公开(公告)号：CN117727691A

公开(公告)日：2024-03-19

申请号：CN202310618134.9

申请日：2023-05-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安浚爀 ,  裵镇国

IPC: H01L21/768 ,  H10B12/00

Abstract: 一种半导体器件包括：第一接触结构，连接到下部结构；第一导电布线，连接到第一接触结构；第一蚀刻停止层和层间绝缘层，顺序地设置在第一导电布线上；第二接触结构，穿过第一蚀刻停止层，设置在层间绝缘层中，并且连接到第一导电布线；第二导电布线，设置在第二接触结构上，并且设置在层间绝缘层中；阻挡层，包括在第二接触结构的底表面上的第一阻挡部；第二蚀刻停止层，设置在第二导电布线的顶表面和层间绝缘层的顶表面上；以及在阻挡层和延伸部之间的气隙。

公开(公告)号：CN110970389A

公开(公告)日：2020-04-07

申请号：CN201910825779.3

申请日：2019-09-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李灿浩 ,  李仁荣 ,  裵镇国 ,  郑显秀

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/50

Abstract: 公开了凸块结构和凸块结构制造方法。可以提供包括焊盘和位于所述焊盘的顶表面上的凸块的凸块结构。所述凸块可以包括上凸块部分和下凸块部分，所述下凸块部分可以包括与所述焊盘的顶表面接触的基座部分和从所述基座部分向上延伸的柱状部分。所述基座部分的至少一部分在与所述焊盘的所述顶表面平行的平面上的截面面积可以大于所述柱状部分在与所述焊盘的所述顶表面平行的所述平面上的截面面积。

公开(公告)号：CN117295329A

公开(公告)日：2023-12-26

申请号：CN202310634943.9

申请日：2023-05-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金钟珉 ,  朴素贤 ,  尹灿植 ,  崔东珉 ,  高承甫 ,  金孝燮 ,  裵镇国 ,  郑宇真 ,  车银京 ,  安濬爀

IPC: H10B12/00 ,  H01L23/528

Abstract: 可以提供一种半导体器件，所述半导体器件包括：第一接触插塞结构，所述第一接触插塞结构位于衬底上；下间隔物结构，所述下间隔物结构位于所述第一接触插塞结构的侧壁上；以及位线结构，所述位线结构位于所述第一接触插塞结构上，并且包括在与所述衬底的上表面基本垂直的垂直方向上堆叠的导电结构和绝缘结构。所述第一接触插塞结构可以包括接触所述衬底的所述上表面的导电焊盘、位于所述导电焊盘上的欧姆接触图案和位于所述欧姆接触图案上的导电填充图案。所述导电填充图案可以包括金属，并且包括具有相对大的宽度的下部和具有相对小的宽度的上部。所述下间隔物结构可以接触所述导电填充图案的侧壁。

公开(公告)号：CN110970382A

公开(公告)日：2020-04-07

申请号：CN201910851493.2

申请日：2019-09-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 裵镇国 ,  郑显秀 ,  李仁荣 ,  张东铉

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/48

Abstract: 提供了一种半导体器件和一种制造半导体器件的方法。所述半导体器件包括：半导体衬底；导电焊盘，所述导电焊盘设置在所述半导体衬底上；以及柱状图案，所述柱状图案设置在所述导电焊盘上。所述半导体器件还包括：焊料种子图案，所述焊料种子图案设置在所述柱状图案上；以及焊料部分，所述焊料部分设置在所述柱状图案和所述焊料种子图案上。所述焊料种子图案的第一宽度小于所述柱状图案的顶表面的第二宽度。