公开(公告)号：CN104851814B

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201510059724.8

申请日：2015-02-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  吴集锡 ,  邱文智 ,  李祥帆 ,  戴世芃 ,  邱当荣

IPC: H01L21/58 ,  H01L21/60 ,  H01L21/66 ,  H01L23/488 ,  H01L23/544

CPC classification number: H01L25/0652 ,  H01L21/78 ,  H01L22/14 ,  H01L22/20 ,  H01L22/32 ,  H01L24/09 ,  H01L24/81 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/09515 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81007 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06582 ,  H01L2225/06596 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提出了一种形成集成电路封装件的方法。第一多个第一层堆叠件被安装在衬底上，其中，衬底具有与第一层堆叠件中的每一个堆叠件均相应的一个或多个接触焊盘并且具有与第一层堆叠件中的每一个堆叠件均相配套的一个或多个探测焊盘。电测试第一层堆叠件中的每一个堆叠件并且识别已知良好的第一层堆叠件和已知不良的第一层堆叠件。第一多个堆叠衬底被安装在已知良好的第一层堆叠件上，由此形成多个第二层堆叠件。电测试第二层堆叠件中的每一个堆叠件以识别已知良好的第二层堆叠件和已知不良的第二层堆叠件。本发明还提供了根据该形成集成电路封装件的方法而形成的半导体器件。

公开(公告)号：CN108122880A

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201711002107.X

申请日：2017-10-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  郭宏瑞 ,  蔡惠榕 ,  谢昀蓁

IPC: H01L23/498

CPC classification number: H01L22/14 ,  H01L21/56 ,  H01L21/568 ,  H01L21/76885 ,  H01L22/20 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/11 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/45 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/214 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L23/49816

Abstract: 一种半导体装置的制造方法包括：在管芯上形成导电柱；使用焊料将测试探针耦合到所述导电柱；以及使用多个刻蚀工艺对所述焊料及所述导电柱进行刻蚀，所述多个刻蚀工艺包括第一刻蚀工艺，所述第一刻蚀工艺包括使用氮系刻蚀剂对所述导电柱进行刻蚀。

公开(公告)号：CN108122872A

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201710777057.6

申请日：2017-08-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 万厚德 ,  谢佑生 ,  史朝文 ,  张守仁 ,  刘重希 ,  余振华

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: B81B7/007 ,  B81B2207/096 ,  B81C1/0023 ,  B81C1/00301 ,  B81C99/005 ,  H01L23/481 ,  H01L24/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/09 ,  H01L24/10 ,  H01L2224/023 ,  H01L2224/0237 ,  H01L2224/091

Abstract: 本揭示提供一种半导体结构及其制造方法，所述半导体结构包含：感测元件，其经配置以从感测目标接收信号；模塑物，其环绕所述感测元件；贯穿通路，其位于所述模塑物中；前侧重布层，其放置于所述感测元件的前侧处且电连接到所述前侧；及后侧重布层，其放置于所述感测元件的后侧处，所述前侧重布层及所述后侧重布层由所述贯穿通路电连接。本揭示还提供一种用于制造本文中所阐述的所述半导体结构的方法。

公开(公告)号：CN108122857A

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201710284502.5

申请日：2017-04-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈洁 ,  余振华 ,  叶德强 ,  陈宪伟

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/538

Abstract: 一种封装结构及其形成方法。封装结构包括第一封装件、第一集成无源元件、第二集成无源元件以及底部填充体。第一封装件包括第一管芯、与第一管芯相邻的孔、包封孔并围绕第一管芯的周界以至少横向地包封第一管芯的模制化合物以及在第一管芯及模制化合物之上延伸的第一重布线结构。第一集成无源元件贴附至第一重布线结构，第一集成无源元件靠近第一管芯的周界安置。第二集成无源元件贴附至第一重布线结构，第二集成无源元件远离第一管芯的周界安置。底部填充体安置于第一集成无源元件与第一重布线结构之间，第二集成无源元件不含有底部填充体。

公开(公告)号：CN108074872A

公开(公告)日：2018-05-25

申请号：CN201711105990.5

申请日：2017-11-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  胡宪斌 ,  林俊成 ,  卢思维 ,  候上勇 ,  魏文信 ,  施应庆 ,  吴集锡

IPC: H01L21/98 ,  H01L25/18 ,  H01L23/31

Abstract: 一个实施例是一种方法，所述方法包括：使用第一电连接器将第一管芯附接到第一组件的第一侧，使用第二电连接器将第二管芯的第一侧附接到第一组件的第一侧，将伪管芯附接到第一组件的划线区域中的第一组件的第一侧，将覆盖结构粘附到第二管芯的第二侧，并且分割第一组件和伪管芯以形成封装件结构。本发明的实施例还涉及封装件结构及其形成方法。

公开(公告)号：CN105390455B

公开(公告)日：2018-04-20

申请号：CN201510511079.9

申请日：2015-08-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  刘重希

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/485 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L25/0655 ,  H01L21/31051 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/4846 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L21/566 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/528 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/06 ,  H01L24/14 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68372 ,  H01L2224/02371 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/131 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/1811 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/2064 ,  H01L2924/014

Abstract: 一种器件封装件包括：多个管芯；模塑料，沿着多个管芯的侧壁延伸；和聚合物层，位于模塑料上方并且接触模塑料。模塑料包括非平坦的顶面，并且聚合物层的顶面的总厚度变化(TTV)小于模塑料的非平坦的顶面的TTV。该器件封装件还包括位于聚合物层上的导电部件，其中，导电部件电连接至多个管芯中的至少一个。本发明实施例涉及用于晶圆级封装件的互连结构及其形成方法。

公开(公告)号：CN107808870A

公开(公告)日：2018-03-16

申请号：CN201710534227.8

申请日：2017-07-03

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 谢正贤 ,  许立翰 ,  吴伟诚 ,  陈宪伟 ,  叶德强 ,  吴集锡 ,  余振华

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/48

Abstract: 实施例封装件包括第一集成电路管芯，围绕第一集成电路管芯的密封剂以及将第一导电通孔电连接到第二导电通孔的导线。该导线包括位于第一集成电路管芯上方并且具有沿第一方向延伸的第一长度方向尺寸的第一段，以及具有沿与第一方向不同的第二方向延伸的第二纵向尺寸的第二段。第二段在第一集成电路管芯和密封剂之间的边界上方延伸。本发明的实施例还提供了一种形成半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN105023917B

公开(公告)日：2018-02-27

申请号：CN201410848122.6

申请日：2014-12-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  陈明发 ,  叶松峯

IPC: H01L25/065 ,  H01L23/48 ,  H01L21/98 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L24/89 ,  H01L21/486 ,  H01L21/56 ,  H01L21/563 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/3157 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/53209 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53252 ,  H01L23/53266 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5386 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/03 ,  H01L24/06 ,  H01L24/17 ,  H01L24/19 ,  H01L24/82 ,  H01L25/00 ,  H01L25/065 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0212 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/0237 ,  H01L2224/02371 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/02373 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/024 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/18 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/8019 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/06 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00

Abstract: 根据实施例，本发明提供了一种封装件，该封装件包括第一器件封装件以及设置在第一器件封装件上方的扇出型RDL。扇出型RDL延伸超过第一器件封装件的边缘。第一器件封装件包括具有设置在第一衬底上的第一再分布层(RDL)的第一管芯、具有设置在第二衬底上的第二RDL的第二管芯、位于第一管芯上方并且沿着第二管芯的侧壁延伸的隔离材料、以及导电通孔。第一RDL接合至第二RDL，并且第一管芯和第二管芯包括不同的横向尺寸。导电通孔的至少一部分从隔离材料的顶面延伸至与第一RDL中的第一导电元件接触。

公开(公告)号：CN107706171A

公开(公告)日：2018-02-16

申请号：CN201610954883.9

申请日：2016-10-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄子松 ,  余振华 ,  郭鸿毅 ,  蔡豪益 ,  曾明鸿

IPC: H01L23/522 ,  H01F38/14

Abstract: 一种线圈结构的形成方法。线圈结构包括衬底。多个线圈设置在衬底上，且每一线圈包括形成连续螺旋结构的导电元件。连续螺旋结构在线圈结构的上视图中呈六边形。线圈排列成蜂窝状图案，且每一导电元件与外部电路电连接。

公开(公告)号：CN104733330B

公开(公告)日：2018-02-02

申请号：CN201410251322.3

申请日：2014-06-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  刘重希 ,  黄致凡 ,  黄晖闵 ,  林威宏 ,  郑明达

IPC: H01L21/56

CPC classification number: H01L23/5389 ,  H01L21/565 ,  H01L21/566 ,  H01L23/295 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/19 ,  H01L24/73 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48095 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供了一种方法，包括将微电子器件附接至衬底表面，其中，间隔介于邻近的两个微电子器件之间。每个微电子器件均具有基本上平行于衬底表面的最外表面。将衬底封闭在传递模塑装置的传递模塑腔中，使得传递模塑腔的内表面与微电子器件的每个最外表面的大部分接触。随后，将模塑料注入至传递模塑腔内，包括将模塑料注入至多个微电子器件之间的间隔内。本发明还提供了用于晶圆级封装件的模塑结构。