公开(公告)号：CN100574397C

公开(公告)日：2009-12-23

申请号：CN200710085505.2

申请日：2007-03-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张东铉

IPC: H04N5/63 ,  H04L12/10

CPC classification number: H04N5/63

Abstract: 一种用于最小化待机功率的广播接收装置及其方法。所述广播接收装置包括：检测器，检测输入的交流(AC)电压的变化，并输出与检测结果相对应的直流(DC)电压；以及控制器，基于与DC电压相对应的数字电压而检测电流的变化，并根据所述控制器的检测结果确定与所述广播接收装置相连的外部装置的开启/关闭状态。因此，能够根据向所述外部装置供电的变化而确定所述外部装置是否开启或关闭，从而基于确定结果而停止向所述外部装置供电，而且基于省电数据而有选择地控制向所述广播接收装置中的组件供电。

公开(公告)号：CN100397634C

公开(公告)日：2008-06-25

申请号：CN200510081767.2

申请日：2005-06-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 白承德 ,  张东铉 ,  李钟周

IPC: H01L23/482 ,  H01L21/60 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L24/10 ,  H01L21/76802 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/525 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01087 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099

Abstract: 公开了一种半导体器件封装，其包括衬底、在衬底的表面上方间隔开的第一和第二芯片焊盘和位于衬底的表面上方的绝缘层。所述绝缘层包括至少由下参考电势线支撑表面部分和上信号线支撑表面部分限定的阶梯状上表面，其中下参考电势线支撑表面部分处的绝缘层的厚度小于上信号线支撑表面部分处的绝缘层的厚度。所述封装还包括电连接到第一芯片焊盘并位于绝缘层的下参考电势支撑表面部分上的导电参考电势线，电连接到第二芯片焊盘并位于上信号线支撑表面部分上的导电信号线，以及分别电连接到导电参考电势线和导电信号线的第一和第二外部端子。

公开(公告)号：CN100355063C

公开(公告)日：2007-12-12

申请号：CN99100256.3

申请日：1999-01-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金南锡 ,  张东铉 ,  姜思尹 ,  权兴奎

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/28 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L24/94 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/562 ,  H01L24/11 ,  H01L24/12 ,  H01L29/0657 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/10126 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/274 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10157 ,  H01L2924/10158 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/013

Abstract: 根据本发明，芯片尺寸封装CSP以晶片级制造。CSP包括芯片、用于再分布芯片的芯片焊盘的导电层、一个或两个绝缘层以及通过导电层与相应芯片焊盘相连并为CSP的端子的多个凸起。此外，为改善CSP的可靠性，提供了加强层、边缘保护层和芯片保护层。加强层吸收当CSP安装在线路板上并被长期使用时作用于凸起的应力，并延长凸起及CSP的寿命。边缘保护层和芯片保护层防止外力损坏CSP。在半导体晶片上形成所有构成CSP的元件之后，锯切半导体晶片，得到单个CSP。

公开(公告)号：CN1722421A

公开(公告)日：2006-01-18

申请号：CN200510081767.2

申请日：2005-06-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 白承德 ,  张东铉 ,  李钟周

IPC: H01L23/482 ,  H01L21/60 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L24/10 ,  H01L21/76802 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/525 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01087 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099

Abstract: 公开了一种半导体器件封装，其包括衬底、在衬底的表面上方间隔开的第一和第二芯片焊盘和位于衬底的表面上方的绝缘层。所述绝缘层包括至少由下参考电势线支撑表面部分和上信号线支撑表面部分限定的阶梯状上表面，其中下参考电势线支撑表面部分处的绝缘层的厚度小于上信号线支撑表面部分处的绝缘层的厚度。所述封装还包括电连接到第一芯片焊盘并位于绝缘层的下参考电势支撑表面部分上的导电参考电势线，电连接到第二芯片焊盘并位于上信号线支撑表面部分上的导电信号线，以及分别电连接到导电参考电势线和导电信号线的第一和第二外部端子。

公开(公告)号：CN102446863B

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：CN201110306691.4

申请日：2011-10-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李泽勋 ,  金沅槿 ,  张东铉 ,  宋昊建 ,  任成晙

IPC: H01L21/98 ,  H01L21/56 ,  H01L25/00 ,  H01L25/065 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L23/49811 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/481 ,  H01L24/02 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/18 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/024 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/83104 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/95001 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1811 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

Abstract: 本发明提供一种半导体封装件及其制造方法。一种形成具有大容量和减小或最小化的体积的半导体封装件的方法包括以下步骤：利用粘结层将半导体基底附接在支撑基底上，其中，半导体基底包括多个第一半导体芯片和芯片切割区域；在多个第一半导体芯片中的第一个和第二个之间形成具有第一切口宽度的第一切割凹槽，从而将半导体基底分成多个第一半导体芯片；将分别与第一半导体芯片对应的多个第二半导体芯片附接到多个第一半导体芯片；形成模塑层以填充第一切割凹槽；在模塑层中形成具有比第一切口宽度小的第二切口宽度的第二切割凹槽，以将模塑层分成覆盖多个第一半导体芯片中的一个和多个第二半导体芯片中的相应的一个的各个模塑层。

公开(公告)号：CN102479771A

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN201110396465.X

申请日：2011-11-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李镐珍 ,  赵泰济 ,  张东铉 ,  宋昊建 ,  郑世泳 ,  姜芸炳 ,  尹玟升

IPC: H01L23/538 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/49844 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/525 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2924/15311

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法和半导体封装件。在一个实施例中，一种半导体装置包括具有第一表面和与第一表面相对的第二表面的半导体基底。第二表面限定再分布槽。基底具有延伸通过基底的通孔。半导体装置还包括设置在通孔中的通孔件。通孔件可以包括顺序形成在通孔的内壁上的通孔绝缘层、阻挡层。通孔件还可以包括与阻挡层相邻的导电连接件。半导体装置另外包括形成在基底的第二表面上的绝缘层图案。绝缘层图案限定暴露通孔件的顶表面的一定区域的开口。半导体装置包括设置在槽中并电连接到通孔件的再分布层。绝缘层图案与导电连接件的一定区域叠置。

公开(公告)号：CN101312172A

公开(公告)日：2008-11-26

申请号：CN200810098529.6

申请日：2008-05-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑显秀 ,  张东铉 ,  金南锡 ,  姜善远

IPC: H01L23/485 ,  H01L23/28 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L25/00 ,  H01L25/065

CPC classification number: H01L23/3128 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/24 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/24226 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/82039 ,  H01L2224/82047 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01038 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00

Abstract: 所提供的是一种具有增强的接点可靠性的半导体封装及其制作方法。该方法包括：形成包括封装单元，该封装单元包括插入在底层与顶层之间的半导体芯片；以及，在衬底上顺序堆叠所述封装单元。所述底层和所述顶层由具有比半导体芯片模量低的模量的材料形成。所述半导体封装包括：布置在衬底上的至少一个封装单元，所述封装单元包括：具有焊盘的半导体芯片、基本包围所述半导体芯片的底层和顶层、以及覆盖在所述顶层上的再分布结构。所述再分布结构电连接到所述焊盘。

公开(公告)号：CN101119457A

公开(公告)日：2008-02-06

申请号：CN200710085505.2

申请日：2007-03-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张东铉

IPC: H04N5/63 ,  H04L12/10

CPC classification number: H04N5/63

Abstract: 一种用于最小化待机功率的广播接收装置及其方法。所述广播接收装置包括：检测器，检测输入的交流(AC)电压的变化，并输出与检测结果相对应的直流(DC)电压；以及控制器，基于与DC电压相对应的数字电压而检测电流的变化，并根据所述控制器的检测结果确定与所述广播接收装置相连的外部装置的开启/关闭状态。因此，能够根据向所述外部装置供电的变化而确定所述外部装置是否开启或关闭，从而基于确定结果而停止向所述外部装置供电，而且基于省电数据而有选择地控制向所述广播接收装置中的组件供电。

公开(公告)号：CN1728370A

公开(公告)日：2006-02-01

申请号：CN200510087557.4

申请日：2005-07-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李仁荣 ,  沈成珉 ,  张东铉 ,  郑显秀 ,  宋永僖 ,  朴明洵

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/60 ,  H01L21/78

CPC classification number: H01L23/481 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/525 ,  H01L24/02 ,  H01L24/10 ,  H01L24/13 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/0652 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06551 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种制备多芯片封装用集成电路芯片的方法及所形成的晶片和芯片。该形成集成电路芯片的方法包括在其上具有多个接触焊盘的半导体晶片上形成多个十字形槽，以及使用电绝缘层填充十字形槽。将电绝缘层构图来在其中限定至少第一和第二通孔，所述第一和第二通孔延伸在十字形槽的第一个中。分别以第一和第二过芯片连接电极填充第一和第二通孔。随后，通过切穿十字形图案中的电绝缘层将半导体晶片划片为多个集成电路芯片，所述十字形图案中的电绝缘层与十字形槽的位置重叠。

公开(公告)号：CN110970382A

公开(公告)日：2020-04-07

申请号：CN201910851493.2

申请日：2019-09-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 裵镇国 ,  郑显秀 ,  李仁荣 ,  张东铉

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/48

Abstract: 提供了一种半导体器件和一种制造半导体器件的方法。所述半导体器件包括：半导体衬底；导电焊盘，所述导电焊盘设置在所述半导体衬底上；以及柱状图案，所述柱状图案设置在所述导电焊盘上。所述半导体器件还包括：焊料种子图案，所述焊料种子图案设置在所述柱状图案上；以及焊料部分，所述焊料部分设置在所述柱状图案和所述焊料种子图案上。所述焊料种子图案的第一宽度小于所述柱状图案的顶表面的第二宽度。