公开(公告)号：CN102157450B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201010254693.9

申请日：2010-08-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 叶德强 ,  夏兴国 ,  林浩勋 ,  赵治平 ,  苏钦豪 ,  郑锡圭

IPC: H01L21/8249 ,  H01L21/768 ,  H01L27/04 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L27/0623 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/8249 ,  H01L29/45

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。上述半导体装置的制造方法包括提供一基板，于基板上形成第一类型晶体管和第二类型晶体管。遮蔽第一类型晶体管，且于第二类型晶体管上形成第一硅化物区域。遮蔽第二类型晶体管，且于第一类型晶体管上形成第二硅化物区域，第二硅化物具有不同于第一硅化物的至少一特性，因而允许在各别元件上形成特定的硅化物区域。当工艺成本保持在一最小值时，允许较大最佳化和工艺控制。

公开(公告)号：CN102157450A

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN201010254693.9

申请日：2010-08-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 叶德强 ,  夏兴国 ,  林浩勋 ,  赵治平 ,  苏钦豪 ,  郑锡圭

IPC: H01L21/8249 ,  H01L21/768 ,  H01L27/04 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L27/0623 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/8249 ,  H01L29/45

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。上述半导体装置的制造方法包括提供一基板，于基板上形成第一类型晶体管和第二类型晶体管。遮蔽第一类型晶体管，且于第二类型晶体管上形成第一硅化物区域。遮蔽第二类型晶体管，且于第一类型晶体管上形成第二硅化物区域，第二硅化物具有不同于第一硅化物的至少一特性，因而允许在各别元件上形成特定的硅化物区域。当工艺成本保持在一最小值时，允许较大最佳化和工艺控制。