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公开(公告)号：CN109309013B
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN201810836178.8
申请日：2018-07-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种方法包括在载体上方形成释放膜，在释放膜上方形成聚合物缓冲层，在聚合物缓冲层上形成金属柱，将金属柱密封在密封材料中，对密封材料实施平坦化以暴露金属柱，在密封材料和金属柱上方形成再分布结构，以及分解释放膜的第一部分。分解后留下释放膜的第二部分。在聚合物缓冲层中形成开口以暴露金属柱。本发明的实施例还提供了LTHC在形成封装件中作为电荷阻挡层、封装件及其形成方法。
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公开(公告)号：CN104752236B
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201410385450.7
申请日：2014-08-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/50
CPC classification number: H01L21/565 , H01L21/486 , H01L21/56 , H01L21/561 , H01L21/563 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L23/145 , H01L23/147 , H01L23/28 , H01L23/29 , H01L23/31 , H01L23/3107 , H01L23/3114 , H01L23/3128 , H01L23/3135 , H01L23/36 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L23/5329 , H01L23/5384 , H01L23/60 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L25/0652 , H01L25/0655 , H01L25/50 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/0401 , H01L2224/0557 , H01L2224/05573 , H01L2224/05583 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05666 , H01L2224/05671 , H01L2224/05684 , H01L2224/06181 , H01L2224/11002 , H01L2224/1132 , H01L2224/11334 , H01L2224/1145 , H01L2224/11452 , H01L2224/11462 , H01L2224/11464 , H01L2224/13082 , H01L2224/13109 , H01L2224/13111 , H01L2224/13116 , H01L2224/13124 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13164 , H01L2224/1403 , H01L2224/14181 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/81192 , H01L2224/81815 , H01L2224/81895 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/92125 , H01L2224/94 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06589 , H01L2924/10252 , H01L2924/10253 , H01L2924/10254 , H01L2924/10271 , H01L2924/10272 , H01L2924/10329 , H01L2924/10333 , H01L2924/10335 , H01L2924/10342 , H01L2924/12042 , H01L2924/1431 , H01L2924/1432 , H01L2924/1434 , H01L2924/15311 , H01L2924/157 , H01L2924/1579 , H01L2924/181 , H01L2924/18161 , H01L2924/00 , H01L2224/11 , H01L2224/03 , H01L2924/00012
Abstract: 本公开的实施例包括半导体封装件及其形成方法。一个实施例是一种方法，包括：将管芯安装到衬底的顶面以形成器件；将管芯和衬底的顶面封装在模塑料中，模塑料在管芯之上具有第一厚度；以及去除管芯之上的模塑料的部分但非所有厚度。该方法还包括对器件执行进一步处理并且去除管芯之上的模塑料的剩余厚度。
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公开(公告)号：CN104916579A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201410443141.0
申请日：2014-09-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/522
CPC classification number: H01L24/13 , H01L23/3192 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L2224/0345 , H01L2224/03912 , H01L2224/0401 , H01L2224/05008 , H01L2224/05022 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05166 , H01L2224/05181 , H01L2224/05186 , H01L2224/05573 , H01L2224/0558 , H01L2224/05655 , H01L2224/05666 , H01L2224/1145 , H01L2224/11462 , H01L2224/1147 , H01L2224/11821 , H01L2224/11827 , H01L2224/11848 , H01L2224/11849 , H01L2224/119 , H01L2224/13006 , H01L2224/13007 , H01L2224/13082 , H01L2224/13083 , H01L2224/13111 , H01L2224/13147 , H01L2224/13565 , H01L2224/1357 , H01L2224/13693 , H01L2924/13091 , H01L2924/00 , H01L2924/01074 , H01L2924/01029 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2924/01082 , H01L2924/01079 , H01L2224/1182 , H01L2924/00012 , H01L2924/04953 , H01L2924/01047
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件结构和制造方法。该方法包括在半导体衬底上方形成导电柱。该方法还包括在导电柱上方形成焊料层。该方法还包括在焊料层上方形成水溶性助焊剂。此外，该方法包括使焊料层回流以在导电柱上方形成焊料凸块并在焊料层回流期间在导电柱的侧壁上方形成侧壁保护层。本发明还涉及半导体器件结构和制造方法。
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公开(公告)号：CN102157450A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN201010254693.9
申请日：2010-08-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8249 , H01L21/768 , H01L27/04 , H01L23/522
CPC classification number: H01L27/0623 , H01L21/28518 , H01L21/8249 , H01L29/45
Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。上述半导体装置的制造方法包括提供一基板，于基板上形成第一类型晶体管和第二类型晶体管。遮蔽第一类型晶体管，且于第二类型晶体管上形成第一硅化物区域。遮蔽第二类型晶体管，且于第一类型晶体管上形成第二硅化物区域，第二硅化物具有不同于第一硅化物的至少一特性，因而允许在各别元件上形成特定的硅化物区域。当工艺成本保持在一最小值时，允许较大最佳化和工艺控制。
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公开(公告)号：CN107818962B
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN201710610887.X
申请日：2017-07-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/48 , H01L23/488 , H01L21/60
Abstract: 本发明实施例涉及半导体结构及其制造方法。特别的，本发明实施例的一种半导体结构包含：衬底；裸片，其放置在所述衬底上方且包含裸片垫、放置在所述裸片垫上方的导电通路及环绕所述导电通路的介电材料；模塑物，其放置在所述衬底上方且环绕所述裸片；下部介电层，其较接近所述衬底而放置且放置在所述介电材料及所述模塑物上方；及上部介电层，其较远离所述衬底而放置且放置在所述下部介电层上方，其中所述上部介电层中的材料含量比率实质上大于所述下部介电层中的材料含量比率，且所述材料含量比率实质上反向影响所述上部介电层及所述下部介电层的机械强度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107833864B
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201710617523.4
申请日：2017-07-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 实施例是一种结构，该结构包括：第一封装件，第一封装件包括第一管芯和至少横向包封第一管芯的模塑料；通过第一组导电连接件接合至第一封装件的第二封装件，第二封装件包括第二管芯和位于第一封装件和第二封装件之间并且围绕第一组导电连接件的底部填充物，底部填充物具有沿着第二封装件的侧壁向上延伸的第一部分，该第一部分具有第一侧壁，该第一侧壁具有弯曲部分和平坦部分。发明实施例涉及封装结构及其形成方法。
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公开(公告)号：CN110310929A
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201811608334.1
申请日：2018-12-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/535
Abstract: 一种封装包括管芯、多个第一导电结构、多个第二导电结构、包封体及重布线结构。所述管芯具有有源表面及与所述有源表面相对的后表面。所述第一导电结构及所述第二导电结构环绕所述管芯。所述第一导电结构包括圆形柱且所述第二导电结构包括椭圆形柱或圆台。所述包封体包封所述管芯、所述第一导电结构及所述第二导电结构。所述重布线结构位于所述管芯的所述有源表面及所述包封体上。所述重布线结构电连接到所述管芯、所述第一导电结构及所述第二导电结构。
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公开(公告)号：CN107833864A
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：CN201710617523.4
申请日：2017-07-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 实施例是一种结构，该结构包括：第一封装件，第一封装件包括第一管芯和至少横向包封第一管芯的模塑料；通过第一组导电连接件接合至第一封装件的第二封装件，第二封装件包括第二管芯和位于第一封装件和第二封装件之间并且围绕第一组导电连接件的底部填充物，底部填充物具有沿着第二封装件的侧壁向上延伸的第一部分，该第一部分具有第一侧壁，该第一侧壁具有弯曲部分和平坦部分。发明实施例涉及封装结构及其形成方法。
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公开(公告)号：CN107833837A
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：CN201710618102.3
申请日：2017-07-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种方法包括形成第一聚合物层以覆盖晶圆的金属焊盘，以及图案化第一聚合物层以形成第一开口。暴露于第一开口的第一聚合物层的第一侧壁具有第一倾斜角，其中第一侧壁与金属焊盘接触。该方法还包括在第一开口中形成金属柱，锯切晶圆以产生器件管芯，将器件管芯密封在密封材料中，实施平坦化以暴露金属柱，在密封材料和器件管芯上方形成第二聚合物层，以及图案化第二聚合物层以形成第二开口。通过第二开口暴露金属柱。暴露于第二开口的第二聚合物层的第二侧壁具有比第一倾斜角度更大的第二倾斜角。本发明实施例涉及具有反向轮廓的铜柱的信息结构。
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公开(公告)号：CN107818962A
公开(公告)日：2018-03-20
申请号：CN201710610887.X
申请日：2017-07-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/48 , H01L23/488 , H01L21/60
Abstract: 本发明实施例涉及半导体结构及其制造方法。特别的，本发明实施例的一种半导体结构包含：衬底；裸片，其放置在所述衬底上方且包含裸片垫、放置在所述裸片垫上方的导电通路及环绕所述导电通路的介电材料；模塑物，其放置在所述衬底上方且环绕所述裸片；下部介电层，其较接近所述衬底而放置且放置在所述介电材料及所述模塑物上方；及上部介电层，其较远离所述衬底而放置且放置在所述下部介电层上方，其中所述上部介电层中的材料含量比率实质上大于所述下部介电层中的材料含量比率，且所述材料含量比率实质上反向影响所述上部介电层及所述下部介电层的机械强度。
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