Ar)之间形成远程等离子体反应；及使反应产物流入处理腔室中，以在基板的硅表面上选择性地形成钛材料层。
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